SSD尤其是NVMe SSD在数据中心的应用越来越广泛，但距离“全闪存数据中心”仍还有一段路程，这一方面与SSD的成本相关，尽管SSD的每IOPS成本已经远超传统的机械磁盘，但在每GB成本上仍有提升空间。
而另一方面则在于要实现全闪存数据中心，需要其他的软硬件产品更新换代才能更好地发挥出（NVMe）SSD的性能优势，例如网络需要提供更高的性能：
上图分别列出了目前数据中心主流10GbE和未来100GbE网络分别使用iSCSI和NVMeoF（NVMe over Fabrics）下的8K随机读性能（均使用4片NVMe SSD）
从上图可以看到，使用100GbE网络辅助NVMeoF，能够达到最高近120万IOPS，但这也仅仅相当于
3片Intel DC P4600 SSD的性能
之和。网络已经成为新的瓶颈，阻碍高性能NVMe SSD在数据中心正常发挥。
而站在用户的角度而言，除了特定行业（如互联网、金融与电信运营商等拥有大型数据中心的用户）的特定应用之外，也少有用户单一系统需要数百万乃至上千万的IOPS性能。就绝大多数用户的应用场景而言，提供数万或者数十万IOPS性能的存储子系统就能满足应用所需。
现有硬件兴许无法完全发挥全闪存配置存储的性能，抑或用户也无需如此高性能，但相比于磁盘存储，全闪存配置仍具备强大的优势。比如在较少SSD的配置下就能提供数万乃至数十万的性能，完全基于磁盘的存储并非不能达到，一则架构复杂，二则成本很难接受。
全闪存配置的另一个优势在于能够提供很低的延迟，大幅提升应用的响应速度。闪存也是推动软件定义存储（Software Defined Storage，SDS）以及超融合架构（Hyper-Converged Infrastructure，HCI）在市场普及的最大“功臣”。最初在每GB成本较高时，作为缓存为磁盘加速；当闪存的每GB成本逐渐下降之后，全闪存配置也就水到渠成。
例如在VMware推出的vSAN就绪节点（ReadyNode）中，就有专门的全闪存节点配置，官方公布最高可达8万IOPS。基本能够满足大多数应用的性能需求，可用于替代企业数据中心内的中端磁盘存储。
VMware vSAN ReadyNode节点配置中AF-8系列全闪存配置性能最高可到8万IOPS。VMware提供全闪存和混合闪存（SSD与SSD）两类配置：AF（All-Flash）为全闪存配置，HY（Hybrid）为混合配置。根据性能的不同，其又分为多个系列（如上图中的AF-4、AF-6等），每个系列下都有多个供应商提供了多种硬件配置可供选择
vSAN就绪节点全闪存配置下AF-8系列中，Intel提供的配置选择（部分）。缓存层使用DC P4800X（Optane）SSD，DC P4800X拥有更好的写性能（可达50/55万IOPS），写延迟更低（10微秒），且拥有更好的耐写等级，写寿命更长；数据实际存储在容量成本更好的DC P4500或者DC S4500上，前者为NVMe SSD，具有更低的延迟；后者为SATA SSD，容量成本更低
目前主流的分布式存储大多采用10GbE网络连接，vSAN就绪节点中也推荐使用10GbE网络，采用标准iSCSI连接。从硬件配置上分析，全闪存配置vSAN的瓶颈主要集中在网络之上，VMware也正致力于改善网络性能，未来有望将RDMA（即RoCE）技术引入到vSAN之中，有助于其性能提高。
