今年以来，芯片制造无疑引起了许多人的兴趣，更有相当多的人在问：造芯片真的那么难吗？
造芯片到底是难还是不难？这个问题比较复杂，涉及的因素很多，很难用一两句话讲清楚。不过，这并不妨碍我们从技术上了解“造芯片到底是怎么回事”。尽管现在已经有很多介绍芯片制造的文章，但许多都是大而化之，看完仍然一头雾水，有几个问题一直得不到解决。最近我仔细读了点芯片制造相关的资料，终于找到了这几个问题的答案。
这张照片相信大家都不陌生，它展示的是晶圆，也就是芯片制造的基础原料。各种资料都介绍说，把晶圆切割，经过光刻加工，最后得到芯片。
但是等一等，仔细想想我们见过的芯片成品，几乎都是方形的，很少有圆形的。那么，为何要把圆形的晶圆切割成一个个方形？把晶圆做成方形的，不是能减少边边角角的浪费吗（尽管这样一来，它就不能再叫晶“圆”）？
芯片制造的晶圆，主要成分是硅，所以也称为“硅晶圆”。这里说的“主要成分”，指的是硅的含量达到极高的比例，比如“十一个九”，也就是99.999999999%。二氧化硅与焦炭混合加热，可以得到纯度为98%左右的粗硅，再经过盐酸氯化和蒸馏，就可以得到高纯度的多晶硅。
注意，这个时候得到的还只是多晶硅，它的晶体框架结构是无序的。多晶硅可以用于光伏产业（太阳能发电），但不能用于芯片制造。原因在于，芯片制造需要稳定的晶体框架结构，每个部分的电学特性都必须相同，然后才方便加工。所以，还需要有办法把多晶硅转换为单晶硅。目前，半导体行业常用的办法是柴可拉斯基法（Czochralski process）。
按照柴可拉斯基法，先在坩锅中把多晶硅加热到熔融状态，然后加入“晶种”（通常是一小块单晶硅），此时晶体就会“生长”，硅元素不断附着于晶种，得到越来越大的单晶硅晶体，也就是“晶棒”。不断旋转晶棒并向上提拉，同时坩锅以反方向旋转——当然，坩锅转速、晶棒转速、提拉速度、坩锅温度都需要极为精确的控制，最后就可以得到一根较大的、圆柱体形状的纯净的硅晶棒。
上图：柴可拉斯基法加工过程。下图：晶棒成品（左端为晶种）。来源：维基百科
把这根晶棒按横截面切成薄片，就得到了晶圆。因此
，晶圆就是圆形的。
有不少文章都提到了，最新的ASML光刻机采用EUV（Extreme Ultraviolet，极紫外线）对晶圆进行光刻，原理类似幻灯片投影，台积电就是借助这种工艺完成了7nm甚至5nm芯片的生产。而Intel棋差一步，仍然停留在DUV（Deep Ultravi，深紫外线）的工艺，所以迟迟不能挺进10nm芯片的生产。
那么，EUV难在哪里，为何强如Intel也不得其门而入呢？
实话说，我不知道为什么Intel没有攻克，但了解EUV的工艺之后，我必须承认这真的很难。
EUV，也就是“极紫外线”，波长为13.5纳米（可见光中波长最短的紫光，波长约为380-450纳米）。要发出这种光线，比较好的办法是借助等离子体（Plasma，也叫“电浆”）——一种气态的熔融金属。在2000年前后，业界比较看好的是采用放电等离子体光源。不过，最后圣迭戈的Cymer公司的办法胜出，也就是采用二氧化碳激光照射直径为30微米的锡颗粒。2007年的时候，Cymer的光源还只能提供30瓦的不稳定功率，但到了2014年，已经可以稳定输出250瓦的功率，这样基于EUV的大规模生产制造才具备可行性。不过早在2012年，光刻机生产商ASML就已经收购了Cymer。
如今，在ASML光刻机内部，先把极高纯度的金属锡加热到熔化，再将其喷到真空之中。喷出的锡看起来好像一条线，其实是高速移动的，直径为30微米的锡珠（滴），产生的速度是每秒钟5万颗。
然后，先用激光照射这些锡珠
（滴）
，使其变为粉饼状，产生更大的表面积。再以高功率的二氧化碳激光照射这些粉饼，这样，就得到了高热
