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此前高通已经公布了新一代骁龙835,而现在这家公司宣布将在CES 2017上正式发布该芯片,具体时间为拉斯维加斯当地时间1月6日早9点(北京时间1月7日凌晨1点)。如此说来,这次展会没准儿会有终端发布。
按照之前消息,该芯片将在2017年初正式发布,已经确定的信息包括将采用三星10nm FinFET工艺打造,预计性能能够提升27%,功耗却降低40%。此外还支持Quick Charge 4.0快速充电技术,充电效率更高。
目前,骁龙835已经投入生产,预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年出货。至于是不是PPT产品还要等等看啦,不过基本可以确定三星家的Galaxy S8肯定有使用该芯片的版本。
三星10nm工艺不过关,跑分不敌华为Kirin960?
随着各家旗舰新品消息逐渐曝光,高通Snapdragon 835处理器这个名词,想必与我们一样关注智慧型手机发展的朋友应该不陌生。而高通Snapdragon 835处理器,是由高通与三星共同开发的新一代旗舰级10奈米八核心处理器,效能比起前一代的Snapdragon 821优秀不少,但今天国外媒体报导指出,高通Snapdragon 835处理器的跑分效能不如HUAWEI自家芯片厂所生产的麒麟960处理器,也让整个智慧型手机市场的竞争,从完成品的战场延伸至单一元件。
根据报导指出,实验室在进行效能测试时,将高通Snapdragon 835 处理器的时脉设定在1.9GHz,搭配4GB RAM、Android 7.0 Nugat 作业系统的Essential FIH-PM1 测试手机,单核成绩跑出了1844分,而多核成绩则是5426 分,相较于竞争对手HUAWEI 旗下芯片厂海思的麒麟960 处理器,单核1949 分、多核的6439 分来说,很明显Snapdragon 835 处理器的成绩稍微逊色了一些。
不过,Snapdragon 835 处理器的成绩不如预期,可能是受限于测试装置的规格,以及处理器效能无法完全发挥的因素,甚至有可能是测试版本存在不少问题尚未修正,所以才会使这次的跑分成绩有失高水准的表现,待正式版本出炉后的测试成绩,才是真正决定谁优谁劣的重要数据,请与我们一样关注智慧型手机市场发展的朋友稍作期待。【关于转载】:转载仅限全文转载并完整保留文章标题及内容,不得删改、添加内容绕开原创保护,且文章开头必须注明:转自“半导体行业观察icbank”微信公众号。谢谢合作!
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