文章主要介绍了关于扭转六方氮化硼（thBN）在单层MoSe2上的莫尔超晶格印迹的研究。研究表明，thBN具有铁电性，可以在附近的其他材料上留下印迹。美国纽约市立大学城市学院和韩国庆熙大学的合作团队展示了thBN在单层MoSe2上的莫尔图案印迹，并观察到激子-极化激元的形成。研究通过图文导读详细描述了实验过程和结果，并提供了相关文献信息和二维码。同时，介绍了上海昂维科技有限公司提供的二维材料耗材、微纳加工服务以及测试分析服务。
thBN在单层MoSe2上的莫尔超晶格印迹展示了其铁电性，并观察到激子-极化激元的形成。研究通过图文导读详细描述了实验过程和结果。
该研究通过构建一个大的铁电畴（~8.7 μm），实现了前所未有的电位调制（~387±52 meV）。通过将莫尔畴的尺寸减小到~110 nm来研究单层MoSe2中莫尔图案引起的光学性质变化。
介绍了上海昂维科技有限公司提供的二维材料耗材、微纳加工服务以及测试分析服务。
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成果介绍
扭转六方氮化硼（thBN）由于具有AB/BA晶畴的莫尔超晶格而表现出铁电性。这些晶畴具有电偶极子，导致周期性静电位，可以印在附近的其他材料上。
有鉴于此，近日，
美国纽约市立大学城市学院Vinod M. Menon和韩国庆熙大学Young Duck Kim（共同通讯作者）等合作展示了单层MoSe
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上thBN莫尔图案的远程印迹，并研究了激子性质的变化
。本文利用开尔文探针力显微镜（KPFM）和高光谱光致发光（PL）作图证实了单层MoSe
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上的印迹莫尔图案。通过构建一个大的铁电畴（~8.7 μm），本文实现了前所未有的电位调制（~387±52 meV）。本文通过铁电莫尔畴观察到了激子-极化激元的形成，并通过将莫尔畴的尺寸减小到~110 nm来研究单层MoSe
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中莫尔图案引起的光学性质变化。本文的研究结果强调了thBN作为光电子和谷电子应用中控制2D材料性质的平台的潜力。
图文导读
图1. 单层MoSe
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上的thBN莫尔超晶格印迹。
图2. 重复转移过程后莫尔电位最大化。
图3. thBN/MoSe
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/hBN样品中激子-极化激元的高光谱成像。
图4. Rydberg激子-极化激元态。
图5. 莫尔超晶格诱导的激子-极化激元峰移。
文献信息
Moiré Exciton Polaron Engineering via twisted hBN
（
Nano Lett.
, 2024, DOI:10.1021/acs.nanolett.4c04996）
文献链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.4c04996
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晶
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