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国际名家讲堂第三十一期|玩转AD和DA转换“芯”花样

半导体行业观察 · 公众号 · 半导体 · 2016-10-18 08:20

正文

系列国际名家讲堂之

第三十一期预告

2016年10月31日-11月2日

中国·南京

CMOS中的AD和DA转换器设计

主讲专家：

Michiel Steyaert

专家介绍：

比利时鲁汶大学教授、工程系主任

IEEE Fellow

主办单位：

工业和信息化部人才交流中心

比利时微电子研究中心（IMEC）

协办单位：

东南大学信息科学与工程学院

支持媒体：

半导体行业观察、 EETOP、麦姆斯咨询

一、组织安排

时间：2016年10月31日-11月2日（3天）

地点：南京上秦淮套房假日酒店（holiday inn）

地点：南京市江宁区秣周东路12号

日程安排：

“芯”想法

为加强学员间交流，促进产业间合作，中心将统一安排时间及地点，为报名学员创造讨论沟通机会。具体安排待讲座开始后另行通知。

“芯”解惑：

为促进对现有教育资源的利用，提高解决实际应用问题的能力，中心特为两家报名单位提供定制化答疑。两家单位答疑时间各为15分钟，需提供与讲座相关的案例及问题，由授课专家予以专业解答，并由中心监督，且全程保密。

有意单位需在 10月23日 前，按照以下示例将案例及问题发至邮箱：[email protected] 。发送邮件后，请致电中心。

邮件题目格式为： 第31期+“芯”解惑 。

邮件内容： 单位名称+姓名+联系方式+案例及问题

“芯”认证：

讲座结束后，将向学员颁发工业和信息化部人才交流中心和比利时微电子研究中心（IMEC）共同证书。

二、费用

报名费4800元/人（含专家费、场地费、资料费、讲座期间午餐）；参会者交通、食宿等费用自理。

请于2016年10月25日前将报名费汇至以下账户，并在汇款备注中注明款项信息（第31期+单位+参会人姓名）。

户名：工业和信息化部人才交流中心

开户行：中国工商银行北京公主坟支行

帐号：0200004609004626666

专家介绍

Michiel Steyaert

鲁汶大学工程系主任

IEEE Fellow

Michel S.J. Steyaert （IEEE-Fellow 2003）分别于1983年和1987年在鲁汶大学获得电气和机械工程的硕士学位和电子学博士学位。

1983年至1986年，他获得了 IWNOL Fellowship（比利时国家工业研究基金会），由此他得以加入鲁汶大学的ESAT实验室担任研究助理。 1987年，他作为IWONL 项目研究员，在ESAT实验室负责模拟微功耗电路领域的数个工业项目。 1988年，他在加州大学洛杉矶分校担任客座助理教授。 1989年，他被国家科学研究基金会（比利时）任命为研究助理，随后1992年评为高级研究员，并于1996年选任为鲁汶大学ESAT实验室的研究主管。 1989年到1996年之间，他兼任副教授。目前他是鲁汶大学的全职教授。2005年至2012年，他是电气工程学院的院长。目前，他是工程系的系主任。他目前的研究兴趣在于通信系统和模拟信号处理中的高性能和高频率的模拟集成电路。

Steyaert教授在国际期刊和论文集上发表或联合发表了500余篇论文。他还合作撰写了24本书籍。他获得了1990年和2001年的欧洲固态电路会议最佳论文奖。因在电信领域集成电路的创新性成就，他获得了1991年和2000年的NFWO Alcatel-Bell-Telephone奖。 Steyaert教授还收到了1995年和1997年IEEE-ISSCC的Evening Session Award，1999年IEEE Circuit and Systems Society Guillemin-Cauer Award。目前他是IEEE-Fellow。因其长久以来的杰出贡献，Steyaert教授于2003年评选为ISSCC 50周年的Top Contributors，并于2013年ISSCC 60周年再次评选为Top Contributors，他是唯一连续获此殊荣的欧洲研究者。

讲座大纲

摘要

结合高信号带宽，开发高数据速率的调制解调器，如高位精度的A / D转换器中的有线和无线系统成果。课程将研究高速Delta Sigma转换器设计中的不同设计权衡和问题。课程还将探讨导致不同的拓扑结构（如切换运算放大器技术）的不同问题，如架构选择、低压电源供应的要求，和导通电阻所得的高压开关。课程还将分析CMOS DA架构和非匹配行为。课程还将学习静态误差、布局设计问题、动态误差以及用来改善的电路技术。最后，课程将分析不同的来源及其对耦合效应、设计及布局的影响。课程将以实例呈现数字和模拟电路的噪声生成结构。这包括pinning strategy，衬底效应，键合线效应，以及实现高电源抑制比的电路技术。这些都和原理图及布局的匹配性密切相关。课程中将贯穿对包括布局设计方面考虑在内的匹配表现的分析。

1. DEEP SUBMICRON AND LOW VOLTAGE: TOWARDS SUB 1V ANALOG IC’S 深亚微米和低压：实现低于1V的模拟IC'S

2. Opamp Design Towards Max GBW 趋于最大GBW运算放大器设计

3. Oversampling A/D Converters (principles) 过采样A / D转换器（原理）

4. High Speed Delta Sigma ADC in CMOS Technology CMOS技术中的高速Delta Sigma ADC

5.Nanometer Delta Sigma Design 纳米Delta Sigma 设计

6. Low Voltage Delta Sigma Design 低压Delta Sigma 设计

7. Continuous Time Delta Sigma Design 连续时间Delta Sigma设计

8. High Speed AD converters (flash, folding, averaging,...) 高速AD转换器（并行、叠加、平均…）

国际名家讲堂第三十一期|玩转AD和DA转换“芯”花样

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