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以下是近期的一些新材料技术汇总，如果您有技术方案或者需求需要发布和合作，请联系我们：0755-8605 9474（黄小姐）
本项目的重点是高质量石墨烯粉体的中试化生产线搭建及放大制备工艺，整个技术路线及工艺流程包括以下几个部分：（1）高质量薄层石墨烯及复合体系的放大制备工艺摸索与优化；（2）高质量薄层石墨烯的中试生产线的设计、加工、搭建和调制，其中生产流程包括：自动进料插层、液相化学解理、自动清洗和干燥流程；（3）石墨烯产品包括粉末和浆料的研制和应用的开发。
本项目采用的气液相混合解理放大制备技术，不同于传统的氧化还原技术和高温微波解理插层技术，整个制备过程中，几乎没有氧化、低缺陷，使石墨最大程度的保持了层间结构的完整性；并且由于解理作用缓慢，使获得的石墨烯层数较薄。同时，在深入理解石墨烯制备机理的基础上，依据新的制备技术，开发设计一套10吨量级/年生产高质量薄层石墨烯的中试线，此设备具有自动化操作，制备石墨烯性能稳定，具有低成本优势，可以使得石墨烯在超级电容器和锂离子电池领域进行的应用。
在高密度封装集成的电子器件及功率电子中，散热往往是其瓶颈技术。
本项目开发的相变合金具有极强界面缝隙填充能力和高热导率，从而具有极低的热阻，大大提高热传递能力；
开发的石墨烯膜则具有超高热导率、非常优良导热和散热能力，面热导率是铜的3倍，纵向具良好绝热性，密度只有铜的1/10；
开发的导热胶，不仅具有高热导率而且具有良好的粘结性；
本项目材料可以用在手机、笔记本电脑、平板电脑、IC、LED、IGBT、激光器等产品散热中。
埋入式电阻技术与埋入式电容类似是将部分表面贴装电阻元件内置于PCB基板内部并实现电子系统的小型化的一种解决方案，它具有可靠性高、稳定性好、成本低、电阻值灵活等优点已经被广泛地应用于通讯、植入式医疗等小型化电子产品中。目前开发团队针对市场需求已经开发了一系列埋阻产品，方阻在10-200欧/平方。
目前，触摸屏，太阳能电池和LED所使用的透明导电电极材料主要是铟锡氧化物(ITO)，这种材料具有良好的可见光透过性和导电性，但存在脆性大，工艺复杂，成本高等缺陷。
本项技术主要涉及金属银纳米线的制备及其应用的研究和开发——采用简单的液相化学法制备Ag纳米线，在柔性透明导电领域具备显著优势。以下为研发团队所制备的金属Ag纳米线相关技术参数：
金属Ag纳米线规格参数
序号 | 平均直径(nm) | 平均长度(μm) | 轴径比 | 纯度 |
(a) | 35 | 15 | 428 | >99% |
(b)
| 45 | 20 | 444 | >99% |
(c) | 55 | 20 | 364 | >99% |
(d) | 65 | 15 | 230 | >99% |
(e) | 75 | 15 | 200 | >99% |
(f) | 85 | 40 | 470 | >99% |
(g) | 100 | 20 | 200
| >99% |
(h) | 250 | 60 | 240 | >99%
|
本产品采用先进工艺生产，完全采用自主设计的生产设备以及国产原材料，对国外的设备和原材料没有依赖性，具有独立知识产权，实现了100nm-1000nm球形二氧化硅的中试，通过选择表面修饰剂的种类，对球形二氧化硅的表面进行修饰和改性，具有高纯度、高球形度、单分散特性，在电子封装材料、超薄基板材料、涂料、消光剂、光亮剂等领域有广泛的应用。产品特点：尺寸单一可控，表面功能化。
铜铁合金/ Copper Ferro Alloy（CFA）具有非常优秀的特性，因而引起了世界上很多关注和研究。研发至今，制造领域内制造出有价值的铜铁合金仍然非常困难。主要是因为铜和铁的特性差异大，铁含量为2.5%以下的易固溶化，从而生成合金；而含量为3%以上的，不发生固溶化，但发生偏析生成的合金却很难使用。以前，利用各种金属、合金、树脂等材料组合才能得到所需特性，但是，现在CFA单独的一种材料就具有多种特性。为了提高电磁波遮蔽效果，其代价太高；产品需要弹性，磨耗太高；有些产品具有导电性，但无坚韧性。