等离子体
，放射出极紫外线。
要补充的是，这个过程中，小的锡珠（滴）也可能组合成大的碎片，所以必须及时用高压氢气将它吹除，否则它可能会凝固，影响生产。
虽然光刻机由ASML提供，但ASML更像方案集成商，并不会包打天下。比如极紫外线光源，ASML自己负责提供喷出锡珠（滴）的设备，整体方案来自位于德国Ditzingen的TRUMPF公司，它也是这一领域的唯一供应商。该公司的方案
能持续产生40千瓦功率的二氧化碳激光，最终得到200瓦的极紫外线用于真正的
光刻
，但整套系统的功率高达1000千瓦，其中大部分都用于散热。
极紫外线的产生过程（片段）。来源：TRUMPF官网
在2017年的一次采访中，在TRUMPF担任CTO的Peter Leibinger说：“如果我们失败了，摩尔定律也就失效了。当然，离开了TRUMPF世界仍然会转，但是没有它，芯片行业就要停摆。”
TRUMPF的CTO，Peter Leibinger，身后就是产生极紫外光的设备。来源：TRUMPF官网
回头来说ASML，到目前虽然得到了极紫外线，但它是向四周散射的，还必须又办法把它们收集汇聚到一起，才可以对晶圆进行
光刻
。要汇聚光线，改变光线的方向，大家通常想到的就是各种镜片。但是，这些装置对可见光有效，但是对极紫外线无效。极紫外线只能在真空传播，而且无法被镜头聚焦。要控制极紫外光，只能借助于布拉格反射器。
布拉格反射器，全称是Distributed Bragg Reflector（分布式布拉格反射器），也简写做DBR，是由多层反射介质（也称为“反射单元”）构成的设备（注意，这里的“布拉格(Bragg)”与捷克首都“布拉格(Prague)”不是同一个单词）。
它的原理其实并不复杂，光线在经过特殊设计的反射介质时，如果其波长恰好为1/4波长，那么介质的两面反射光恰好相差1/2波长，则发生相消干涉，实际上增强了反射光。通过设计不同反射介质的组合，可以单独加强针对某一波段的光线的反射率。如果介质的层数很多，而且反射波长变化很小，那么对一个连续波段都有很强反射效果。照相机上的镀膜也是应用这种原理，减少某个特定波长的反射量，让更多光线抵达照相机的感光元件。
ASML光刻机中的布拉格反射器采用硅和钼作为主要原料，有超过40层介质层，每层的厚度只有不到4纳米（因为极紫外线的波长为13.5纳米）。通过精确控制介质的厚度和组合，原本四散射出的极紫外线就可以集合起来，汇聚为一束强的光线用于生产。
用布拉格反射器聚合极紫外线的示意图。来源：ASML
前面说过，ASML更像方案集成商，控制极紫外线的光学元件都来自蔡司半导体（Zeiss SMT）。Zeiss SMT的工艺堪称一绝，精度控制让人叹为观止。打个粗略的比方，虽然反射器的直径只有30厘米左右，但如果把它整体放大到整个云南省那么大，最厚的介质层也只有1毫米那么厚。可以说，这是宇宙中最平滑的表面。
为了安装这样精密的设备，对空气洁净度的要求也是极高的。在美国航空航天署组装詹姆斯·韦伯太空望远镜的无尘房间，其清洁度达到了CleanRoom ISO 7，也就是每立方米的空气中，大于0.5微米的微粒数量不得超过35.2万个。但是，ASML厂房的清洁度必须达到ISO 1，也就是说，每立方米空气中，小于0.1微米的微粒数量不得大于10个（大于该尺寸的微粒不得存在）。
不同级别的CleanRoom标准。来源：维基百科
ASML的光刻机在装配过程中。来源：ASML
相比之下，普通人生活的正常环境，其“污染指数”是ISO 1的500万倍（注意：这个标准与我们日常说的PM2.5有所不同，PM2.5指数关心的是每立方米空气中微粒的总重量，而CleanRoom指数关心的是每立方米空气中微粒的数量）。
