SK海力士表示，从2023年6月量产当前最高的上一代238层堆叠NAND Flash闪存，并供应于市场之后，现在又率先推出了超过300层堆栈的NAND Flash 存储器，突破了技术界限。SK海力士计划从2025年上半年起，开始向客户提供321层堆栈的产品，以此因应市场的需求。

SK 海力士强调，在此次产品开发过程中采用了高生产效率的 3-Plug 制程技术，克服了堆叠局限。该技术分三次进行通孔工艺，随后经过优化的后续工程，将3个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形的材料，并引进了通孔间自动排列（alignment）矫正技术。

另外，技术团队也将上一代238层堆叠NAND Flash闪存的开发平台，应用于321层堆叠的产品上，由此最大限度地减少了制程的变化。与上一代产品相比，其生产效率提升了59%。还有，此次321层堆叠的产品与上一代产品相比，数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%，并且数据读取能效也提高10%以上。SK海力士接下来将以321层堆叠NAND Flash 闪存，积极因应针对AI低功耗、高性能的新市场，并逐渐扩大其应用范围。

SK海力士NAND Flash闪存开发副社长崔正达表示，公司率先投入300层堆叠以上的NAND Flash闪存量产，在攻占用于AI数据中心的固态硬盘、边缘AI等针对AI的存储器市场方面占有有利地位。未来，公司将不仅在HBM为代表的DRAM，在NAND Flash 闪存领域也具备超高性能存储器产品组合，将跃升为全方位面向AI的存储器供应商。