英文原题:
Exploring Ionic Transport Mechanisms in Solid Conductors: A Dual Perspective on Static Structural Properties and Anion Dynamics
作者:
Haijin Ni, Lei Gao*, Jinlong Zhu, Dubin Huang, Wen Yin, Ruqiang Zou, Changping Li*, Songbai Han*
固体导体的离子电导率与其晶体结构息息相关,而一类含有阴离子基团的材料中基团的动态行为会显著影响
Li
+
的迁移。在特定的固体离子导体中,阴离子基团的旋转等动态因素往往与温度、结构相变和局部配位环境有关,使得相关机制难以预测。因此,作者
选择了具有多种结构特征(包括温度依赖性相变、卤素阴离子的电负性、
Li
+
位缺陷以及难以确定的无序氢分布)的反钙钛矿材料
Li
2
OHX (X = Cl, Br),深入研究了其静态结构性质和O
H
−
的动态行为对
Li
+
迁移的影响。
作者对反钙钛矿离子导体
Li
2
OHX(X = Cl, Br) 进行了氘化处理,并利用变温中子粉末衍射测定这些材料的衍射图谱,最后通过Rietveld精修分析其晶体学信息,结果如图1所示。可以发现,在温度激发下,
Li
2
ODCl从稳定的正交相(
Pban
)转变为亚稳定的立方相(
),这种转变创造了更有效的迁移途径,有利于
Li
+
在晶格内往更多、更合适的途径迁移。同时,作者发现,与正交相
Li
2
ODCl相比,立方相
Li
2
ODCl和立方相
Li
2
ODBr(
)中都出现了更多的Li空位,这有利于
Li
+
在晶格内通过空位机制进行离子输运。且由于
Br
−
(1.82 Å) 比
Cl
−
(1.67 Å) 的离子半径更大,电负性更弱,立方相
Li
2
ODBr中的Li-O键长度比立方相和正交相
Li
2
ODCl中的Li-O键长度都要更长,这一特性减弱了阴离子对
Li
+
的束缚,促进了
Li
+
的迁移。
图1. (a)
Li
2
ODCl在300 K下的中子Rietveld精修图谱。(b)
Li
2
ODCl在400 K下的中子Rietveld精修图谱。(c)
Li
2
ODBr在300 K下的中子Rietveld精修图谱。以及 (d-f) 所得结构。
进一步,作者利用中子精修得到的晶体学数据进行了最大熵分析(MEM),得到了
Li
2
ODX (X = Cl, Br) 中
Li
+
可能存在的传输路径。同时,与中子结合得到的Li和D的热振动因子(ADPs)联合分析,发现材料中
D
+
即
H
+
不发生迁移,而是围绕在
O
2-
周围进行局域运动。
而为了验证静态结构特性对
Li
+
迁移的影响并与桨轮机制产生的影响进行比较,作者提取了中子衍射数据精修得到的晶体结构,选取了部分扩胞后的可能结构进行了晶格弛豫,并从中挑选出能量最低的结构分别进行了未固定
H
+
和固定
H
+
的NVT计算,结果如图2、图3所示。AIMD模拟中,当O
H
−
中的
H
+
未被固定时,这些材料中
Li
+
的MSD以及扩散系数与实验测得的趋势和规律相吻合(图2a-d)。绘制
Li
+
和
H
+
的运动轨迹(图2e-i),并随机选取
Li
+
的迁移轨迹(图2j-n),作者发现,所得结果与MEM得到的密度分布以及迁移路径基本匹配。同时,分析
Li
+
迁移前后(约1 ps)O
H
−
基团的运动轨迹,其发生了明显的旋转,旋转角度基本都在30°以上。O
H
−
阴离子存在旋转且其旋转强度与
Li
+
扩散系数之间呈现的正相关关系进一步证实了反钙钛矿
Li
2
OHX结构中存在着桨轮机制。而当O
H
−
中的
H
+
被固定时,晶格内
Li
+
的迁移受到明显约束,仅在有限的空间区域内振荡,没有明显的迁移途径(图3d-e)。定量地说,由于O
H
−
阴离子的运动状态改变所引起的
Li
+
扩散系数的变化明显大于静态结构性质改变引起的变化,固定O
H
−
中的
H
+
前后
Li
+
的扩散系数变化为1.029 ×
10
−5
到3.019 ×
10
−8
cm
2
s
−1
,而相变前后的
Li
+
的扩散系数变化仅为1.117 × 1
0
−7
到3.019 ×
10
−8
cm
2
s
−1
。这一显著差异突出了O
H
−
旋转对
Li
+
输运的巨大影响,这表明了
Li
+
的输运主要受O
H
−
阴离子基团的动态行为的控制,即主要受到桨轮机制的影响。