仅次于光刻！国家电投：半导体重大突破！氢离子注入机交付！

正文

我国半导体技术取得重大突破

9月 11日【芯榜】消息，国家电投所属国电投核力创芯（无锡）科技有限公司（以下简称“核力创芯”）暨国家原子能机构核技术（功率芯片质子辐照）研发中心，完成首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付。

氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节，在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用。

氢离子注入关键技术要点：产生氢离子束--注入氢离子--形成氦气泡与剥离

1、精确控制：氢离子注入的剂量、能量和深度需精确控制，以确保达到预期的材料改性效果。

2、真空环境：注入过程通常在高真空环境下进行，以避免杂质污染和减少离子散射。

3、材料兼容性：氢离子注入技术适用于多种材料，包括半导体材料、金属、陶瓷等，但具体效果可能因材料而异。

4、后续处理：注入后可能需要进行退火等后续处理，以消除注入过程中产生的缺陷并稳定材料性能。

技术壁垒的突破与国产化的里程碑

国家电投旗下的核力创芯科技有限公司成功完成了首批氢离子注入性能优化芯片产品的客户交付，这一成就标志着我国在半导体制造领域取得了重大技术突破。

氢离子注入作为半导体晶圆制造中仅次于光刻的关键环节，其核心技术及装备工艺的掌握对于提升我国半导体产业的整体水平至关重要。

长期以来，该领域的技术及装备被国外垄断，严重制约了我国半导体产业的高端化发展。核力创芯的技术突破，不仅打破了这一僵局，更补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环，为半导体离子注入设备和工艺的全面国产替代奠定了坚实基础。

▲工程师进行晶圆离子注入生产

自主创新的力量

核力创芯在面临外国关键技术及装备封锁的严峻挑战下，坚持自力更生、自主创新的道路，用不到三年的时间，突破了多项关键技术壁垒，实现了100%自主技术和100%装备国产化。这一成就不仅彰显了我国科技工作者的智慧和勇气，也为我国半导体产业的自主发展树立了新的标杆。

首批交付的芯片产品经过严格的工艺及可靠性测试验证，主要技术指标达到国际先进水平，获得了用户的高度评价。展望未来，随着核力创芯等企业的持续创新和发展，我国半导体产业有望实现更加快速和高质量的发展，为全球半导体产业的格局带来深远影响。

关于国家电投

国家电投，全称国家电力投资集团有限公司，是中央直接管理的特大型国有重要骨干企业，成立于2015年5月29日。该公司由中国电力投资集团公司与国家核电技术有限公司合并重组而成，肩负着保障国家能源安全的重要使命。国家电投总资产规模庞大，发电品类齐全，是我国第一家拥有光伏发电、风电、核电、水电、煤电、气电、生物质发电等全部发电类型的能源企业。其清洁能源装机占比高，致力于绿色低碳发展，已成为全球最大的光伏发电、新能源发电、清洁能源发电企业之一。此外，国家电投还积极承担科技创新责任，推动煤电联营、水光互补等产业融合模式，为全球清洁能源发展贡献力量。

击卡片关注，星标🌟芯榜、车榜

知芯片事、答天下问

辛苦点点“在看”