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高通骁龙670是为压制联发科P60而生

柏颖漫谈  · 公众号  ·  · 2018-08-12 08:56

正文

高通去年发布的骁龙660广受中国手机企业欢迎,不过今年联发科的P60凭借更高的性价比优势对骁龙660形成挑,高通随后发布的骁龙710成功压制联发科的P60,近期高通再发布一款骁龙670,骁龙670似乎是骁龙710的降频版,或许高通意图以骁龙670与联发科P60狠打价格战吧。



性能对比

据高通发布的骁龙660、骁龙670、骁龙710的详细参数图,骁龙670和骁龙710相较骁龙660主要的升级就是大小核分别升级为ARM去年发布的新核心A75、A55修改版,这似乎也体现出高通在研发自主核心方面逐渐跟不上进度,转而开始选择采用ARM的核心进行修改。



据geekbench4的测试,高性能核心A75较上一代的A73提升了34%的性能;功耗核心A55则较上一代的A53提升了21%的性能、功耗降低了15%,显示出A75和A55的表现是相当优秀的。

从图表中可以看出,骁龙670、骁龙710均是双核A75修改版+六核A55修改版,同样采用10nm工艺生产,主要的区别在于骁龙670的A75修改版核心的主频最高为2.0GHz,骁龙710的双核A75修改版主频则为2.2GHz;此外在GPU和基带方面也有差异,骁龙670为Adreno615 GPU,基带最高支持LTE Cat15下行(最高支持600Mbps下行);骁龙710则为Adreno616,基带最高支持LTE Cat15下行(最高支持800Mbps下行)。

据geekbench4的测试,骁龙660、骁龙710的单核性能分别为1630分、1851分,差距为13.5%,估计骁龙670的性能略低于骁龙710,不过应该达不到高通宣传的骁龙670较骁龙660强15%的水平。

联发科的P60为四核A73+四核A53架构,采用12nmFinFET工艺生产,据geekbench的数据其单核性能为1524分,甚至不如骁龙660,不过在多核性能方面方面则要较骁龙710还要稍高一些,毕竟它有四个高性能核心,而骁龙670和骁龙710仅有两个高性能核心。在基带技术方面,联发科P60仅支持LTE Cat7技术,这个相较骁龙670、骁龙710落后太多,在GPU性能方面也偏弱。



高通骁龙670压制联发科P60

在高端芯片市场上,高通已占据绝对的优势,联发科已暂时放弃了高端芯片市场,双方当前主要是在中端芯片市场上进行角力,自然高通骁龙710、骁龙670的对手都是联发科的P60。

联发科从2016年下半年开始持续落后于高通,到去年上半年高端芯片X30仅获得魅族一家采用,中端芯片P35被迫终止,去年下半年紧急推出的P23、P30在性能方面远远落后与高通的中端芯片,这导致它的营收持续下滑,直到今年的P60推出才扭转颓势,不过难言真正复兴。







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