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关于HBM和存储周期的讨论

三思行研  · 公众号  ·  · 2024-11-14 22:35

主要观点总结

文章介绍了与TrendForce的HBM/存储专家的电话会议内容,包括HBM、DDR5和NAND的市场趋势、价格预测及与存储周期相关的观点。文章还包含了与TrendForce不同的五个观点,主要关于长鑫存储、三星的HBM3e产能转换、DDR5和NAND的价格假设以及海力士的产量提升。此外,文章还涉及对三星电子、SK海力士的目标价及风险的分析。

关键观点总结

关键观点1: HBM领域市场趋势及供应需求情况

SK海力士在HBM领域占据市场主导地位,HBM需求旺盛,但供应紧张。中国HBM进口可能受到美国禁令影响。价格预计在2024年四季度至2025年一季度回落,然后在2025年下半年趋于平稳。

关键观点2: DDR5的价格预测及市场趋势

由于三星(HBM产能转换)、渠道库存以及长鑫存储的影响,DDR5价格在2024年四季度至2025年一季度将回落,然后在2025年下半年趋于平稳。然而,由于服务器DRAM和高端移动DRAM需求增加和供应紧张,这一趋势可能存在例外。

关键观点3: NAND的市场趋势及价格预测

由于芯片制造商的资本支出、企业级需求和长江存储的影响,NAND价格在2024年四季度至2025年一季度可能下调,然后在二季度趋于平稳或复苏。总体持谨慎乐观态度。

关键观点4: 与TrendForce的不同观点

文章提出了与TrendForce不同的五个观点,包括长鑫存储的产量、三星的HBM3e产能转换、DDR5和NAND的价格假设以及海力士的产量提升等。

关键观点5: 三星电子和SK海力士的目标价及风险分析

文章对三星电子和SK海力士的价格目标进行了阐述,并分析了上行和下行风险。


正文



TrendForce的HBM/存储专家重点介绍

11月13日,我们与TrendForce的HBM/存储专家团队(包括Avril Wu女士)进行了电话会议。

Wu女士及其团队强调了几点:

1、在HBM领域, SK海力士显然占据市场主导地位,相对于三星电子(其重新设计的12层HBM3e预计将在2025年一季度或二季度推出,目前仅为8层)和美光科技(其TSV产能远小于海力士/三星),HBM需求旺盛(占2025年DRAM销售额的34%),但供应紧张(由于良率问题、洁净室空间有限),中国HBM进口可能受到美国禁令影响(三星在中国的销售敞口相对较大);

2、DDR5方面, 由于三星(HBM产能转换)、渠道库存(PC和智能手机OEM的库存高于正常水平)以及长鑫存储(积极扩张产能,包括LPDDR5)的影响,价格将在2024年四季度至2025年一季度回落,然后在2025年下半年趋于平稳(供应持续高企,无复苏迹象),但DDR4在2024年四季度至2025年一季度的价格下行压力相对更大;

3、NAND方面, 由于芯片制造商谨慎的资本支出、稳固的企业需求(企业级SSD)以及长江存储(因美国直接控制而不再积极扩张产能)影响有限,价格仅在2024年四季度至2025年一季度下调,然后在2025年二季度趋于平稳或复苏。总体而言,TrendForce持谨慎乐观态度,并指出了一些脱钩趋势(如HBM与DDR5/DDR4、海力士与三星、长鑫与长江存储、2025年下半年与2024年四季度至2025年一季度的对比)。


我们与TrendForce的五个不同观点

我们同意TrendForce关于存储周期(无深度衰退)、HBM(需求旺盛)、12层HBM(海力士市场主导地位与三星进展缓慢)以及2024年四季度至2025年一季度软化/调整期后2025年下半年ASP(平均销售价格)恢复的看法。

然而,我们提出了以下五个与TrendForce不同的观点:

1、长鑫存储 ——由于良率/质量问题(仍以LPDDR4为主),预期LPDDR5有意义产量还为时过早,且该公司2025年底的晶圆产能可能仅为每月20万片(TrendForce预测为30万片,考虑到美国对中国半导体的控制,这一预测似乎过高); 2、三星的HBM3e产能转换为DDR5 ——考虑到底层DRAM晶粒节点不再具有成本竞争力,这种转换不太可能发生;甚至用于旧版HBM3更为合适;

3、DDR5 ——考虑到服务器DRAM和高端移动DRAM(9GHz+)需求增加(受传统数据中心升级驱动)而供应紧张(产能转向HBM),2024年四季度至2025年一季度的价格下调可能很小(与我们的观点一致,即2025年下半年将恢复);

4、NAND ——考虑到新升级晶圆厂(特别是2025年下半年200+层NAND)的供应增加,我们对2024年四季度至2025年的ASP更为保守(每季度价格下调5%±,除2025年三季度季节性反弹外);

5、海力士 ——更早地提升16层HBM3(2025年二季度而非下半年)甚至HBM4的产量(2025年下半年和2026年获得中期收益)。总体而言,我们对DDR5/海力士的看法比TrendForce更为乐观,但对NAND价格假设相对保守。


目标价与风险

三星电子(SSNLF / SSNHZ)

我们的价格目标为70,000韩元,这是基于2025年预期市净率的1.2倍得出的。这一数值略低于2014年至2023年的历史平均水平1.4倍,以体现保守态度(考虑宏观风险和与海力士的竞争)。我们的分部加总估值(以半导体存储为中心,现金价值因未充分利用而打七折)和现金流折现估值(加权平均资本成本为9.5%)也显示出接近70,000韩元的公允价值。我们的全球存托凭证价格目标为1,300美元,是按1,346韩元/美元的汇率自动计算的。

上行风险主要与英伟达(HBM的新订单甚至2纳米节点代工)、传统存储器周期(价格大幅上涨)和股东回报(股息增加、股票回购)相关。

下行风险包括存储器价格下调、资本支出大幅增加和意外订单取消(如来自英伟达的订单)。


三星电子优先股(SSNNF)

我们的优先股价格目标为57,000韩元,这是基于相对于普通股19%的合理折扣得出的,因为优先股没有投票权。然而,两种股票的股息金额几乎相同,这使得优先股的收益率相对于普通股更高。2021年至2022年,优先股与普通股的折扣率约为10%,但截至2024年年中,这一折扣率已上升至接近20%(相对于普通股被低估)。


SK海力士(HXSCF)

我们的价格目标为300,000韩元,这是基于2025年预期每股账面价值的2.2倍得出的。这一数值高于2014年至2023年的历史平均水平(1.3倍),甚至高于之前的峰值(2017年至2018年的1.9倍)。我们认为,多个增长催化剂,包括HBM(市场份额超过50%,位居第一)、DDR5(潜在短缺)、基于企业级QLC NAND的SSD(同样位居第一),以及使用自由现金流偿还债务/增加股息,都可能支持重新评估(估值提升30%以上),同样呈现出约300,000韩元的公允价值。

使用现金流折现估值进行的交叉检查(加权平均资本成本为11%,长期营业利润率为70%)也支持这一观点。

下行风险包括:1)竞争对手积极供应HBM;2)在2023年第四季度至2024年第三季度上涨后,2025年下半年存储器芯片价格下调;3)美中紧张关系;4)资本支出大幅增加;5)1c节点DRAM和238层NAND的缓慢增产。

上行风险包括:1)HBM订单增加;2)存储器芯片价格持续上涨;3)三星电子使用1b/1c节点和200多层时的低良率;4)智能手机/个人电脑/服务器对芯片的需求增强;5)更有效的成本削减(制造、销售及管理费用)。








END






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