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近些年来，硅晶圆片占半导体材料市场的比重基本保持稳定， 比重为 34%左右。 2015 年全球半导体硅片市场规模约为 80 亿美元，是占比最大的 IC 制造材料。日本的 Shin－Etsu 和 Sumco 的销售占比超过 50％，中国台湾的环球晶圆在 2016 年先后并购了 Topsil 和
SunEdisonSemi，成为了全球第三大半导体硅片供应商，目前前六大硅片厂的销售份额达到 92％，半导体硅片市场一直被巨头垄断。
由于 2016 年全年全球 DRAM 和 3D NAND Flash 出货量增加以及硅片国际大厂产能有限， 再加上大陆投资的大尺寸硅片项目未能实现出货，导致全球半导体硅片供应吃紧， 国际上前几大硅片供应商的产能利用率均达到 100％。 三大半导体硅片厂均宣布将调涨 2017
年 Q1 的 12 英寸硅片价格 10～20％。
而据IC Insights 统计数据显示，全球营运中的 12 寸(300mm)晶圆厂数量持续成长，在 2016 年可达到 100 座， 到 2020 年底，预期全球应用于 IC 生产的 12 寸晶圆厂总数达到 117 座，若 18 寸(450mm)晶圆迈入量产， 12 寸晶圆厂的高峰数量可达到 125 座左右。 由于 12 英寸（ 300mm）的硅片主要是用来生产逻辑芯片和记忆芯片， 并且DRAM 与 NAND 闪存等未来五年年均複合增长率（ CAGR）可达7.3%，产值将从去年的 773 亿美元扩增至 1,099 亿美元，增长率达到 42.2%， 因此，全球对于 300mm 大硅片的需求将持续扩张。 预计未来几年硅片的缺货将是常态。
国内集成电路产业经过 30 多年的大力发展，目前已形成了一定的产业规模，以及集成电路设计、芯片制造、封装测试三业及支撑配套业共同发展的较为完善的产业链格局。目前我国半导体行业发展快速，对上游原材料需求维持这一个较高的水平，近几年对硅片及硅基材料的需求基本在 130 亿元左右的水平，但 12 英寸硅片完全依赖进口，因此将来存在着较大的进口替代的可能性。
什么是半导体硅片
硅片又称硅晶圆片， 是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手
段，可以制成集成电路和各种半导体器件。 硅片是以硅为材料制造的片状物体，直径有 6
英寸、 8 英寸、 12 英寸等规格。单晶硅是硅的单晶体，是一种比较活泼的非金属元素，
具有基本完整的点阵结构。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度
要求达到 99.9999%，甚至达到 99.9999999%，杂质的含量降到 10-9的水平。采用西门子
法可以制备高纯多晶硅，然后以多晶硅为原料，采用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长
出棒状单晶硅。单晶硅圆片按其直径主要分为 6 英寸、 8 英寸、 12 英寸及 18 英寸等。
硅（ Si）是目前最重要的半导体材料，全球 95%以上的半导体芯片和器件是用硅片作为基
底功能材料而生产出来的。在可预见的未来，还没有其它材料（如石墨烯等）可以替代
硅的地位。 在半导体制造业中广泛使用各种不同尺寸与规格的硅片，通常包括 4 英寸、 5
英寸、 6 英寸、 8 英寸及 12 英寸，它们的基本规格如下表所示：
直拉法和区熔法的比较
硅片尺寸越大，将来在制成的每块晶圆上就能切割出更多的芯片，单位芯片的成本也就
更低。在 1960 年时期就有了 0.75 英寸(约 20mm)左右的单晶硅片。在 1965 年左右 GordonMoore 提出摩尔定律时，还是以分立器件为主的晶体管，然后开始使用少量的 1.25 英寸小硅片，进而集成电路用的 1.5 英寸硅片更是需求大增。
