中国存储及半导体新势力必须正视即将到来的专利问题

DRAM和3D NAND疯狂涨价的2017年，存储器变得炙手可热。随着中国存储器三大阵营布局逐渐开始有成绩单交出，中国企业毫无疑问将在不久之后成为半导体存储市场的一股新势力。

然而，中国企业开始生产出存储产品时，意味着将面临市场的检视，以及随之而来的专利纠纷。

福建晋华和合肥睿力两大阵营的DRAM计划从默默进行到逐渐浮出水面。福建晋华有联电的策略结盟，而合肥阵营也有北京兆易创新的合作开发19纳米制程DRAM技术，两大阵营都预计今年底会有芯片开始，引发市场上的高度关切，是否会对于现有存储器供应商产生威胁。

在2017年年底，美光就已起诉晋华。12月4日，前者根据“保护营业秘密法”(Defend Trade Secrets Act)，以及“反勒索及受贿组织法”(Racketeer Influenced and Corrupt Organization Act)，在加州北部联邦法庭提起民事诉讼申请，状告台湾代工厂联华电子(UMC)和福建晋华盗窃其商业机密等不当行为。美光公司发言人证实了这一诉讼，并表示：“美光积极保护其全球知识产权，并将利用所有可用的法律武器来解决一切盗用行为。”

对此IC Insights总裁兼CEO Bill McClean表示，不知道中国企业要如何在不碰触三星、海力士和美光所拥有的专利下生产内存芯片。当这些中国企业开始销售内存芯片时，才是事关重大诉讼的来临之时。他表示，一旦他们开始生产，三星、海力士和美光将有机会对这些产品进行反向工程，寻找足以证明其专利受到侵犯的证据。

手机中国联盟秘书长王艳辉曾经强调，随着中国存储器产业的逐步量产，专利战肯定会爆发，不过要说中国因此会受到限制也不是绝对，关键还是自身核心技术的提升。无论如何，不仅仅是存储领域，专利是崛起的中国半导体企业必须马上就正视的问题。