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雷军:有充分的理由做芯片;大陆晶圆厂设备支出2019年将跃居全球第一;RDA量产第20亿颗GSM PA芯片并推CMOS PA

集微网  · 公众号  · 硬件  · 2017-03-09 06:47

正文

1.雷军:有充分的理由做芯片;

2.大陆晶圆厂设备支出2019年将跃居全球第一;

3.RDA量产第20亿颗GSM功率放大器芯片并推出硅基CMOS PA;

4.邓中翰建议扶持自主芯片企业境内外上市融资;

5.日媒称美的考虑收购东芝芯片业务 美的否认;

6.清华教授论文评述智能材料与穿戴式触觉传感器


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1.雷军:有充分的理由做芯片;



  每经记者 张斯 每经编辑 卢祥勇


  虽然小米手机已经从巅峰时期回落,但不可否认,雷军是一个成功的商人。


  “雷布斯”一直是小米创始人雷军喜欢的名字,因为乔布斯是雷军模仿的英雄。雷军也是很多年轻人崇拜的对象。但当雷军宣布耗资超过10亿元造出了手机芯片,挑战高通、苹果、三星、华为这些世界级公司的时候,不信的人比信的人更多。雷军更像是中国手机行业的堂吉诃德大战风车,理想很充实,现实很骨干。


  但是,当外界了解了自主芯片对于一家手机厂商,特别是对国产手机厂商的意义,就能理解雷军对手机芯片的执着。在这一点上,华为是最典型的范例。


  ●小米有充分的理由做芯片


  2月28日,传言两年多的的小米自研芯片终于来了。站在演讲台上的雷军,捏起一块小米自研芯片澎湃S1,对台下观众调侃道:“这不是一个‘PPT’芯片,我们已经量产了。”


  小米为什么要做芯片,成为每个人脑海里的不解之题,因为这是一场风险很大的冒险。在国内,目前仅有华为一家手机厂商采用自主芯片,即便出货量巨大的OPPO、vivo也没谁敢将自主芯片提上日程。


  连雷军自己也坦承,“做芯片是九死一生,我们抱着十亿资金投入,十年研发周期的心态去做。”


  在去年传言最热的时期,业内关于小米做芯片的原因有几种猜测。有人说,小米做芯片是因为雷军不服气;也有竞争对手说,其品牌的作用大于实际作用;还有人说,是为了印度市场专利的问题;甚至有人说,是政府支持的原因。对于这些说法,哪种可能性更高?在后来的媒体采访中,雷军并未直面回复。


  雷军把当下做手机称为很难的业务,在他看来,手机行业的竞争已经进入了下半场。在淘汰赛的阶段,竞争会更激烈。大家都需要在核心技术上突破,而每一点点的技术突破,在今天手机行业里都需要付出巨大的代价。小米今天做出芯片,只是想证明,未来也会投资做屏幕、相机各个核心器件。


  诚然,只有在核心技术上有自主权,公司才能走得远。小米想要掌握核心技术,成为一家伟大的公司,芯片恰好是手机科技的制高点。“目前世界前三大的手机公司(三星、苹果和华为),都掌握了芯片技术,小米要想跻身全球前几大手机厂商的话,也要拥有自己的核心技术。”雷军说。


  事实上,业界也部分认可雷军的说法。IT评论人士孙永杰在接受《每日经济新闻》采访时表示,总归是推芯片比不推要好,可以有效释放供应链压力,取得更多的自主权。


  雷军曾对外宣称,2016年上半年至少有3个月处于供应链严重跟不上的状态,这是小米出货量不及预期的一个重要原因。


  一位小米手机供应链厂商的高管曾向媒体透露,芯片是手机专利很重要的一部分,如果小米自主芯片拿到更多的专利,将有助于它解决专利问题。


  ●基带是难以迈过的坎儿


  小米的手机芯片之所以会引起巨大的社会舆论,归根到底还是一个字——难。做芯片难在研发技术,难在超出想象的资金投入。在小米发布会现场的体验区,有位业内体验者如此评价芯片,“谁花的钱越多,谁做的就越好。”


  对此,雷军也坦承,“我听说做芯片的,他们做那种旗舰芯片每一代的投资都在十亿美金以上。”


  “芯片产业的研发持续高投入、周期长、见效慢的特点,决定了小米即便是勉强推出一代芯片,后续的研发投入能否持续也成为问题。”孙永杰认为,从体量(例如企业的规模、资金等)、实力和积淀上看,小米与苹果、三星和华为这些拥有自主芯片设计能力的手机厂商相比存有巨大的差距。


