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此前高通已经公布了新一代骁龙835，而现在这家公司宣布将在CES 2017上正式发布该芯片，具体时间为拉斯维加斯当地时间1月6日早9点（北京时间1月7日凌晨1点）。如此说来，这次展会没准儿会有终端发布。
按照之前消息，该芯片将在2017年初正式发布，已经确定的信息包括将采用三星10nm FinFET工艺打造，预计性能能够提升27%，功耗却降低40%。此外还支持Quick Charge 4.0快速充电技术，充电效率更高。
目前，骁龙835已经投入生产，预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年出货。至于是不是PPT产品还要等等看啦，不过基本可以确定三星家的Galaxy S8肯定有使用该芯片的版本。
三星10nm工艺不过关，跑分不敌华为Kirin960？
随着各家旗舰新品消息逐渐曝光，高通Snapdragon 835处理器这个名词，想必与我们一样关注智慧型手机发展的朋友应该不陌生。而高通Snapdragon 835处理器，是由高通与三星共同开发的新一代旗舰级10奈米八核心处理器，效能比起前一代的Snapdragon 821优秀不少，但今天国外媒体报导指出，高通Snapdragon 835处理器的跑分效能不如HUAWEI自家芯片厂所生产的麒麟960处理器，也让整个智慧型手机市场的竞争，从完成品的战场延伸至单一元件。
根据报导指出，实验室在进行效能测试时，将高通Snapdragon 835 处理器的时脉设定在1.9GHz，搭配4GB RAM、Android 7.0 Nugat 作业系统的Essential FIH-PM1 测试手机，单核成绩跑出了1844分，而多核成绩则是5426 分，相较于竞争对手HUAWEI 旗下芯片厂海思的麒麟960 处理器，单核1949 分、多核的6439 分来说，很明显Snapdragon 835 处理器的成绩稍微逊色了一些。
