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NAND Flash缺货，加上SSD可能是新款电子产品的重要选择，缺货现象可能延续到2017Q1。
根据DIGITIMES的报导，NAND Flash缺货，加上SSD可能是新款电子产品的重要选择，缺货现象可能延续到2017Q1以后。估计2017年DRAM供应量成长率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是从67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投资金额为10兆韩元的记忆体产业，2017年将增加至13兆韩元，其中4兆韩元用于DRAM，Flash则约9兆韩元，远不如原先估计的15兆韩元。意思是“产业景气看好，长期投资策略趋于保守”，Why ?
日经新闻29日也报导，使用于智能手机、存储卡的NAND型快闪存储器(Flash Memory)批发价格进一步走升，10月份指标性产品MLC(Multi-Level Cell)类型64Gb产品价格月增约6%至每个3.3美元左右、为2年来首度突破3美元关卡，128Gb产品也月增1%至4.1美元左右。因生产技术提升，存储器价格一般来说都会随着时间推移而下滑、因此价格扬升至2年前水准是很罕见的。
需求看涨、价格看俏，竞争对手仍未造成威胁，很容易理解三星在记忆体上的保守投资策略。
据报导，调查公司IHS Technology预估，2016年NAND出货量至少将年增2成，IHS首席分析师南川明指出，“截至年末为止，NAND价格恐持续维持在高档”。
报导指出，市场普遍认为，价格持续高涨的“NAND泡沫”恐会在明年(2017年)结束。
三星半导体部门的获利，从原先第二季的2.5兆韩元，巨幅成长到第三季的3.66兆韩元，对整个三星电子集团获利的贡献值，从原先的31.7%，在三星爆发Note 7事件之后，暴增到70.7%。对三星而言，半导体的获利，正好填补手机部门的获利空间。命好不怕运来磨，手机出事，但半导体却迎来丰年，明年的三星电子还是活龙一尾！
三星可怕的NAND FLASH份额
三星是全球最大NAND Flash供应商
2016年Q1三星营收和营业利润虽然分别增长5.6%和12%，但Memory营收同比下滑4.6%，半导体营业利润更是同比下滑10.2%，主因DRAM和NAND Flash市场价格下滑，导致产品获利降低。三星在财报中表示，将扩大销售V-NAND服务器SSD等高密度产品以及增加14nm工艺技术产品出货，提高盈利能力。
另外为了为了获得更好的生产效益以及提高成本竞争力，三星除了将2D NAND工艺从16nm逐步切换到14nm量产外，还将韩国华城Fab16的16nm 2D NAND改造成20nm 48层3D V-NAND产线，预计在Q2改造完毕。
基于3D NAND性能和容量优势，三星3D V-NAND产能将主要用于需求快速增长且利润较高的SSD，以及生产256GB大容量UFS 2.0和闪存卡产品，而且三星48层3D V-NAND已经通过了苹果认证，新iPhone搭载的256GB容量由三星独家供应，预计Q3开始供货，也因此三星计划减少35% Wafer的市场供应量，以足够充足的NAND Flash产能满足苹果的需求。
同时，因三星华城Fab16转产48层3D NAND，导致2D NAND产能减少，再加上智能型手机主流需求由16GB向32GB以上转移，以及旗舰智能型手机对128GB大容量UFS 2.0的需求，三星Galaxy Note 6也有望搭载256GB容量，预计三星不仅16GB以下低容量嵌入式产品eMMC/eMCP市场供货有限，对整个市场的NAND Flash供货都将不太富裕。
三星近2年来受移动业务下滑影响，整体营收利润持续表现负增长，而且近一年股价跌幅15%，在2016年，三星将2D NAND工艺从16nm逐步切换到14nm量产来提高成本效益。
若三星采用16nm 工艺，每片12吋晶圆大约可切割522颗128Gb NAND Flash Die，单颗128Gb Die市场价格大约在1.95美金，推算Wafer的销售价格在1000美金，按照原厂1500美金含利润的Wafer成本，显然三星16nm工艺的NAND Flash处于亏损状态。三星半导体是在用DRAM的优势产生的利润来补贴NAND Flash的亏损。
若三星采用14nm工艺，虽然每片Wafer晶圆产量可以增加17%，但市场价格仍在1.95美金左右，还是亏损销售，并没有给三星带来更好的成本效益。
另外还需要提一下，全球第2大NAND Flash厂商东芝31日发布新闻稿宣布，因智能手机用存储器、PC/游戏机用HDD需求持续强劲，故今年度上半年(2016年4-9月)合并营收目标自原先预估的2.55兆日圆上修至2.58兆日圆、合并营益自700亿日圆上修至950亿日圆、合并纯益也自850亿日圆上修至1,150亿日圆。
看到了没，NAND FLASH主要掌握在日韩手里，说涨价就涨价，这下子你明白中国建存储的必要性了吧
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