为了更好地解决以上种种问题，团队运用新开发的冶炼技术，实现了铜和铁合金的产品化。目前，本技术有13项专利申请准备完毕，已通过中试，进入生试阶段，可以量产。
本产品具有以下优势：
1、与其它铜合金的不同之处有两点：一是具有吸收电波的功能，二是电磁波屏蔽效果；
2、铜铁合金的强度和导电率都很高，比原有的铜合金导电率高；
3、与铬铜合金相比，铜铁合金的耐磨性很高；
4、铜铁合金可以让不锈钢和铜任意比例结合，开发成功的CSA合金，具有不锈钢的耐腐蚀性和铜的特性（热传导、导电率、抗菌）以及电磁波的屏蔽和吸收效果；
5、比一般的金属热传导性高，较强的硬度，适用于制作模具；
6、使用过程中不产生静电与噪音，而且还防止产生火花；
7、因为合金原料为铜和铁，所以在回收利用时不存在有害物质；铜铁的地下储存量很大，不用为原料不足而担心；
8、不受ROHS规定的限制（EEE中有害物质使用的限制-Restrictionof the use of Hazardous Substances in EEE ）；
9、根据实验结果，铜铁合金属于CNT和石墨烯最合适的基本原材。
该产品可用于100μm 以上薄晶圆的固定、减薄、蚀刻、钝化、电镀、回流焊等背面工艺。胶粘剂固化时间短，粘结强度高并且粘结层厚度均匀，胶层厚度变化率小于5%，键合体系可在230℃以下进行热滑移拆键合。
本项目主要开发面向三维硅通孔工艺的光敏型聚合物绝缘层材料以取代传统高成本、低可靠性的氧化硅工艺。光敏型硅通孔聚合物绝缘材料主要通过旋涂或者喷涂的工艺在硅通孔内部制备保形涂层，同时通过曝光显影实现通孔底部胶层的图案化和满足信号从正面到背面的导通，最后采用低温固化工艺完成绝缘层的制备。
目前高分子材料的生产加工方法主要有模压成型、挤出成型、注射成型、吹塑成型，但国内的这些方法在成型复杂形状的制件以及大型制件的过程中还存在着成型效率低、成型质量稳定性差、材料浪费严重、气孔率高等问题，因此超过一半的产品依赖于国外进口。等静压成型技术相比于其他成型工艺具有成型产品各项同性、质量高、力学性能好、可实现一次近净成型等优点，且由于其高压加工成型特性，可降低成型温度及减少添加剂的用量，一次近净成型出大型、异形制件。高分子材料的等静压成型多见于实验研究，在实际的应用中还较少，主要是因为压力的产生需要特殊的装置。
利用温等静压成型方法压制的超高分子量聚乙烯粉末（分子量为120万）产品经机械加工后无任何肉眼可见的气泡。经检测，样品密度达到0.961g/cm3，相比于传统的加工方法略高。样品的屈服强度达到34.8MPa，缺口冲击韧度达到152.30 kJ/m²；DSC测试结果表明温等静压成型产品熔点为143.1°C，结晶度达到69.15%；这四项数据与国内制品相比分别提高了40.3%, 313.5%, 7.4%, 21.8%。等静压成型高分子产品与传统注塑、挤出等工艺相比具有各向同性好、密度大、结晶度高、力学性能好等优点。此外，该成型方式可极大地减少添加剂的用量，有利于成型大型、异形高分子制件。
倒装芯片是一种芯片互连与粘结技术，目前已应用于高端电子器件和高密度集成电路封装领域。它可以有效地缩短互连通路、增加I/O接点数目以及缩小芯片尺寸，实现封装的轻薄微型化，代表着芯片封装技术及高密度封装的最终方向。底部填充材料作为倒装芯片封装的关键材料，可以分散芯片表面承载的应力，同时缓解芯片、焊料和基板三者热膨胀系数不匹配产生的内应力问题。
应用市场:
高密度倒装芯片底部填充胶
晶圆级封装底部填充胶
塑封填充胶
可返修底部填充胶
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