中科院AEM：用于高效稳定钙钛矿/TOPCon串联太阳能电池的氧化硅电子选择性钝化接触的斜角无损伤蒸发

倒置钙钛矿太阳能电池 （IPSC） 在有缺陷的钙钛矿/C 60 界面处遭受显着的非辐射复合损耗，限制了钙钛矿/硅串联太阳能电池的效率和稳定性。尽管氧化硅 （SiO X ） 是硅工业中常见的钝化材料，其电子选择性高于传统的原子层沉积氧化铝，但其在 IPSC 中的应用受到其在加工过程中容易损坏敏感钙钛矿的限制。

在这里， 中科院宁波材料所Zhiqin Ying，Xi Yang和Jichun Ye等人 开发了一种斜角蒸发方法，以沉积保形的超薄 SiO X 层，而不会损坏下面的钙钛矿。这种 SiO X 中间层不仅可以化学钝化配位不足的 Pb 2+ 缺陷，还可以形成 n/n+ 同结，提供有效的场效应钝化，同时减少复合并增强电子选择性。因此，将这一策略扩展到双端单片钙钛矿/隧道氧化物钝化接触硅串联太阳能电池，可实现 30.2% 的稳定功率转换效率，是此类串联电池报道的最高效率之一。

更重要的是，SiO X 的稳健无机特性使其能够用作致密的内部封装，增强光 （ISOS-L-1） 和热 （ISOS-D-2I） 器件的稳定性。

X. Guo, Z. Ying, X. Li, M. Zhang, S. Su, J. Zheng, H. Du, Y. Sun, J. Wu, L. Liu, Y. Zeng, X. Yang, J. Ye, Oblique-Angle Damage-Free Evaporation of Silicon Oxide Electron-Selective Passivation Contacts for Efficient and Stable Perovskite and Perovskite/TOPCon Tandem Solar Cells. Adv. Energy Mater. 2024, 2403021.