  首先最直观的比较就是出货量和盈利情况。据IDC对于2016年全球智能手机出货量的统计显示,三星依然是全球最大的智能手机厂商,去年出货量高达3.1亿部;苹果名列第二,出货量为2.15亿部;华为出货量则为1.4亿部,名列第三;LG出货量则为7500万部,排名第六。


  目前,上述四家都是拥有自主芯片设计能力的手机企业,从盈利的情况看,除了苹果之外,三星、华为的盈利水平并不高,LG则更是处在亏损状态。也就是说,想要通过自主设计芯片规模和成本的优势,带来大幅成本降低和节约的规模效应,出货量起码应该在亿级。而相比之下,小米去年的出货量为仅在5000~ 6000万部左右。


  “之前雷军也说了,小米要通过互联网服务赚钱,坚持打性价比优势,红米还是出货量的主力,但小米芯片澎湃1却选择用在了中端机型小米5c上。”所以,孙永杰认为,雷军没有想着让芯片马上大规模铺开。


  在孙永杰看来,小米芯片带给小米的影响在短期内(三、四年)不会有什么改变。对于国产手机企业来说,营销和渠道更重要。从中国手机厂商OV(代指OPPO和vivo)的快速崛起也能够从另一个侧面再次证明,是否拥有自主芯片设计能力并非是手机厂商的必选项。


  毫无疑问,市场的现实,似乎已经没有留给小米试错的时间窗。尤其是在目前小米面临营销和渠道巨大投入的情况下也存有相当的变数。小米要想跻身全球前几大手机厂商的话,需要投入的地方太多了。通过研发芯片完成销量目标的路径并非易事,更并非当下最重要的事。


  如果抛开小米当下最现实的问题,从一个公司的长远战略来讲,小米芯片能否实现后来者居上的逆袭呢?芯谋咨询(ICwise)首席分析师顾文军在接受《每日经济新闻》采访时表示,“我觉得挺难的,对手机芯片来说,基带芯片更关键,小米在做这一块很难。”


  某种程度上来说,Soc(System on Chip,芯片级系统)是手机的命门,基带则是Soc的命门。此前,智东西联合创始人国仁在评论中也同样指出,在手机芯片生产领域全无经验的小米来说,澎湃S1至少给出了一个及格的成绩。落后的基带、28nm制程的短板,只能算是中端定位。而更致命的是,今后小米想制造高端Soc时,高通作为现今小米高端Soc的供货商,可以用手里的基带专利对小米形成巨大的限制。


  事实上,小米芯片的基础背景决定了雷军的高度,公开资料显示,2014年11月,大唐电信(16.960, 0.06, 0.36%)将全资子公司联芯科技的LC1860平台以1.03亿元的价格授权给了小米和联芯共同成立的松果电子公司,自此业内就开始出现小米在推自有设计芯片的传闻。松果电子员工主要由联芯员工分流而来,新公司的封装测试、晶圆制造依然委托大唐联芯负责。


  “最终比拼的是基带,但联芯科技的技术成熟度和规模不及主流芯片厂商,包括高通、联发科、三星、展讯和海思,这似乎注定了小米自有设计芯片的水平最好也超不过联芯科技本身。”在孙永杰看来,因为与联芯科技的关系,澎湃1芯片更像是贴牌。


  正如业界所言,小米面临的挑战还有很多。顾文军指出,芯片需要踏踏实实做,互联网思维起不到作用,这对互联网思维起家的小米是最大的挑战。尤其是小米多元化发展后,手机业务停滞不前,量下来了。如果量了下来,对做芯片来说没有任何成本优势。



  ●九死一生却能获江湖地位


  俗话说,欲戴王冠,必承其重。尽管小米在芯片之路上有诸多的困境和挑战,但芯片确实是卡住国产手机向顶级梯度发展的一道重要门槛,如果不做自己的芯片,国产中高端手机不仅会在性价比优势上失守,更重要的是,永远走不到更高的行业位置,永远受制于人。


  2015年底,骁龙820处理器发布前夕,三星以及以乐视和小米为代表的的一众国产手机为了这块芯片争得头破血流,谁都想要拿高通的高端芯片作为新产品宣传亮点。这种情况实在是太常见了,到现在依然如此。


