专栏名称: 申万宏源电子研究
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【3Q17海外供应链系列 | 1】拉姆研究——1H18 DRAM全球供需环境健康,产能投放保持理性

申万宏源电子研究  · 公众号  ·  · 2017-10-20 16:45

正文

投资要点

        在天科技深度报告二中我们提到,我们陆续建立起了电子/半导体产业周期分析、产业估值比较、规范可跟踪的个股业绩分解和盈利预测,以及基于财务的价值链、供应链和公司治理分析框架。我们亦提到,后面的工作将基于以上的体系泛化研究,和添加边角,其中较为重要的边角即海外电子供应链和标的研究。

        当前市场寄托较大希望于4Q17电子供应链回补库存和拉高出货,因此4Q17电子下游终端需求强弱,特别是智能手机出货多寡,对A股电子供应链标的弹性影响较大,我们希望从3Q17海外重要公司季报对4Q17业绩的指引寻找部分答案。本篇报告我们对拉姆研究(LRCX.O)3Q17季报和4Q17指引进行剖析和整理。


        拉姆研究(Lam Research)3Q17营收24.78亿美元,超华尔街一致预期0.49%(前一日),毛利率46.5%,低于华尔街预期0.28%。3Q17公司营收同比大增51.81%,毛利率46.4%. 4Q17公司预计营收25.4亿美元,毛利率46.4%。公司成长主要来自于存储器需求强劲和技术更迭,截止目前供给投入仍然保持理性,供需平衡偏紧,公司预计2017年存储器市场收入增长40%,其他晶圆代工市场收入增长25。


        公司内部评估认为2018年产业资本支出将依然强劲,1H18公司设备出货量将比2H17更为强劲。公司认为2018年公司WFE设备出货增长在5~10%之间,其中超过85%来自于存储器。公司认为包括Dram和Nand在内的存储器市场景气回暖关键驱动是下游需求复苏,因此受益于存储器市场现有产能的活跃,公司在Nand和DRAM领域的设备和服务业务都保持了高速增长,亦是公司上调2017-2018成长预期的关键因素。公司认为截止2017年底,存储器供给和2015年相比并没有增加,并且在可预见的程度上认为,2018年的产能投放下游客户大多保持克制。


        公司认为当前产业资本支出仍处于可持续和理性水平。在2Q17季报中公司提到2017年DRAM供给的增加仅约1%~3%,产能扩充保持你了充分的理性。截止目前有所区别的是,公司认为20nm制程DRAM产能占比的提升快于之前的预计,但公司同时认为制程更新带来的单位容量供给边际增加在减小。公司对未来3年DRAM供给增长的假设目前仍然是轻微增长。公司认为存储器资本支出增速未来将稳定在20%左右,与长期平均水平一致,远低于于前一个周期的高点即30%至35%。因此公司认为供过于求的情况很难在短期内出现。

   

        公司认为3Q17来自中国区的出货下降并不代表趋势的意义。公司认为4Q17~3Q18全球18座新建晶圆厂中8座坐落于中国大陆(包括NAND、DRAM和逻辑,且NAND的投资明显大于DRAM),4座位于中国台湾。中国晶圆厂的投资一半来自于海外,一般来自于中国本土。

目录

1. 拉姆研究 3Q17业绩:业绩基本符合预期,存储器供需仍偏紧,供给增长保持理性


2. 拉姆研究业务和行业概览:全球领先的薄膜沉积、等离子蚀刻和清洗半导体设备供应商


3. 拉姆研究上游供应商和下游客户供应链分析


拉姆研究 3Q17业绩

业绩基本符合预期,存储器供需仍偏紧,供给增长保持理性

        拉姆研究(Lam Research)3Q17营收24.78亿美元,超华尔街一致预期0.49%(前一日),毛利率46.4%,低于华尔街预期0.28%。3Q17公司营收同比增51.81%,毛利率46.4%. 4Q17公司预计营收25.5亿美元,同比增长35.5%,毛利率上升至47.5%。


表1:3Q17拉姆研究业绩基本符合华尔街预期资料来源:Bloomberg Estimates,申万宏源研究 

注1:预测偏离指季报前一日彭博一致预期与实际值的偏差,正值表示超预期,负值表示低于预期;


