正文
2019
年
10
月
18
日，
以
“全球科技创新中心下的上海集成电路”为主题的
“
2019
中国（上海）集成电路创新峰会”在上海科学会堂举行。
院士圆桌会议由上海市科学技术协会于
2000
年创办，
2001
年纳入中国国际工业博览会科技论坛，每年举办一次
，
迄今已经举办了
20
届，今年还是第一次以集成电路为主要议题进行讨论。
事实上，过多年努力，
中国集成电路产业逐步由大而全的综合制造模式走向设计、制造、封装测试三业并举，各自相对独立发展的格局。
我
国集成电路设计业整体水平已经有了极大的提升，华为海思的设计水平已经达到国际最先进的
7nm
水平。
我国
芯片制造业的工艺水平基本适应设计业，中芯国际
40nm
工艺已经量产，
32/28nm
工艺
已经
成熟，
14nm
工艺已经进入
风险
量产
阶段，并
对
7nm
技术进行布局；
而华虹半导体
在特色工艺，如高压模拟、数模混合和功率技术等工艺模块开发上取得了明显进步。
封装技术已经和世界先进水平基本相当，长电科技、华天科技、通富微电、晶方科技在国际上都占有一席之地。
在本次院士围桌会议上，数位
集成电路领域的院士和来自相关示范性微电子学院、
IC
设计、
晶圆
制造、封
装
测
试
等各领域的专家
围绕在建设科技强国征途中，作为国之重器的集成电路产业如何通过加强合作和自主发展，摆脱技术上和产业上的
“卡脖子”问题进行了热烈的讨论，
就集成电路的行业发展提出了自己的建议。
中国科学院院士、上海交通大学副校长毛军发表示，应该围绕几个重点大城市来发展集成电路产业，因为发展集成电路需要的资金不是一个中小城市所能负担的。同时集成电路是多学科交叉、高技术密集的产业，需要大量的专业人才。但人才的缺失，恰恰是目前我国集成电路产业发展的一大限制因素。上海市集成电路行业协会秘书长徐伟透露，我国每年集成电路相关专业毕业生有
30
万人左右，但进入该领域从业的人员不到
15%
，尤其是制造企业缺人现象更为严重。电子科技大学集成电路中心主任张波教授对此深有同感，他表示，中心今年共有
80
多个研究生毕业，但只有
1/3
的学生愿意进入集成电路制造相关企业工作。而在台湾，当地大学优秀人才毕业后都愿意进入台积电工作，深耕工艺制造。他觉得差距大的主要原因是制造领域从业人员的收入远低于设计领域。为此张波教授呼吁要加大人才人才投入，“为什么愿意花几十亿，甚至上百亿元美元去建芯片制造工厂，却不能在人才上加大投入呢？”
先进制程要不要追赶？对此中国科学院院士、中国科学院微电子研究所刘明研究员认为，先进技术和成熟制程应同步发展，
14
纳米工艺如何快速大生产，
28
纳米及以上工艺要如何更好地配合国内客户。而张波教授也强调，集成电路产业，工艺是基础，产品是核心。先进工艺必须追，但同时也要结合中国的市场特点，发展非尺寸依赖的特色工艺。正是非尺寸依赖的特色工艺具有品种众多、与应用强相关，未来将是中国的发展机遇。
中国科学院微电子研究所所长
叶甜春
则认为
，从
整个
产业链来看，
我国在集成电路
设计、
芯片
制造、
封装测试、
装备材料方面已经非常齐全，
但是整体实力偏弱，
所以未来我们应该将已有的体系要做实、做强，不追求大，不是什么东西都
要
自己做，要考虑补短板
、
加长板。
我们不能再间歇性发展集成电路产业，不能急功近利，必须保持长期稳定投入，毕其功于一役的想法不可行，以往犯的错更不能再犯。要依托我国现有的市场和应用，打造自有的产业生态。
中国航天科技集团有限公司九院科技委副主任赵元富
认为
，
应该从应用层面着手，
从最顶层
逐步
往下规划产品
定义
，
特别是我国一些领先世界的领域，如
电网、高铁、电子支付方面，
更要从
国家层面进行
顶
层策划，在集成电路强国上走出自
已
的一条路。
在会议上，还发布了
国家集成电路创新中心牵头制定
的
《中国集成电路技术路线图
（
初稿
）》（
以下简称《路线图》
），
这是我国首次发布集成电路技术路线图。
据悉，美国半导体行业协会自
1992
年开始编写
美国
半导体技术路线图（
N
TRS
）
，
在
1992
年、
1994
年、
1997
年发布了三个版本；
1999
年发布了第一版
国际
半导体技术路线图
（
ITRS
）
，
至
20166
年
累计发布了
9
个版本
；
2017
年，
IEEE
发布了第一版
器件与系统路线图（
IRDS
）
，
对
未来
15
年
半导体和计算机所需技术和
演进
路线进行了预测
，为
全球
集成电路产业发展提供了很大的帮助。
多年来，缩小特征尺寸和增大硅片直径一直是推动
全球
集成电路制造技术进步的两大要素。随着传统工艺和常规材料物理极限的逼近以及研发成本的急剧上升，这一路线已经遇到越来越多的挑战
。
为此
ITRS
给出
了
三个大方向：
“
More Moore
”
、
“
More than Moore
”
、
“
Beyond CMOS
”
。
“
More Moore
”
要
做的是想办法沿着摩尔定律的道路继续往前推进，
也就是延续
特征尺寸不断缩小
；
“
More than Moore
”
侧重于功能的多样化
，
也就是
“非尺寸依赖”
的特色工艺技术；
Beyond CMOS
”
要
做的是发明在硅基
CMOS
遇到物理极限时所能倚重的新型器件，
包括
碳
纳米管、石墨烯
、自旋电子器件、分子开关等为代表的后
CMOS
技术
。
“
More Moore
”
发展至今，出现了很多新工艺、新材料、新结构，如
90nm
引入应力层来提高迁移率，
45nm
引入高
K
介质以降低有效氧化介质的厚度，
22nm
引入
FinFET
为代表的新
型三维器件结构来抑制泄漏电流以降低功耗，
7nm
引入
EUV
光刻，
3nm
工艺有可能采用环栅器件（
GAA
），未来到
2
纳米、
1
纳米阶段将有何变化，值得业界研讨。所以技术路线图的制定将为未来的技术发展提供一个方向。
国家集成电路创新中心
总经理、复旦大学微电子学院院长张卫教授表示，
制定《中国集成电路技术路线图