  在获取自主权这一点上,华为是最典型的范例。公开资料显示,从华为的麒麟芯片诞生至今,用户已经突破了1亿,而处理器的型号也从K3V2发展到现在的麒麟960。麒麟处理器的累计出货量已经达到了8000万,这是一个相当给力的数据。


  但海思芯片也经历过被质疑的漫长之路。从2004年10月开始做算起,到2014年,搭载海思麒麟920芯片的荣耀6手机以及搭载海思麒麟925芯片的Mate 7手机发布,海思用了近十年才站到世界舞台,逐渐得到认可。


  雷军在发布会之后接受媒体群访时也坦言,小米曾专门研究过华为的海思芯片。在他看来,小米在这个时间点切入,从基础技术的成熟度来看比华为最早做芯片时高不少,有一定的后发优势。


  不过,其他自主芯片手机厂商的经历证明,真正能够为自己带来实际的价值,少则需要两代产品,甚至多代的试错和更迭。即便是在芯片领域深耕均超过20年的高通和联发科,也时常会出现故障。


  雷军也很认同“做芯片很难”这一点,就在发布会前一天,小米手机官方微信公号发表文章为发布会预热,文章标题为“明知九死一生,为何还要做芯片”。


  顾文军认为,小米做芯片主要是看到苹果、华为和三星自己做。因为有了自研芯片的底气在,华为近年的旗舰新品总能成为令人羡慕的存在。


  据了解,最早华为的数据通信基带例如数据卡之类都用的是高通基带。如果当年高通不是基带芯片优先供货中兴,对华为经常延迟发货或直接断货,也不会直接催生海思巴龙基带(大概在2007年立项),发展到现在的海思,这使得在SoC上华为海思成为唯一一个可以完全和高通正面竞争的芯片商。


  事实上,高通、MTK、三星等厂商的手机芯片经常被“限量供应”,而导致手机终端厂商的缺货,所有这些后果都要消费者来承担,对品牌伤害巨大。


  自2017年开始,在上游供应链的重压力之下,多家国产手机厂商已被迫逐步完成价格层级上的调整。一位不愿具名的券商TMT分析师对《每日经济新闻》记者表示,从2016年下半年,手机工业发展20年来第一次遇到了涨价,包括屏幕、内存、存储,还有与摄像头相关的所有手机的核心元器件都在涨价,其中,存储芯片涨价幅度超过了20%。


  手机中国联盟秘书长王艳辉则表示,“目前来看上游材料涨价还在持续,2017年以来芯片材料晶圆上涨了至少10%。”因此,小米芯片背后的意图主要是在于增强自身在供应链的话语权,“只有产品有溢价能力,才能抵抗一些市场因素引起的成本波动。”


  显然,又一家国内厂商有机会让芯片和手机一起生产,打造出能够完全发挥出硬件性能来的软件系统,这是解决生态问题的一个优势,更是站到世界舞台中央与之一决高下的底气。


    来源:每日经济新闻


2.大陆晶圆厂设备支出2019年将跃居全球第一;



随着大陆半导体业者在2016年宣布将要兴建,或正在兴建中的新晶圆厂设备计划数已达20余处,预计2018年当地晶圆设备支出将会超过100亿美元,并且2019与2020年此一支出还会继续扬升,使大陆地区跃升为全球最大的晶圆设备市场。


半导体产业资讯业者Semiconductor Advisors LLC分析师Robert Maire表示,大陆地区晶圆设备支出,很可能即将超越台湾与韩国,不但会跃居为全球第一线半导体生产要地,也很可能会创下单一地区最高支出新纪录。


也因着大陆新建晶圆厂的增加,从而为半导体设备、材料、服务,以及关键系统等供应商提供了重要市场机会。


根据国际半导体设备材料产业协会(SEMI)先前公布资料,近年大陆地区半导体设备销售额,以及在全球总销售额中的占比均持续上扬。以2016年为例,大陆半导体设备销售额已占全球16.88%,仅次于台湾的28.34%,以及韩国的17.99%。


2017年大陆地区投资金额水涨船高


SEMI表示,2017年将会是大陆地区晶圆设备支出组成的分水领。在2017年之前,大陆晶圆设备支出所需资金大多来自如三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)与英特尔(Intel)等海外跨国业者。


然而约由2017年起,这些跨国业者,再加上如台积电、联电和GlobalFoundries等,虽然仍然继续会在大陆投资,但由大陆业者而来的投资金额也会越来越多,并且逐渐成为设备支出成长的主要驱动力。


