索尼CMOS大升级，完爆竞争对手

版权声明：本文内容来自cnbeta，如您觉得不合适，请与我们联系，谢谢。

随着工程和制造水平的日新月异，我们得以在更小的尺寸里放下更多的东西，智能手机就是一个极具代表性的例子。虽然小巧，但其处理性能已经与许多入门级笔记本相当。另一方面，其摄像头传感器也取得了长足进步，但在像素数朝着几千万普及、以及 4K 视频录制的巨量数据需求下，影像处理器（ISP）也遇到了瓶颈压力。

好消息是，索尼已经将相机传感器技术提升到了新的水平。在其最新披露的面向智能机的 3 层 BSI（背照式）CMOS 传感器设计中，我们发现它已经内嵌了 DRAM 缓存。

随机存储器（RAM）的速度很快，但也有着易失的缺点，因此其主要作为存储设备和处理器之间的数据枢纽。

DRAM 被嵌在了传感器的像素层与电路层之间

但是现在，索尼将动态随机存取器（DRAM）的优势，用到了提升影像传感器的速度上。不仅如此，它还极大地压榨了自身所占用的空间。

这一设计的原理是，RAM 可以加快影像传感器的数据读出（虽然 RAM 是最快的数据存储 / 访问类型之一，但成本也属于大头）。

ISP 读速快的好处之一，是更少的失真（上图左为 1/30s，右为 1/120s）

作为一个“等候区”，DRAM 可以将数据快速传递给（运行速度稍慢的）处理器，1/120s 内即可记录 1930 万像素的信息（对照组需要 1/30s 才能完成）。

除了静态拍摄的提升，新技术也能够以高达 1000 fps 的帧率，录制下 1920×1080（全高清）分辨率的视频。

带 DRAM 的 3 层 堆栈式 CMOS 影像传感器剖面图：

PS：传感器物理像素为 2120 万，能够录制 4K @ 60 fps（或者 1080p @ 240 fps）的视频。

传感器中嵌入的 DRAM 容量为 1 Gigabit（似为 1000 进制），换算后约为 125 MB（似为 1024 进制）。

索尼暂未透露首批搭载该传感器的智能机的上市时间，但今年下半年发布的 Xperia 旗舰机型有望第一个吃到螃蟹。

【关于转载】：转载仅限全文转载并完整保留文章标题及内容，不得删改、添加内容绕开原创保护，且文章开头必须注明：转自“半导体行业观察icbank”微信公众号。谢谢合作！

【关于投稿】：欢迎半导体精英投稿，一经录用将署名刊登，红包重谢！来稿邮件请在标题标明“投稿”，并在稿件中注明姓名、电话、单位和职务。欢迎添加我的个人微信号MooreRen001或发邮件到 [email protected]
点击阅读原文加入摩尔精英