优睿谱FTIR设备Eos300+交付12寸先进制程FAB

近日，上海优睿谱半导体设备有限公司（简称“优睿谱”）FTIR设备Eos300+交付国内12寸先进制程晶圆厂，用于化学气相沉积（CVD）制程工艺中Si-O、Si-H及N-H等化学键测量。

图1：Eos300+设备发货

优睿谱总经理唐德明博士介绍，Eos300+设备具有以下 技术特点 ：

• 该设备为12寸全自动设备，SECS/GEM对接工厂自动化。

• Eos300+ 核心部件100%国产化，整机国产化率超过80%以上，保证设备供应链自主可控。

• 自主开发的元素浓度及化学键含量测量算法。

  
  

图2：Eos300+设备图片

优睿谱膜厚测量高端应用开发经理庄育军表示，FTIR的高端应用场景（如Si-H, Si-O等化学键含量测量；B/P/F等元素浓度测量）一直被国外设备供应商垄断。立足于本土供应链，通过和国内供应商特别是客户的紧密合作，优睿谱开发出适用于上述化学键测量的相关设备。

针对高端应用场景，优睿谱此前已发布多款FTIR设备：

• 适用于硅基元素浓度（B/P/F）测量设备Eos200+/Eos300+

• 通过优化的硬件设计（更新的红外光谱仪技术）配合自主开发的算法实现对碳化硅外延层膜厚及外延缓冲层膜厚测量设备Eos200L

• 通过优化的硬件设计（更新的红外光谱仪技术）配合自主开发的Global Fitting Algo. ®算法技术实现碳化硅多层（≥3层）外延膜厚测量设备Eos200L+

• 硅材料中C/O含量测量设备Eos200T

• 适用于硅基外延层膜厚测量设备Eos200/Eos300

【 优睿谱SICV200设备 】：实现了晶圆电阻率量测设备，该设备完全对标国外供应商测试性能及设备供应链的国产化目标。同时，针对碳化硅外延晶圆CV测量后有金属残留及压痕的行业痛点做了针对性创新开发，成功解决该行业痛点，目前已得到多家客户的订单。

【 优睿谱Eos200DSR设备 】：实现了SOI晶圆重掺顶层硅厚度测量。同时，可用于硅基铌酸锂厚度、晶圆背封LTO厚度及光刻胶厚度测量，并已成功交付客户。

【 优睿谱SICE200设备 】：实现了对碳化硅等化合物半导体以及硅衬底和外延片晶圆的边缘缺陷检测，并已成功交付客户。

【 优睿谱SICD200设备 】：实现了对碳化硅衬底晶圆位错及微管缺陷检测，并已成功交付境外客户。