预估2018年大陆业者投资金额,将约占当地总支出金额的半数;2019与2020年大陆业者投资则会占总支出半数以上。


投资多集中在存储器和晶圆代工设备


SEMI表示,在大陆将要兴建,或正在兴建中的20余处新晶圆厂设备中,有16处为12吋(300mm)晶圆设施。而在12吋晶圆设施中,又以存储器和晶圆代工设施数量为最多。


此外预计由2017年起,晶圆代工设施将会成为大陆地区晶圆设备支出最主要部分,并且此一趋势会一直延续到2020年。


在新建存储器晶圆设施部分,除韩国三星计划在大陆西安进行3D NAND Flash第二阶段扩厂外,大陆业者长江存储/武汉新芯、紫光集团、福建晋华,以及兆易创新等也正在或计划在南京、武汉、福建与合肥等地兴建DRAM或NAND Flash存储器厂。


NAND Flash仍具机会 DRAM面临挑战


不过SEMI表示,就现有技术与人力资源而言,大陆业者在存储器市场将会面临挑战。在3D NAND方面,由于该市场具有强劲成长潜力,再加上各技术仍相对处于早期阶段,因此对3D NAND制造设施的投资,仍然具有相当的市场机会。


然而在DRAM方面,由于该市场成长已经放缓,进一步技术发展也越来越困难,再加上目前市场上已有不少经营许久的业者,预计大陆DRAM业者可能会面临重大挑战。


晶圆代工成长势头不减


再就晶圆代工而言,目前大陆中芯国际(SMIC)和华虹集团(HuaHong Group)等已经成为全球知名晶圆代工业者。这些业者进一步的扩厂计划,将会涵盖现有成熟与尖端制程两大部分。


如中芯国际在上海兴建采用14纳米先进制程的晶圆代工厂,并在深圳设立采用65/90纳米制程的12吋晶圆代工厂。华虹集团投资的华力微电子在上海展开的新一波扩厂计划,则是在起始阶段以28纳米制程为起步,最终目标是要达到具备14纳米3D高阶芯片制造能力。


除大陆业者外,台积电也正在南京兴建全资16纳米代工厂,联电与力晶则是与大陆业者合作,分别在厦门与合肥兴建晶圆代工厂。


虽然就长期而言,全球晶圆代工市场供过于求的隐忧仍然存在,但随着大陆半导体市场与当地半导体设计产业的快速成长,大陆与海外晶圆代工业者仍能在大陆市场看到巨大机会。


大陆IC设计业产值已高于台湾地区


根据中国半导体行业协会(CSIA)最新公布资料,2016全年大陆IC产业销售额为人民币4,335.5亿元(约合630.5亿美元),年增20.1%。其中,IC设计业销售额为人民币1,644.3亿元,年增24.1%;IC制造业年增25.1%,达人民币1,126.9亿元;封装测试业人民币1,564.3亿元,年增13%。


虽然大陆IC产业总产值仍逊于台湾,但IC设计业产值已高于台湾。据悉,台湾地区2016全年整体IC产业产值为新台币2.45兆元(约合758亿美元),年增8.2%。其中IC设计业产值为新台币6,531亿元,年增10.2%。DIGITIMES



3.RDA量产第20亿颗GSM功率放大器芯片并推出硅基CMOS PA;


集微网3月9日消息,作为中国领先的射频及混合信号芯片供应商,锐迪科微电子(以下简称“RDA”)今日宣布累计量产20亿颗GSM功率放大器芯片,并正式推出全系列硅基CMOS工艺的GSM功率放大器RTM72xx产品。


自2007年7月份推出第一款GSM 射频功率放大器芯片(以下简称“PA”)以来,RDA凭借其产品稳定可靠的品质和卓越优良的性能,获得了客户的广泛认可。截止2017年2月份,实现累计出货20亿颗。历经近十年的市场严酷考验,RDA的GSM PA芯片已成功应用于各个平台的手机和模块中,RDA成为GSM市场最成功的本土PA公司。


此次RDA推出的RTM72xx系列CMOS PA,采用了创新的系统架构和电路设计,实现了高达50%的业内最高功率转化效率,大幅领先市场同类产品(一般为35%至40%),具有低功耗的特点。低功耗能显著延长整机待机时间,并且提高PA芯片的工作寿命。经过验证,RTM72xx系列产品已经达到了与传统砷化镓PA相当的可靠性水平,从而能给客户带来最佳的应用体验。目前RDA基于标准CMOS工艺的RTM7285产品已经实现规模量产。


