ACS Appl. Mater. Interfaces：具有氧化铝顶栅电介质的柔性p型WSe2晶体管

成果介绍

WSe₂ FET由于其可调谐的极性，实现互补晶体管技术，并且通过材料转移适合柔性电子器件，因此在新兴电子器件中前景广阔。

有鉴于此，近日，德国亚琛工业大学Alwin Daus等展示了柔性p型WSe₂ FET，绝对漏极电流|I_D|高达7 μA/μm。本文利用金属-有机化学气相沉积在蓝宝石上生长的WSe₂，通过结合WSe₂和金属接触转移方法制造柔性顶栅FET来实现这一目标。尽管WSe₂晶粒尺寸适中，但与文献中大多数剥离的单晶WSe₂器件相比，本文的器件显示出相似或更高的|I_D|和I_D开/关比（~10⁵）。本文使用脉冲和偏置应力测量来分析器件中的电荷俘获。值得注意的是，在脉冲期间保持了高的|I_D|值，其中电荷俘获最小化。总的来说，本文展示了一种有利于柔性2D晶体管中高漏极电流的制造方法。

图文导读    

图1. 柔性WSe₂ FET的制备工艺。

图2. 柔性p型WSe₂器件。

图3. 偏置应力下的柔性TMD器件。

图4. 脉冲测试。

文献信息

Flexible p-Type WSe₂ Transistors with Alumina Top-Gate Dielectric

（ACS Appl. Mater. Interfaces, 2024, DOI:10.1021/acsami.4c13296）

文献链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.4c13296   

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