【东兴电子】半导体设备：刻蚀机走在国产替代前列

光刻机、刻蚀机和薄膜沉积设备是芯片制造过程中的三大核心设备，如果把芯片比作一幅平面雕刻作品，那么光刻机是打草稿的画笔，刻蚀机是雕刻刀，沉积的薄膜则是构成作品的材料 。光刻的精度直接决定了元器件刻画的尺寸，刻蚀和薄膜沉积的精度则决定了光刻的尺寸能否实际加工，因此光刻、刻蚀和薄膜沉积设备是芯片加工过程中最重要的三类主设备，价值占前道设备的近 70% 。

2018年半导体设备的全球市场规模约645亿美元 ， 全行业 处 于寡头垄断格局 。其中阿斯麦独自垄断高端光刻机，泛林半导体、应用材料和东京电子是三家最主要的刻蚀和薄膜沉积设备生产商。观察当前的半导体行业格局和特点，我们需要理解如下三个问题：

在制造业中，产业链步骤越多，上游设备材料商的话语权越强。 晶圆的加工流程动辄需要几千步，晶圆厂为使良率达标而花费大量的精力，没有余力去做设备和材料的开发，因此晶圆厂宁愿为设备厂商让渡更多利润，来获得其最新的产品和持续的技术支持。 设备企业对于晶圆加工厂来说更像是外置的研发中心。 半导体设备的购买对于晶圆厂来说不仅仅是产能的提升，更是制程精进的基础，这种相互配合的研发模式是设备行业常年高利润的另一个原因。此外， 设备定制化也带来极高的客户粘性和转换成本。

在高端光刻领域，浸没式光刻是干法光刻的替代技术， 新旧技术的替代带来了光刻机的完全垄断 。 ICP刻蚀并不是CCP刻蚀的替代技术 ，而是各有所长，侧重了不同工艺步骤，新旧技术共存形成了刻蚀领域的寡头竞争。

光刻机的技术瓶颈推动刻蚀市场发展。 在光刻技术停滞不前的情况下， 想要继续提升制程大体有两个思路，即双重光刻+刻蚀，或多重薄膜+刻蚀，无论用哪种思路都离不开刻蚀步骤的增加。 芯片设计的变化带来刻蚀设备需求的提升 ，近几年来3D NAND等新结构的应用导致在存储器制造过程中刻蚀步骤大幅增加。

展望未来，国产半导体设备正在逆袭：

投资策略： 建议关注国产刻蚀机龙头企业 中微公司 。

风险提示： 外部环境发生重大变化，下游需求不及预期，长江存储扩产进度不及预期，海外客户拓展不及预期等。

如需完整版报告请与东兴研究员或对口销售联系。