【半导体设备出海】：优睿谱成功交付境外客户SICD200设备

近日，上海优睿谱半导体设备有限公司（简称“优睿谱”）成功交付境外客户一款碳化硅衬底晶圆位错及微管检测的全自动设备。

优睿谱总经理唐德明博士介绍SICD200设备具有以下 技术特点 ：

• 兼容6&8寸SiC 衬底位错和微管缺陷检测；该设备为全自动设备；

• 高分辨率实时对焦高速线扫描成像技术，较于传统的面阵扫描，检测速率提升数十倍以上，实现整片晶圆位错缺陷全检测（腐蚀片），大幅减少客户设备购买数量；

• 采用深度学习算法(AI)，有效提高位错检测准确度，同时实现位错分类；

• 可对接碳化硅衬底厂家的MES系统，实现工厂自动化生产；

• 设备提供的晶体内应力检测功能，可用于碳化硅的籽晶筛选。

图1：SICD200设备图片

唐德明博士表示，在整机软件和缺陷检测算法层面，SICD具备以下 技术优势 ：

• 可视化动态位错标注显示；

• 实时线扫检测进程显示；

• 检测结果实时显示；

• 可定制化的软件使用界面；

• 位错尺寸统计功能：实现对客户晶圆腐蚀的时间和温度的反馈，帮助客户调试合适的腐蚀工艺；

• 稳定的检测重复性（晶圆重复检测10次，静态重复性＞98%）。

图2：SICD200设备软件界面

图3：SICD200设备显示位错大小

此前，优睿谱已陆续推出【国内首发半导体专用FTIR(傅立叶变换红外光谱)测量设备】系列（部分型号目前已获得海外客户订单）：

• 适用于硅基外延层膜厚测量设备Eos200/Eos300

• 适用于硅基元素浓度（B/P/F）测量设备Eos200+/Eos300+；

• SIN、SIOC和SION测量功能：测量Si-H，Si-O和N-H化学键含量测量（CVD工艺监控）；

• 通过优化的硬件设计（更新的红外光谱仪技术）配合自主开发的算法实现对碳化硅外延层膜厚及外延缓冲层膜厚测量设备Eos200L；

• 通过优化的硬件设计（更新的红外光谱仪技术）配合自主开发的Global Fitting Algo. ®算法技术实现碳化硅多层（≥3层）外延膜厚测量设备Eos200L+；

• 硅材料中C/O含量测量设备Eos200T。