之后，经过 2 英寸， 3 英寸，和4 英寸。接下来 5 英寸， 6 英寸， 8 英寸，然后进入 12 英寸。 业界较为公认的说法， 1980年代是 4 英寸硅片占主流，1990 年代是 6 英寸占主流，2000 年代是 8 英寸占主流，到 2002年时英特尔与 IBM 首先建 12 英寸生产线，到 2005 年已占 20%，及 2008 年占 30%，而那时 8 英寸已下降至 54%及 6 英寸下降至 11%。 预计在 2020 年左右， 18 英寸（ 450mm）的硅片将开始投入使用。
半导体硅片尺寸发展历程
单晶硅片是制造半导体硅器件的原料，用于制作大功率整流器、 大功率晶体管、二极管、
开关器件等，其后续产品集成电路和半导体分立器件已广泛应用于各个领域。单晶硅作
为一种重要的半导体材料,在光电转换、传统半导体器件中其应用已十分普遍。以电驱动
的发光光源，如放电灯、荧光灯或阴极射线发光屏、 发光二极管等。从信息角度来看，
可利用光发射、放大、调制、加工处理、存储、测量、显示等技术和元件，构成具有特
定功能的光电子学系统。例如，利用光纤通信可以实现迅速和大容量信息传送的目的。
它使原来类似的技术水平得到大幅度的提高。
半导体单晶硅片的生产工艺流程
单晶硅片是单晶硅棒经由一系列工艺切割而成的，制备单晶硅的方法有直拉法（ CZ 法）、
区熔法（ FZ 法）和外延法，其中直拉法和区熔法用于制备单晶硅棒材。区熔硅单晶的最
大需求来自于功率半导体器件。
单晶硅制备流程
直拉法简称 CZ 法。 CZ 法的特点是在一个直筒型的热系统汇总，用石墨电阻加热，将装在
高纯度石英坩埚中的多晶硅熔化，然后将籽晶插入熔体表面进行熔接，同时转动籽晶，
再反转坩埚，籽晶缓慢向上提升，经过引晶、放大、转肩、等径生长、收尾等过程，得
到单晶硅。
区熔法是利用多晶锭分区熔化和结晶半导体晶体生长的一种方法，利用热能在半导体棒
料的一端产生一熔区，再熔接单晶籽晶。调节温度使熔区缓慢地向棒的另一端移动，通
过整根棒料，生长成一根单晶，晶向与籽晶的相同。区熔法又分为两种：水平区熔法和
立式悬浮区熔法。前者主要用于锗、 GaAs 等材料的提纯和单晶生长。后者是在气氛或真
空的炉室中，利用高频线圈在单晶籽晶和其上方悬挂的多晶硅棒的接触处产生熔区，然
后使熔区向上移动进行单晶生长。由于硅熔体完全依靠其表面张力和高频电磁力的支托，
悬浮于多晶棒与单晶之间，故称为悬浮区熔法。
直拉法和区熔法的比较
单晶硅是从大自然丰富的硅原料中提纯制造出多晶硅，再通过区熔或直拉法生产出区熔
单晶或直拉单晶硅，进一步形成硅片、抛光片、外延片等。直拉法生长出的单晶硅，用
在生产低功率的集成电路元件。而区熔法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。
直拉法加工工艺：加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长，长完的晶
棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完成一次生长周期。
悬浮区熔法加工工艺：先从上、下两轴用夹具精确地垂直固定棒状多晶锭。用电子轰击、高频感应或光学聚焦法将一段区域熔化，使液体靠表面张力支持而不坠落。移动样品或加热器使熔区移动。这种方法不用坩埚，能避免坩埚污染，因而可以制备很纯的单晶，也可采用此法进行区熔。
半导体单晶硅片加工工艺流程
工业生产中对硅的需求主要来自于两个方面：半导体级和光伏级。半导体级单晶硅和光
伏级单晶硅在加工工艺流程中存在着一些差异，半导体级单晶硅的纯度远远高于光伏级
单晶硅。半导体级单晶硅片的加工工艺流程：单晶生长→切断→外径滚磨→平边或 V 型
槽处理→切片，倒角→研磨，腐蚀--抛光→清洗→包装。
半导体单晶硅片切割工艺流程
单晶硅片产业链分析
单晶硅的制备工艺不同，所得到产品的纯度和性能差异很大，因此其下游应用领域也有