由于WCDMA/LTE的手机方案通常也要向下兼容GSM,因此GSM PA的芯片技术还广泛应用在WCDMA/LTE手机方案中,并由发射模块芯片(Transmit Module,集成了GSM PA和天线开关)实现该功能。RDA的射频整体方案通过最佳性价比的发射模块芯片配合 “Easy Matching”系列高性能WCDMA/LTE PA产品,从而具有最好的竞争力,一经推出便受到市场普遍欢迎。


 “RDA是本土射频技术的长期耕耘者,基于CMOS工艺的RTM72xx系列新品具有明显的竞争优势,市场前景非常令人期待” RDA 董事长李力游博士表示,“RDA将在射频技术方面进行密集投入和持续创新,为客户提供完善、可靠、优秀的射频解决方案,满足客户从入门级到中高端的多样化射频要求,最终成为射频芯片的领军企业”。



4.邓中翰建议扶持自主芯片企业境内外上市融资;


路透上海3月8日 - 中国工程院院士、中星微电子董事长邓中翰建议,为加速中国自主芯片的开发进程,应加大对重点企业的金融支持力度,扶持自主芯片企业在境内外上市融资、发行各类债务融资工具,以及依托全国中小企业股份转让系统加快发展。


中国证券报周三报导并引述他在参加全国人大和政协两会时建议称,通过精准扶持、技术扶贫方式,为行业领先的自主芯片企业开辟境内上市“绿色通道”。  


他建议,科技部牵头加大对自主芯片研发的支持力度,发改委和财政部予以项目立项和经费支持;鼓励和支持国家科研单位和芯片企业间建立长期和深层的合作机制,以便调集和整合各个研发机构的实力,合力支撑中国在国际竞争中的领先地位。  


另外,建议通过国家集成电路产业投资基金,加大对自主芯片开发的投入力度,在目前重点支持制造企业的同时,注重对芯片设计企业的经费支持;支持设立地方性集成电路产业投资基金,鼓励社会各类风险投资和股权投资基金进入芯片技术领域。  


邓中翰同时指出,应强化军民融合创新的顶层设计,深入开展从基础研究到技术研发、集成应用等创新链的一体化设计,构建军民共用技术项目的联合论证和开发模式,建立产学研结合的深度融合科技创新体系,让先进的自主芯片技术更好地支持国防建设等。  


他认为,中国专注于人工智能芯片研究的企业数量有限,且总体研发投入能力有限,持续创新能力较弱,迫切需要国家层面的资金投入与政策支持,才能确保中国在未来10年的人工智能发展最关键技术时期,具备与欧美强国抗衡的科研实力和研发进展,确保中国在科技进步浪潮中始终处于国际领先地位。


中星微电子是国内快速发展的安防技术和解决方案提供商,同时亦是多媒体芯片设计大厂,2015年底公司完成私有化交易,自纳斯达克市场退市。(完)



5.日媒称美的考虑收购东芝芯片业务 美的否认;


日本媒体报道称,美的考虑收购东芝的芯片业务。不过随后,美的官方对此予以否认。


日经亚洲评论网站稍早报道援引美的高级副总裁袁利群称,美的有意收购东芝的芯片业务,且已经组建了一个内部的“东芝策略团队”,“美的是一家开放的企业,如果(对东芝芯片业务的)投资顺利进行,将有能力对其予以整合。”


随后腾讯财经援引媒体官方回应称,关于东芝旗下半导体业务收购消息报道失实,美的集团并未有上述打算,也不会违反上市公司规定发布此等消息。


核电业务的巨亏,导致东芝深陷财务危机。1月底,东芝宣布剥离主要收入源芯片业务,寻求最多出售其20%的股权。


上月中旬,东芝对核电业务减记62.8亿美元,并预计2016年财年(截至3月31日)的年度亏损将达到3900亿日元(34.4亿美元)。东芝董事长贺重典(Shigenori Shiga)也在2月15日辞职。


随后日本媒体Nikkan Kogyo报道称,东芝寻求出售芯片业务多数股权,筹资88亿美元,并将在5月底之前针对该业务出售事宜选出优先竞购方。


Nikkan Kogyo报道提到,台积电可能通过投资东芝的芯片业务来加强二者之间的合作。苹果和微软也对该业务感兴趣,韩国的SK海力士半导体公司、富士康以及私募基金银湖也是潜在买家。


