专栏名称: EDN电子技术设计

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最后30份！抢先体验英飞凌全新CoolGaN™ 样片！

EDN电子技术设计 · 公众号 · · 2024-10-25 17:27

正文

今年6月起，英飞凌陆续推出全新CoolGaN™ 产品技术： 新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaN™ 半导体器件系列 ，能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 V至700 V电压； CoolGaN™ 双向开关（BDS） ，拥有出色的软开关和硬开关性能，提供40 V、650 V 和 850 V电压双向开关，适用于移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等。现已推出CoolGaN™ G3系列晶体管中压产品60V-200V 和 CoolGaN™ BDS 40 V工程样品。

抢先体验，英飞凌全新CoolGaN™ 系列工程样品

CoolGaN™ G3系列晶体管
CoolGaN™ 双向开关（BDS）

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最后30份，先到先得！

新品详情

CoolGaN™ G3系列晶体管

- 采用高性能 8 英寸晶圆工艺制造。

- 覆盖了60 V、80 V、100 V和120 V 的CoolGaN™ 晶体管电压等级，以及40 V双向开关（BDS）器件。

- 主要面向电机驱动、电信、数据中心、太阳能和消费应用。

CoolGaN™ 双向开关（BDS）

- 一款基于英飞凌肖特基栅氮化镓自主技术的常闭单片双向开关。

-

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