拉姆研究业务和行业概览

全球领先的薄膜沉积、等离子蚀刻和清洗半导体设备供应商

        拉姆研究(Lam Research)是向半导体制造产业提供晶圆制造设备和服务的主要供应商之一。拉姆研究提供包括薄膜沉积、等离子蚀刻、单晶圆清洗在内的半导体工艺所需设备和优化方案服务,应用于晶圆制造前段制程、晶圆级先进封装以及MEMS。具体而言,公司设备产品包括三大类:薄膜沉积设备(包括各类CVD、ALD,如铜膜沉积、钨膜沉积,应用于铜互联、封装凸块、RDL等,以及用于改变以上各种沉积膜的物理特性和性能的膜处理设备)、等离子蚀刻(用于FinFET晶体管栅极晶体管控制结构、High K多层结构蚀刻,以及用于3D NAND的深层结构蚀刻)、单晶圆清洗(包括湿清洗、等离子角锥清洁)。

        拉姆研究主营收入主要来自于4个领域,即NVM(非易失性存储器)、DRAM、Foundry以及逻辑和其他(Logic/Other)。3Q17公司NVM出货量占比49%,DRAM出货量占比17%,Foundry出货量占比21%,Logic/Other占比约13%。截止目前,公司设备产品相关领域的整体市占率超过35%。


图1:拉姆3Q17 NVM业务出货占比49%,其他三项业务合计占比51%,M$资料来源:LRCX,申万宏源研究

注1:CY 3Q17季报业务期间截止2017年9月;


        公司内部评估认为2018年产业资本支出将依然强劲,1H18公司设备出货量将比2H17更为强劲。公司认为2018年公司WFE设备出货增长在5~10%之间,其中超过85%来自于存储器。公司认为包括Dram和Nand在内的存储器市场景气回暖关键驱动是下游需求复苏,因此受益于存储器市场现有产能的活跃,公司在Nand和DRAM领域的设备和服务业务都保持了高速增长,亦是公司上调2017-2018成长预期的关键因素。公司认为截止2017年底,存储器供给和2015年相比并没有增加,并且在可预见的程度上认为,2018年的产能投放下游客户大多保持克制。


        公司认为当前产业资本支出仍处于可持续和理性水平。在2Q17季报中公司提到2017年DRAM供给的增加仅约1%~3%,产能扩充保持你了充分的理性。截止目前有所区别的是,公司认为20nm制程DRAM产能占比的提升快于之前的预计,但公司同时认为制程更新带来的单位容量供给边际增加在减小。公司对未来3年DRAM供给增长的假设目前仍然是轻微增长。公司认为存储器资本支出增速未来将稳定在20%左右,与长期平均水平一致,远低于于前一个周期的高点即30%至35%。因此公司认为供过于求的情况很难在短期内出现。


        公司认为3Q17来自中国区的出货下降并不代表趋势的意义。公司认为4Q17~3Q18全球18座新建晶圆厂中8座坐落于中国大陆(包括NAND、DRAM和逻辑,且NAND的投资明显大于DRAM),4座位于中国台湾。中国晶圆厂的投资一半来自于海外,一般来自于中国本土。


图2:Dram和NAND是拉动公司业务增长的主要动力资料来源:LRCX,申万宏源研究

注1:LRCX 3Q17季报业务期间截止2017年9月;


拉姆研究上游供应商和下游客户供应链分析

        拉姆研究上游供应商以Ultra Clean控股股份有限公司和Ichor Holdings Ltd为主。在拉姆研究上游供应商中Ultra Clean控股股份有限公司和Ichor Holdings Ltd的收入占比都超过50%,是LRCX的主要供应商。上述两家公司的业绩与LRCX关联度较高,需要重点关注LRCX的业绩表现。


表2:Ultra Clean控股和Ichor Holdings Ltd与LRCX的业绩关联度较高资料来源:Bloomberg,申万宏源研究

注1:“收入%”指核心公司采购额占该供应商收入比例,“成本%”指来自于该供应商的采购额占核心公司成本/Capex比例;

 

        LRCX下游客户以存储供应商以及逻辑代工商为主,如美光、海力士和台积电。拉姆研究的订单和收入增长需重点关注以上三家企业的资本支出规划。


表3:LRCX下游客户以韩企、台企、美企为主,台积电对CY营收贡献最大资料来源:Bloomberg,申万宏源研究

注1:“收入%”指来自于该客户的销售额占核心公司收入比例,“成本%”指该客户采购额占其总成本/Capex比例;


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