1、ISPSD的起源
为了满足日益发展的功率半导体器件和技术的需求，IEEE旗下多个技术学会在20世纪80年代中后期举办了多个专题讨论会。
1987年5月，国际电子电气工程师学会电化学学会（IEEE ECS，IEEE Electro Chemical Society）的电子分会（Electronics division）发起举办了“高压和智能功率器件论坛（Symposium on High Voltage and Smart Power Devices）”，论坛在宾夕法尼亚州费城（Philadelphia）举行。
1988年8月，日本电气工程师学会（IEE Japan）在日本东京举办了“国际功率半导体器件研讨会（International Symposium on Power Semiconductor Devices）”。这次会议通常被业界认为是ISPSD的首届会议。
1989年5月，国际电子电气工程师学会电化学学会（IEEE ECS）在宾夕法尼亚州雷丁（Reading）发起举办了“高压器件和智能功率集成电路（High Voltage & Smart Power ICs）”，会议得到国际电子电气工程师学会电子器件学会（IEEE EDS，IEEE Electron Devices Society）的支持。
1990年4月，国际电子电气工程师学会电子器件学会（IEEE EDS）与日本电气工程师学会（IEE Japan）在日本东京共同举办第二届ISPSD。本届ISPSD会议在标题中加入了“IC”，会议名称改为“国际功率半导体器件和集成电路研讨会（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）”。但是英文缩写没有改变，还是缩写为“ISPSD”。
这也表明功率半导体产品的挑战：将高压大功率器件与集成功率器件和IC相结合。
2、全球轮流举办让ISPSD更具全球化
1991年，第三届ISPSD在美国巴尔的摩举行，会议得到国际电子电气工程师学会电子器件学会（IEEE EDS）全力支持。
1994年，第六届ISPSD在瑞士达沃斯举行，这是ISPSD会议首次在欧洲举办。会议得到苏黎世联邦理工大学（ETH）、国际电子电气工程师学会电子器件学会（IEEE EDS）、日本电气工程师学会（IEE Japan）和欧洲电力电子学会（European Conf. on Power Electronics，EPE）的支持。
从1994年开始，ISPED在日本（亚洲地区）、美国（北美地区）和欧洲三地轮流主办，ISPSD成为全球最重要的功率半导体器件研讨会。
要注意的是，1999年ISPSD会议在加拿大多伦多举行；2007年ISPSD会议在韩国济州岛举行。
随着2010年以后“其他地区”提交的论文数量增加，ISPSD咨询委员会决定，2012年开始从美国、日本和欧洲以外的其他地区进行遴选，进行四年轮换制。于是2015年ISPSD会议在中国香港举行。
2019年ISPSD会议将在中国上海举办。这是30多年以来，ISPSD会议第一次在中国内地举办，标志着中国内地的功率半导体器件和集成电路的研究和产业化在国际上产生着越来越重要的影响。
3、ISPSD关注的重点领域
ISPSD关注的重点领域包括高压大功率分立器件、低压功率器件、集成功率器件（LV和HV）和IC、双极和MOS控制器件和技术、射频功率器件、非硅基器件、具有宽安全工作区的新型器件。
4、ISPSD技术委员会
从1988年至2004年，大会的程序委员会不分组审查所有提交的论文。
从2005年起设立了技术程序委员会（TPC），并分成“低压和射频（Low Voltage and RF）、高压（High Voltage）、集成功率（Integrated Power）”三个小组，分组审查论文。
2008年增加了宽禁带（Wide Bandgap）小组；2010年增加了模块和封装（Module & Package）小组；2016年宽禁带（Wide Bandgap）小组一分为二，分别是：氮化镓和其他氮化物（GaN and Other Nitrides）、碳化硅和其他（SiC and Other）。
经过多次调整，目前技术程序委员会（TPC）设有六个小组：
高压功率器件High Voltage Power Devices (HV)；
低压功率器件Low Voltage Devices and Power IC Device Technology (LVT)；
功率集成电路Power IC Design (ICD)；
氮化镓与氮化物器件GaN and Nitride Base Compound Materials (GaN)；
碳化硅和其他材料SiC and Other Materials (SiC)；
模块和封装工艺Module and Package Technologies (PK)。
本届技术程序委员会（TPC）共有61人，其中中国共有14位，占23%。香港科技大学陈敬（Kevin J. Chen）教授担任TPC主席。
其他13人分布在六个小组：罗小蓉（电子科技大学）、汤艺（Yi Tang，嘉兴斯达半导体副总经理）、张帅（Shuai (Simon) Zhang，台积电TSMC，原华虹宏力）；David Tsung-Yi Huang（瑞昱Richtek）；游步东（矽力杰首席技术官及首席运营官）、祝靖（东南大学）；蔡志强（Tom Tsai，台积电，氮化镓与氮化物器件小组主席）、刘扬（中山大学）、杨树（浙江大学）；黄智方（Chih-Fang Huang，台湾清华大学）、李传英（Chwan Ying Lee，瀚薪科技总经理）、李坤彦（Kung-Yen Lee，台湾大学）；赵振清（Zhenqing Zhao，台达电子上海）。
5、ISPSD的成就
第一是在一个会议中结合高压大功率器件和集成功率器件和IC。
第二是ISPSD作为国际功率半导体器件和IC首要会议的地位不可撼动。
第三是建立了一个国际功率半导体器件和IC相关领域专家社区，每年举行一次会议，交流该领域的理论、研究、应用和发展。
第四是通过提供最新研究、课程、研讨会和评论文章，提供定期论坛，促进国际功率半导体器件和IC的发展。
