Adv. Optical Mater.：BiSCl的2D生长，用于具有超高响应率和探测率的各向异性光电探测器

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成果介绍

BiSCl具有各向异性的链状晶格构型，在UV-vis波长区域显示出较高的光电转换效率。目前2D生长的困难限制了器件性能的研究和进一步集成。

有鉴于此，近日， 中山大学王成新教授和孙勇副教授（共同通讯作者）团队提出了一种基于BiSCl/BiOCl界面共用氯离子层原理的2D BiSCl外延生长策略 。本文利用原子分辨AC-TEM仔细地揭示了界面的原子排列，并根据密度泛函理论进行了计算。得益于其与PS辅助大规模转移技术的兼容性，通过构建标准对称光电导体和石墨烯-BiSCl肖特基结器件来评估其光电性能。在405 nm处实现了高响应率(1.71×10 ⁴ A W ^-1 )和探测率(5.9×10 ¹⁶ Jones)，并且在宽带光谱中表现出鲁棒性，表现出突出的各向异性光电行为，在弱光探测中具有很大的潜力。这些结果阐明了BiSCl半导体的光电应用以及Bi ^V X ^VI Y ^VII 系列的结构设计。

图文导读

图1. 生长的BiSCl薄膜及其表征。

图2. BiSCl薄膜的电镜表征。

图3. BiSCl生长过程及带隙表征。

图4. BiSCl器件的光响应行为。

文献信息

2D Growth of BiSCl as Anisotropic Photodetector with Ultrahigh Responsivity and Detectivity

（ Adv. Optical Mater. , 2024, DOI:10.1002/adom.202400664）

文献链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adom.202400664

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