所区别。单晶硅在日常生活中是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少
的基本材料。电视、电脑、手机、汽车，处处都离不开单晶硅材料，单晶硅作为科技应
用普及材料之一，已经渗透到人们生活中的各个角落。
单晶硅及其应用分类
整个单晶硅的产业链比较长，从最上游的多晶硅原料和设备等，到中游的单晶硅硅片，
延伸至下游的电力电子器件、高效率太阳能光伏电池、射频器件和微电子机械系统、各
种探测器和传感器等，最后到计算机、汽车、光伏等各大行业。日本信越化工和 SUMCO
公司在单晶硅片领域占据了市场重要地位。
单晶硅产业链全景图
（1）上游设备原材料格局
半导体元件所使用的单晶硅片系采用多晶硅原料再经由单晶生长技术所生产出来的。晶
硅是单质硅的一种形态， 熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格的形
态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来形成的
晶体就叫多晶硅。
多晶硅所使用的原材料来自硅砂（二氧化硅），以盐酸（或氯气、氢气）和冶金级工业硅为原料，将粗硅（工业硅）粉与盐酸在高温下合成为三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行化学精制提纯，接着对三氯氢硅进行多级精馏，使其纯度达到 9 个 9 以上，其中金属杂质总含量应降到 0.1ppba 以下，最后在还原炉中 在 1050℃的硅芯上用超高纯的氢气对三氯氢硅进行还原而长成高纯多晶硅棒，再通过单晶生长技术生产处单晶硅片。
电子级多晶硅（用于制备半导体单晶硅） 与太阳能级多晶硅的区别主要就在于对纯度的控制,最明显的就在精馏工序,电子级和太阳能级的塔高和数量相差很大。太阳能能多晶硅纯度为小数点后 6 个 9,电子级多晶硅小数点 12 个 9,整个工艺流程电子级比太阳能级在原料纯度,管道清洗,提纯塔,厂房洁净度等要求都要高。
电子级多晶硅的等级及相关技术要求
电子级多晶硅材料的生产与太阳能级多晶硅相比，对产品纯度、杂质控制的要求都非常
苛刻，此过程中氯硅烷的分离提纯工艺是关键步骤。三氯氢硅除硼一直是国内电子级多
晶硅材料领域的技术瓶颈。
电子级多晶硅与太阳能级多晶硅的区别
近几年来，随着消费电子的快速发展以及未来汽车产生的大量需求，全球电子级多晶硅
料需求量稳步，预计未来几年对于硅片的消费量会保持现在的上升趋势。
全球电子硅材料需求情况
（2）关键生产设备都来自国外
单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片的加工流程： 单晶生长→切断→外径滚磨→平边或 V 型
槽处理→切片，倒角→研磨，腐蚀--抛光→清洗→包装。通常一条生产线需要如下的设
备配置。目前国产设备虽然已经覆盖生产线的各个环节，但在质量和精度方面与进口设
备差距较大。因此，目前国内单晶硅厂商都采用进口设备来进行生产。
单晶硅生产线设备配置
单晶炉是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料
熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。 单晶硅炉型号有两种命名方式，一种为投料量，
一种为炉室直径。比如 120、150 等型号是由投料量决定， 85 炉则是指主炉筒的直径大小。
单晶硅炉的主体构成由主机、加热电源和计算机控制系统三大部分组成。
半导体材料有别于一般电子产业，不仅在纯度与不纯物的规格要求相当高，连从原物料
的来源与合成制造的生产过程都必须完全符合半导体制造商的规定，才有机会打入供应
体系。
再者，材料供应商与半导体制造商就先进制程技术的开发时，材料业者须亦步亦趋随时
配合与反应制程参数调整的结果，国内材料厂虽具有就近协助与供应的优势，但配合度
