GF、三星FD-SOI势力反扑　与台积电、英特尔各攻山头

台积电、英特尔(Intel)及GlobalFoundries(GF)各自发展22纳米制程技术，然GlobalFoundries为攻克大陆物联网、车联网市场，不走传统FinFET(Fin Field-Effect Transistor)技术，改攻FD-SOI(Fully Depleted Silicon On Insulator)技术，不但在成都砸下90亿美元成立FD-SOI技术12寸晶圆厂，更计划投资逾1亿美元在成都打造全球第一个包括研发中心的FD-SOI生态圈，全面开辟FD-SOI战场。

全球半导体大厂纷布局更先进制程技术，但多数客户考量成本，对于投资16/14/10/7纳米FinFET先进制程的接受度并不高，反而对于28纳米技术热度不坠。台积电看重此一趋势，除了投资10/7纳米FinFET先进制程，顺势推出22纳米制程，希望引导既有28纳米客户，转移到22纳米制程，不至于让28纳米露出疲态，借以巩固全球市占率，不让竞争对手有机可乘。

半导体业者认为，FD-SOI技术势力反扑，来自于大陆庞大的物联网商机，三星主打28纳米FD-SOI制程，客户已陆续浮上台面，三星日前宣布为恩智浦(NXP)代工系统单芯片(SoC)，在FD-SOI技术领域可说是一大里程碑，至于Sony传感器亦传出有机会采用FD-SOI制程。GlobalFoundries和三星电子(Samsung Electronics)的策略则是绕道而行，除了持续投资主流FinFET技术，与台积电、英特尔在7纳米制程一较长短，并另外开辟FD-SOI技术战场，由于看好FD-SOI技术具成本竞争力，同步扩大投资，让原本乏人问津的FD-SOI制程再度热络起来。

GlobalFoundries资深副总Alain Mutricy表示，除了投资90亿美元在成都打造年产能100万片的12寸厂，更计划在当地建立完全的FD-SOI技术生态圈，计划在6年内投资超过1亿美元成立相关研发中心，并与当地大学进行研究合作，进一步吸引其它半导体公司往成都靠拢，形成完整的产业部落。

GlobalFoundries透过与成都市政府合作，将在成都扶植数个IC设计公司，且招募超过500位的工程师团队，支持半导体和系统公司开发通信、网络5G、物联网、车联网等技术。GlobalFoundries的22纳米FD-SOI制程12寸厂将在2018年初完工，初期先投产主流CMOS产品，2019年开始量产22纳米FD-SOI制程，预计为四川创造9,000个直接工作机会。

GlobalFoundries客户之一的联发科表示，2010年在成都成立分公司，对于GlobalFoundries在成都打造FDX技术制造和设计卓越中心非常看好；另一客户瑞芯(Rockchip)执行长励民认为，GlobalFoundries打造的FDX生态系统，有助其在行动SoC市场更具竞争优势。

至于其它EDA供应商如益华计算机(Cadence)、新思科技(Synopsys)、Invecas、设计服务公司芯原(Verisilicon)、半导体材料商Soitec等，都有意加入GlobalFoundries打造的FDX生态系统。

半导体业者表示，物联网需求衍生出众多的中小型IC设计公司，由于无力负担昂贵的高阶制程技术费用，GlobalFoundries看准此一趋势，在大陆大打FD-SOI制程，与传统FinFET制程相较，减少光罩数、降低成本、更为省电，且更适合类比／混合讯号和RF，因市场区隔开来，互相竞争的机会较低。

另外，业界传出大陆一些本地的晶圆代工厂也有意加入FD-SOI阵营，因为往FinFET制程拚战10/7/5纳米，恐怕只是拚面子输赢，能不能做出来是一回事，客户是否愿意采用又是另一个课题，GlobalFoundries、三星力捧的FD-SOI技术，或许也是大陆晶圆代工厂另一个解药。

转自：Digitimes