三星宣布第四代V-NAND闪存芯片开始大规模量产

三星日前在韩国正式宣布该公司即日起开始大规模量产 64层堆叠并且容量达到256Gb的 V-NAND 闪存芯片。

同时该类型的V-NAND闪存芯片不仅是用于SSD固态硬盘， 还会用于内存卡、UFS闪存以及其他外置存储卡。

作为三星的第四代V-NAND闪存芯片其带宽速度高达1Gbps， 同时其供电电压已经从3.3伏特降低到2.8伏特。

事实上早在今年1月份三星就开始在企业级设备上部署第四代VNAND闪存芯片，在经过一大段时间的测试和产品适应后终于轮到消费级产品了。

三星公司称第四代V-NAND闪存芯片将会陆续开始应用在消费级产品， 预计很快就可以看到此类型的产品了。

至于售价方面自然会继续上涨，目前内存和硬盘产品价格都在不断地上涨，如果想要撸一块的话可以考虑等等到年底再看看。