1.台积电南京厂最快明年第三季量产；
2.失控环评拖垮台湾,连台积电都招架不住；
3.硅晶圆价格不断上涨，日本胜高（SUMCO）投资近4亿美元增产；
4.三星新一代V-NAND存储器出炉，容量1Tb；
5.Everspin宣布千兆级芯片ST-MARAM
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1.台积电南京厂最快明年第三季量产；
集微网消息，台积电南京厂建厂速度加快。 部分设备厂商表示，第4季开始台积电部分生产设备将进场安装，2018年上半年试运转，最快第3季可正式量产。
台积电董事长张忠谋与夫人（中）亲自主持南京厂开工
前几天董事会核准955.54亿（新台币，下同）元资本预算案，用以扩充先进制程设备、特殊制程产能及先进制程研发，台积电7nm将于2018年量产，目前台积电在7nm已有12个产品设计定案，其中高速运算产品已于6月设计定案，目前累计大客户已确定有30家，另外，也有不少台积电10nm客户转至7nm，因此，台积电7nm一推出后， 便立即抢占市场份额，丝毫不给竞争对手机会。
此外部分客户将回流台积电，像高通下一代骁龙845／840芯片考虑散热及效能，以及三星在新一代制程量率不佳等问题，基带订单将交由台积电生产。 而AMD因格罗方德于7nm进度落后台积电约一年时间，将7纳米APU及GPU订单改投台积电，明年上半年量产投片。
2.失控环评拖垮台湾,连台积电都招架不住；
实施 23 年的台湾《环境影响评估法》长久以来，在「经济开发」与「环境保护」这套规则下，被迫在「环评大会」这个竞技场里，斗得你死我活。 这套环评制度，没保护到环境，也没顾到经济发展，环保份子指责环评是开发方的橡皮图章，是破坏环境的帮凶；而大企业则指环评是投资的绊脚石，不断扬言出走台湾。
关键在于，制定于台湾经济高速发展年代的环评法，是为了防止快速开发带来的环境破坏，它让环评从原本「评估」的机制，成为「审查」的机关，因此台湾所有大型开发案的「生杀大权」，不是目的事业主管机关、而是环评委员会。
台积电也招架不住的环评
引爆问题的，是一滴水可以用 3.5 次的环保模范生台积电。 今年三月，台积电董事长张忠谋被问到，会不会在美国设厂？ 张忠谋一句的「I don’t rule it out.（我不排除）」像炸弹般震撼产业界；同时间，又有媒体报导，台积电考虑美国设厂，主因是南科的路竹基地环评完成时间恐怕未能配合需求，「环评把企业赶出台湾」的言论再度发酵。
关键就在台积电曾在「中科管理局台中大肚山扩建案」的环评战役里，被战得遍体鳞伤。
2012 年 6 月，经建会（现国发会）通过国科会（现科技部）的扩建计划案，让台积电在此设厂，却因各种因素和质疑一拖再拖，共历经一年半才终于过关，但台积电的危机还没有解除，环团认为污染物评估的过程有瑕疵，提出诉愿声请「停止执行」；另外护树团体也发动游行抗议台积电砍树。
「台积电已经是国际间的环保模范，」前工研院知识经济与竞争力研究中心主任杜紫宸观察。 当台积电都可以被斗成这样，哪些企业还敢踏进这个死亡斗技场一步？
环委会有权无责 兼职委员决定千亿投资案
缺少互信的讨论 战争没完没了
「否决权是整个环评制度最大的问题。 」环评委员、淡江大学经济学系教授廖惠珠说。 她观察，「因为这把『尚方宝剑』，环团就有无限的期待，期待环委会否决开发案。 」
她举例，「例如台积电中科案，我们没有否决，环团就觉得我们该而挡不挡；压力很大的情况下，企业也觉得为什么环评都在拖，迟迟不下决策。 」
到底这些环评委员是谁？ 环委会由 21 个人组成，包括 14 名各领域的专家学者、7 名政府官员代表，全部都是兼职。 他们每次开会只领最高 2 千元的出席费，但决定的，却是动辄千亿元的投资开发案。 今周刊
3.硅晶圆价格不断上涨，日本胜高（SUMCO）投资近4亿美元增产；
集微网消息，据日经新闻报导，日本硅晶圆厂商胜高（SUMCO） 8 日于日股盘后宣布，因半导体需求旺盛，硅晶圆出现供需紧绷状态，宣布在旗下伊万里工厂投入 436 亿日圆（约3.97亿美元）进行增产投资，目标 2019 年上半年将 12 吋硅晶圆月产能提高 11 万片。
据悉，这是 SUMCO 近十年来的首次大规模增产，虽然此次并未公布具体的产能规模，但预计可能将其 12 吋硅晶圆产能规模较现行提高 5~10%，主要用于 5~10nm半导体的硅晶圆产品。
SUMCO 副社长远藤晴充指出，“12 吋硅晶圆自今年初来价格开始走扬，以每季 5% 的速度扬升、目前已累计上扬 10%，且预估 7~9 月期间将持续上扬、明年也预估将以同样的速度扬升。预估 2 年将上扬 4 成左右水准”。
对于中国厂商计划开始生产硅晶圆，是否会影响供需变化一事，SUMCO 社长泷井道治表示，“此次决定增产的对象为最先进的产品，竞争对手很少，除 SUMCO 之外，能进行生产的仅有信越化学（Shin-Etsu）和德国 Siltronic。中国想在技术面追上来很有难度。”