日经上述报道援引袁利群称,自1990年代以来,美的就在空调业务上与东芝进行合作,“这对双方都带来很大利润,我们也建立了互信的关系,管理层仍然保持密切联系。”她还表示,美的在寻找新的并购项目,一直留意扩张的计划。


在此以前,美的集团已在海外进行多笔并购。去年6月,美的以500亿日元(4.38亿美元)收购了东芝家电业务。今年1月,美的以45亿欧元(47.6亿美元)收购德国机器人生产商库卡的交易也已完成。华尔街见闻



6.清华教授论文评述智能材料与穿戴式触觉传感器


清华新闻网3月8日电 3月6日,清华大学材料学院朱宏伟教授等在《材料科学与工程R:报告》(Materials Science and Engineering R: Reports)上发表了题为《穿戴式触觉传感器:材料、传感机制与器件性能》(“Recent advances in wearable tactile sensors: Materials, sensing mechanisms, and device performance”)的长篇综述论文,总结了近年来可穿戴式柔性触觉传感器研究的重大突破和进展,从基本概念、材料选择、传感机制、性能优化、多功能集成和潜在应用等几个方面进行了系统评述,并对未来科研热点(如物联网、虚拟现实/增强现实)做了展望。 




穿戴式触觉传感器材料选择、传感机制、性能优化示意图。


近年来,便携式智能电子产品发展日新月异,出现了众多多功能的可穿戴器件。将电子产品用于手镯、眼镜和鞋子等随身穿戴品一样“穿戴”在身上已然成为一种新时尚。其中,穿戴式触觉传感器是当下科技圈最前沿的领域之一,可模仿人与外界环境直接接触时的触觉功能,主要包括对力信号、热信号和湿信号的探测,是物联网的神经末梢和辅助人类全面感知自然及自己的核心元件。从上个世纪七八十年代以来,触觉传感器件就引起了材料、物理、化学、电子、机器人等多学科领域研究者的广泛关注。发展穿戴式、能够适应基底任意变形、同时对多种无规则触觉刺激有准确响应的新型触觉传感器件至关重要。随着石墨烯、碳纳米管、氧化锌、液态金属等新型功能材料的出现,柔性电子相关制备技术的革新,穿戴式触觉传感器的研究在近几年得到了迅猛的发展。


穿戴式触觉传感器通常构建在类似皮肤的弹性基底或者可伸缩的织物上以获得柔性和可伸缩性。从换能机理来看,触觉传感主要应用了压阻式、电容式和压电式等传感技术,每种传感原理都有其特点和适合的应用场所。随着材料科学、柔性电子和纳米技术的飞速发展,器件的灵敏度、量程、规模尺寸以及空间分辨率等基础性能提升迅速,甚至超越了人的皮肤。同时,为了适应对力、热、湿、气体、生物、化学等多刺激分辨的传感要求,器件设计更加更精巧,集成方案也更加更成熟。具有生物兼容、生物可降解、自修复、自供能及可视化等实用功能的智能传感器件也应运而生。此外,穿戴式电子产品朝着集成化方向发展,即针对具体应用将触觉传感器与相关功能部件(如电源、无线收发模块、信号处理、执行器等)有效集成,打造具有良好柔性、空间适应性和功能性的穿戴式平台。


目前,穿戴式触觉传感器在实际应用仍然面临很多挑战,例如传感器在反复变形过程中的性能退化,多刺激同时探测的串扰解耦,穿戴式平台内部器件之间的力、热、电性能匹配等。应对这些挑战将带来新的机遇,为相关材料制备、器件加工及系统集成指明未来的发展方向。毫无疑问,穿戴式触觉传感器将朝向更加柔性化、小型化、智能化、多功能化、人性化方向发展。触觉传感器的适用范围将大大拓宽,在人机交互系统、智能机器人、移动医疗等领域具有巨大的应用前景。


《材料科学与工程R:报告》主要发表材料科学与工程领域前沿方向及相关热点科学问题的长篇综述文章(影响因子为24.652),每年出版12期,每期仅选登1篇文章。本文通讯作者为清华大学材料学院朱宏伟教授,第一作者为材料学院2012级博士生杨婷婷,合作者包括北京大学微电子学研究院的李志宏教授和清华大学微电子学研究所的谢丹副教授。相关研究工作得到了国家自然科学基金和唐仲英基金等项目的资助。


论文链接:


http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0927796X16301231


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