正文
定义：
IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式
功率半导体器件
。兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。能够根据工业装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等，以实现精准调控的目的。
分类：
IGBT模块主要分为五个模块，
单管模块的内部由若干个IGBT并联，以达到所需要的电流规格
，可以视为大电流规格的IGBT单管。
半桥（Half bridge）模块也称为2 in 1模块，可直接构成半桥电路，也可以用2个半桥模块构成全桥，3个半桥模块也构成三相桥。因此，半桥模块有时候也称为桥臂（Phase-Leg）模块。
全桥（Full bridge）模块也称为4 in 1模块，用于直接构成全桥电路；也可以用模块中的2个半桥电路并联构成电流规格大2倍的半桥模块，即将分别将G1和G3、G2和G4、E1和E3、E2和E4、E1C2和E3短接。
三相桥模块也称为6 in 1模块，用于直接构成三相桥电路，也可以将模块中的3个半桥电路并联构成电流规格大3倍的半桥模块。三相桥常用的领域是变频器和三相UPS、三相逆变器
，不同的应用对IGBT的要求有所不同，故制造商习惯上会推出以实际应用为产品名称的三相桥模块，
欧美厂商
一般将包含下图所示的7 in 1模块称为CBI模块（Converte
r-Brake-Inverter Module，整流-刹车-逆变）模块，日系厂商则习惯称其为PIM模块。
工作原理：
IGBT有三个端子（集电极、发射极和栅极）都附有金属层。然而，栅极端子上的金属材料具有二氧化硅层。IGBT结构是一个四层半导体器件。四层器件是通过组合PNP和NPN晶体管来实现的，它们构成了PNPN排列。
当加在IGBT的栅极上的控制信号为高电平时，栅极与源极之间的耦合电容充电，导致栅极驱动电路通电。
这时，栅极电压高于临界电压，使得栅极P-N结反偏，进而阻断P型区中的电流流动。
此时，N型区的电子与P型区的空穴通过P-N结转移到P型区，使得整个芯片中断了。
这种工作状态称为关闭
状态。
当控制信号变为低电平时，栅极与源极之间的电容开始放电，导致栅极电压降低。
当栅极电压降低到临界电压以下时，栅极P-N结反向击穿，来自上方的N型电子开始向下注入P型区。
P型区中的电流开始流动，并扩散到N型区。
同时，从下方的N+区电子也开始向上注入P型区，形成电子空穴对，加快载流子的复合。
由于电流流动方向相同，并且P型区增多，电流放大效应逐渐体现。
这种工作状态称为导通状
态。
封装结构：
常见IGBT器件封装内部结构包括芯片、陶瓷覆铜板（DBC板）、散热底板、电极端子、键合线、硅凝胶、PCB、外壳等部分组成。IGBT器件封装内部结构示意图和实物图如下：
IGBT器件的工作电压为600～6500V，工作电流为50～3600A，根据不同的应用需求选用不同电压、电流的IGBT芯片及二极管芯片，根据电路拓扑设计相应的DBC板、外壳、电极端子。通过芯片焊接、键合、子单元焊接、外壳安装、硅凝胶灌封、电极折弯和测试等工序，实现 IGBT 器件的封装、测试，具体封装工艺流程如下图所示：
IBGT例行实验：
为了确保器件性能及可靠性，要对功率模块进行测试试验，包括：HTRB、静态测试、动态测试、平面度测试和绝缘局部放电测试等。主要的测试参数如下：
应用领域：
电动控制系统 大功率直流/交流(DC/AC)逆变后驱动汽车电机，
车载空调控制系统 小功率直流/交流(DC/AC)逆变
，
使用电流较小的IGBT和FRD
；
充电桩 智能充电桩中IGBT模块被作为开关元件使用等。
