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2019年1月17日，
星
期四
地点：深圳基本半导
体有限公
司（深圳市南山区高新区南区南环路29号留学生创业大厦二期22楼）
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09:00-12:00
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CASA标准化委员会管理委员会第三次会议
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13:30-17:00
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氮化镓HEMT测试标准讨论会
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2019年1月18日，星期五
地点：
兰廷酒店深圳北站店17层多功能厅
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09:00-09:05
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介绍会议背景及与会人员
主持人：王新强
北京大学教授，青委会共同主任
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09:05-09:15
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领导致辞
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09:15-09:20
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联盟校企联合人才培养项目启动仪式
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09:20-09:25
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龙华区“卓越创新青年计划”科技人才评选项目启动仪式
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09:25-09:40
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龙华区人才政策讲解
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09:40-09:55
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深圳第三代半导体研究院研究规划
张国旗 深圳第三代半导体研究院副院长
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09:55-10:15
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碳化硅技术进展及路线分析
盛 况 浙江大学教授，青委会共同主任
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10:15-10:35
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Micro-LED 显示应用的核心技术挑战与产业化机会
闫春辉 深圳第三代半导体研究院首席科学家
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10:35-10:45
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茶歇
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10:45-11:05
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氮化镓与氧化镓电力电子器件研究进展
张进成 西安电子科技大学教授，博士生导师，宽带隙半导体技术国防重点学科实验室副主任
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11:05-11:25
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基于金
刚石的微波
功率器件近结散热技术
孔月婵 中国电子科技集团第五十五研究所研究员，博士生导师，微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室副主任
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11:25-11:45
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碳化硅MOSFET应用中失效机理与可靠性分析
刘学超 香港应用科技研究院有限公司高级经理
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11:45-12:00
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第三代半导体专利现状及战略布局
汪 勇 北京华创智道知识产权咨询服务有限公司CEO，北京第三代半导体产业技术创新战略联盟专利委员会副主任
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12:00-12:05
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合影
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午餐
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分会一：氮化镓主题讨论
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主持人：
王新强 北京大学教授，青委会共同主任
张进成 西安电子科技大学教授，博士生导师，宽带隙半导体技术国防重点学科实验室副主任
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13:00-13:20
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GaN基LED的载流子动力学及效率表征
汪 莱 清华大学电子工程系教研系副教授，特别研究员
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13:20-13:40
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氮化镓基半导体发光与紫外探测器件研究
刘 斌 南京大学教授，博士生导师
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13:40-14:00
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硅基GaN功率电子器件研究
孙 钱 中国科学院苏州纳米所研究员、器件部副主任
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14:00-14:20
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高可靠氮化镓基绝缘栅功率器件
黄 森 中国科学院微电子研究所研究员
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14:20-14:40
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GaN电力电子材料中的杂质和缺陷研究
杨学林 北京大学宽禁带半导体研究中心高级工程师
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14:40-15:00
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氮化镓同质集成器件探索
刘召军 南方科技大学Tenu
re-track助理教授、副教授、博士生导师
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15:00-15:20
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茶歇
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15:20-16:30
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互动讨论
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分会二：碳化硅主题讨论
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