拉姆研究(Lam Research)是向半导体制造产业提供晶圆制造设备和服务的主要供应商之一。拉姆研究提供包括薄膜沉积、等离子蚀刻、单晶圆清洗在内的半导体工艺所需设备和优化方案服务,应用于晶圆制造前段制程、晶圆级先进封装以及MEMS。具体而言,公司设备产品包括三大类:薄膜沉积设备(包括各类CVD、ALD,如铜膜沉积、钨膜沉积,应用于铜互联、封装凸块、RDL等,以及用于改变以上各种沉积膜的物理特性和性能的膜处理设备)、等离子蚀刻(用于FinFET晶体管栅极晶体管控制结构、High K多层结构蚀刻,以及用于3D NAND的深层结构蚀刻)、单晶圆清洗(包括湿清洗、等离子角锥清洁)。
拉姆研究主营收入主要来自于4个领域,即NVM(非易失性存储器)、DRAM、Foundry以及逻辑和其他(Logic/Other)。3Q17公司NVM出货量占比49%,DRAM出货量占比17%,Foundry出货量占比21%,Logic/Other占比约13%。截止目前,公司设备产品相关领域的整体市占率超过35%。
图1:拉姆3Q17 NVM业务出货占比49%,其他三项业务合计占比51%,M$资料来源:LRCX,申万宏源研究
注1:CY 3Q17季报业务期间截止2017年9月;
公司内部评估认为2018年产业资本支出将依然强劲,1H18公司设备出货量将比2H17更为强劲。公司认为2018年公司WFE设备出货增长在5~10%之间,其中超过85%来自于存储器。公司认为包括Dram和Nand在内的存储器市场景气回暖关键驱动是下游需求复苏,因此受益于存储器市场现有产能的活跃,公司在Nand和DRAM领域的设备和服务业务都保持了高速增长,亦是公司上调2017-2018成长预期的关键因素。公司认为截止2017年底,存储器供给和2015年相比并没有增加,并且在可预见的程度上认为,2018年的产能投放下游客户大多保持克制。
公司认为当前产业资本支出仍处于可持续和理性水平。在2Q17季报中公司提到2017年DRAM供给的增加仅约1%~3%,产能扩充保持你了充分的理性。截止目前有所区别的是,公司认为20nm制程DRAM产能占比的提升快于之前的预计,但公司同时认为制程更新带来的单位容量供给边际增加在减小。公司对未来3年DRAM供给增长的假设目前仍然是轻微增长。公司认为存储器资本支出增速未来将稳定在20%左右,与长期平均水平一致,远低于于前一个周期的高点即30%至35%。因此公司认为供过于求的情况很难在短期内出现。
公司认为3Q17来自中国区的出货下降并不代表趋势的意义。公司认为4Q17~3Q18全球18座新建晶圆厂中8座坐落于中国大陆(包括NAND、DRAM和逻辑,且NAND的投资明显大于DRAM),4座位于中国台湾。中国晶圆厂的投资一半来自于海外,一般来自于中国本土。
图2:Dram和NAND是拉动公司业务增长的主要动力资料来源:LRCX,申万宏源研究
注1:LRCX 3Q17季报业务期间截止2017年9月;