其实，今年第2季度日本硅晶圆厂商信越（Shin-Etsu）及胜高（SUMCO）已对大型半导体客户调涨12吋硅晶圆合约价格5～10％，不仅第3季价格确定会续涨，8吋硅晶圆也会涨价，还预期这波涨势至少可延续到明年第1季，且每季度都会维持相同幅度一路涨上去。 这两大厂商手握全球逾半的半导体硅晶圆产能，市占率合计超过51％。
据悉，信越及胜高的客户都是像英特尔、台积电、三星等半导体大厂，考虑到与客户间长期稳定关系及采购规模庞大等因素，直至今年第2季才调涨12吋硅晶圆价格，涨幅也在5％左右，至于其它半导体厂价格涨幅达5～10％。
（Source：SUMCO）
近日，SUMCO 2017年度上半年（2017 年 1-6 月）财报显示，因硅晶圆销售量，价格皆呈现扬升，带动合并营收较 2016 年同期大增 20.1% 至 1,239.94 亿日圆，合并营益暴增 179.7% 至 173.20 亿日圆，合并纯益暴增 317.5% 至 96.34 亿日圆。
SUMCO 指出，因预估所有尺寸硅晶圆需求将持续旺盛，12 吋产品价格将持续扬升，故预估第三季度（2017 年 7-9 月）合并营收将较 2016 年同期大增 26% 至 660 亿日圆，合并营益将暴增 338% 至 105 亿日圆，合并纯益将暴增 491% 至 65 亿日圆。
4.三星新一代V-NAND存储器出炉，容量1Tb；
集微网综合报道，据外媒消息，三星电子 NAND Flash 技术再升级，9 日宣布研发出容量达 1 Tb（terabit）的 3D NAND 芯片，预计明年问世。三星宣称，这一技术是过去 10 年来存储器的最大进展之一，本次发布的1Tb V-NAND将很快运用于SSD(固态硬盘)上，计划2018年推出最大容量的SSD产品。
多家外媒报导，三星研发 1Tb 的 V-NAND 芯片（即垂直堆叠的 3D NAND），容量是当前最大存储器 512Gb（gigabit）的两倍。三星将采用16层堆叠的方式生产出容量达2TB（terabyte）的闪存，大幅提升储存容量。三星宣称，该技术是过去 10 年来存储器的最大进展之一。
1Tb 相当于 126GB，以一部2小时的HD电影通常1.5-2GB来看，能够储存 60 部两小时的高画质电影。三星表示，许多产业发展人工智慧和物联网，数据密集的应用程式大增，Flash 存储器扮演关键角色，可以加快资料抽取速度，以供即时分析。三星电子本次发布的1Tb V-NAND将很快运用于SSD(固态硬盘)上，计划2018年推出最大容量的SSD产品。
同时，三星发布 NGSFF 固态硬盘（Next Generation Small Form Factor SSD），将取代当前的 M.2 SSD 规格。三星表示 NGSFF 容量为前代的 4 倍，将于今年第四季量产。
三星 2016 年发表 Z-SSD 技术，现在首度发表采用此一技术的 SZ985 固态硬碟，宣称可用于数据中心和企业系统，处理大数据分析等数据密集作业。Z-SSD 读取延迟时间为 15 微秒，大约是 NVME 固态硬碟的七分之一。
从 2013 年三星电子在全球率先实现 V-NAND (第一代，24层)量产，到今年实现第四代 V-NAND 的量产引领创新，三星存储器部门高层表示，未来三星电子将积极应对人工智能(AI)、大数据等未来高新半导体的需求。
5.Everspin宣布千兆级芯片ST-MARAM
据外媒报道，磁性随机存取内存(MRAM)将在今年达到一个新的里程碑。Everspin宣布开始尝试打造1Gb (128MB)的ST-MRAM芯片，另外他们已经将这款高寿命、非易失性的内存芯片生产提上议程。 Everspin的ST-MRAM能够提供持久的记忆能力，相较于普通的NAND闪存技术，它可以减少写入放大倍数并拥有更好的耐用性。
这款新芯片采用的则是一个兼容DDR4的接口。这家公司表示，供应商可以利用持久的记忆技术设计企业级SSD或对现有的储存产品展开进一步的改善。
据了解，ST-MARAM的密度要比公司旗下现有的任何256MB(32MB)芯片大得多。Everspin指出，从Global Foundries的40nm工艺到foundry 28nm工艺的转变是开发这种千兆级芯片的关键，另外它还展示了公司垂直磁性隧道结(pMTJ)的可扩展性。
首批配备Everspin全新千兆MRAM芯片的产品之一将来自Smart Modular公司。该公司计划发布一款NVMe PCIe硬盘，它的重量和长度都将减半，其将用于元数据缓存和储存加速应用。Smart Modular表示，该产品单元在4K随机读写测试中能够达到1500K IOPS。
眼下，Everspin正在闪存峰会(Flash Memory Summit)展示他们的1Gb ST-MRAM。cnbeta
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