主要观点总结
本文是关于“ROHM's EcoGaN™ & LSI Technology”在线研讨会的报道，介绍了研讨会的内容、参与方式、获奖名单公布以及活动细节等。
关键观点总结
关键观点1: 研讨会概述
介绍了“ROHM's EcoGaN™ & LSI Technology”在线研讨会的主题和内容，包括EcoGaN™介绍、GaN功率器件产品页面、LSI技术等。
关键观点2: 研讨会关键点
讨论了GaN器件的优势、应用、技术问题和解决方案，包括频率和开关特性、驱动电压、漏源极的RC吸收电路、GaN技术的元器件应用等。
关键观点3: 获奖名单公布与活动细节
公布了研讨会获奖名单，包括参与活动的手机号和昵称，并提醒获奖者在规定时间内留言个人信息以获取礼品。同时介绍了活动的注意事项和解释权归属。
正文
2024年7月31日，“ROHM's EcoGaN™ & LSI Technology”在线研讨会得到了大家的支持，再次谢谢大家的热情参与！错过本次直播的小伙伴，可以点击下方查看回放。
除此以外，罗姆君选取了研讨会中一些有代表性的提问在这里与大家分享，供大家回顾。
罗姆主要发力GaN产品，除了耐压较SiC低以外，是否其它方面指标更加有优势？
氮化镓的优势主要是在频率以及开关特性，例如开关损耗的降低。
视频提到有较低的驱动电压和很小寄生参数，在开关电源应用，直流无刷电机驱动，在高频率下，漏源极需要加RC吸收电路来抑制过冲吗？
过冲主要是dv/dt与线路寄生杂感的影响。按实际情况，判断是否需要加RC吸收。
目前所说的GaN技术，主要是应用在哪种元器件上，MOS管吗？
GaN HEMT是高电子迁移率晶体管，本身就是与MOS类似的开关器件，但是结构与MOSFET有不同。具体可前往
罗姆官网
查看。
封装主要影响器件的热阻即散热以及可靠性。散热会影响实际电流能力，可靠性方面例如H3TRB，TC等都会与封装有关。
开关频率特性上，200kHz比传统100kHz高了一倍多，这个可以实现哪些优势
现在的GaN产品电流、电压都不是很大，普通散热应该可以满足。发展双面散热产品是有更大功率的产品生产吗？
GaN封装很小，目的就是为了小型化，所以散热器也很小。因此要发挥更高的功率，散热方面就需要改善，双面散热就是其中一种。
*EcoGaN™ 和Nano Pulse Control™ 是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
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接下来就是获奖名单公布环节啦！
快来看看幸运儿是谁~
193****2314
158****9106
180****1078
158****4599
138****5476
187****2399
158****9704
184****4331
153****9779
131****0551
185****0350
153****4108
182****7937
193****7780
198****9026
*以上为本次研讨会报名使用手机号，在本文下方留言“完整手机号+礼品名+姓名+手机号+邮寄地址”
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*以上为参与活动所用昵称，在本文下方留言“昵称+礼品名+姓名+手机号+邮寄地址”
