专栏名称: 低维 昂维
分享最前沿二维材料动态。
目录
相关文章推荐
最高人民检察院  ·  全国人大代表海国勇:以耕地保护“小切口” ... ·  2 天前  
Kevin在纽约  ·  Kevin在纽约的微博视频 ... ·  3 天前  
51好读  ›  专栏  ›  低维 昂维

西安交通大学Nano Lett.:基于铁电金属/铁电半导体结的非易失性存储器件

低维 昂维  · 公众号  ·  · 2025-02-08 12:16

正文

点击蓝字
关注我们
为了方便各位同学交流学习,解决讨论问题,我们建立了一些微信群,作为互助交流的平台。
加微信交流群方式:
1.添加编辑微信:13162018291;
2.告知:姓名-课题组-研究方向,由编辑审核后邀请至对应交流群(生长,物性,器件);
欢迎投稿欢迎课题组投递中文宣传稿,免费宣传成果,发布招聘广告,具体联系人:13162018291(微信同号)

成果介绍

铁电隧道结(FTJ)由于其低功耗和非易失性而成为后摩尔非易失存储器的有力候选者之一,其性能强烈依赖于铁电材料与金属电极之间的界面条件。近年来二维材料的发展为传统的FTJ系统带来了新的机遇,如兼具导电性与功能性的金属层。
有鉴于此,近日, 西安交通大学闵泰教授和李桃教授(共同通讯作者)等报道了利用铁电金属WTe2作为顶电极构建的WTe2/α-In2Se3/Au铁电半导体结。 范德华金属层的极化和半导体隧穿层的铁电性之间的相互作用诱导了器件新特性的出现,使其兼具了多电阻水平,低开关电压(<2 V)以及高开/关比(>105)。使用铁电金属作为铁电隧道结或铁电半导体结的电极为兼具低功耗和高密度的铁电存储器件提供了新的视角。

图文导读

图1. α-In 2 Se 3 和WTe 2 纳米薄片的结构和基本铁电性能

图2. WTe 2 /α-In 2 Se 3 异质结的拉曼和铁电性能。

图3. WTe 2 /α-In 2 Se 3 /Au FSJ器件。

图4. 额外器件和电输运结果。

图5. WTe 2 /α-In 2 Se 3 /Au FSJ器件中铁电极化及其多电阻水平的微观起源示意图。

文献信息

Nonvolatile Memory Device Based on the Ferroelectric Metal/Ferroelectric Semiconductor Junction

Nano Lett. , 2025, DOI:10.1021/acs.nanolett.4c05887)

文献链接:https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.4c05887








请到「今天看啥」查看全文