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太厉害了,国家杰青66天发表1篇Nature+3篇Science!

iNature  · 公众号  ·  · 2024-07-05 09:28

正文


iNature


菱形堆积的过渡金属二硫族化合物(3R-TMDs)表现出更高的载流子迁移率、滑动铁电性和相干增强的非线性光学响应。 然而,大型多层3R-TMD单晶的表面外延生长是困难的。

2024年7月5日,北京大学刘开辉、中科院物理研究所张广宇及 中国人民大学 刘灿共同通讯在 Science 在线发表题为“ Interfacial epitaxy of multilayer rhombohedral transition-metal dichalcogenide single crystals ”的研究论文,该研究 报告了一种界面外延方法,用于几种组合物的生长,包括二硫化钼(MoS 2 ),二硒化钼,二硫化钨,二硒化钨,二硫化铌,二硒化铌和亚硒化钼。

在单晶Ni衬底和生长层之间的界面上连续添加金属和硫原,确保了一致的3R堆叠顺序,并将厚度控制在几层到15000层之间。综合表征证实了这些薄膜的大规模均匀性、高结晶度和相纯度。生长的3R-MoS 2 在双层和三层的室温迁移率分别达到155和190平方厘米/伏特秒。在准相位匹配条件下,厚3R-MoS 2 的光学差频产生的非线性响应明显增强(比单层高5个数量级)。

另外, 2024年6月13日,北京大学 江颖、 王恩哥、 刘开辉、徐莉梅及香港城市大学曾晓成共同通讯(吴达 赵正朴 Bo Lin 宋易知 戚嘉杰 为共同一作 )在 Science 在线发表题为“ Probing structural superlubricity of two-dimensional water transport with atomic resolution ”的研究论文, 该研究使用基于qPlus的原子力显微镜直接成像石墨烯和六方氮化硼表面上二维水岛的原子结构和输运。 由于表面静电的不同,水岛的晶格与石墨烯表面不相称,而与氮化硼表面相称。石墨烯表面的面积归一化静摩擦随着岛面积的增加而减小(约-0.58),表明石墨烯具有超润滑行为。相比之下,氮化硼的摩擦对面积不敏感。分子动力学模拟进一步表明,石墨烯上的水岛摩擦系数可以降低到<0.01。 总之,实验数据证实了石墨烯上水岛传输的无摩擦极限,并与分子动力学模拟一起证明了这种特性源于水-水和水-表面相互作用之间的微妙相互作用( 点击阅读 )。

2024年6月6日,北京大学刘开辉、中国人民大学刘灿、中国科学院半导体研究所魏钟鸣及中国科学院深圳先进技术研究院丁峰共同通讯在 Science 在线发表题为“ WS 2 ribbon arrays with defined chirality and coherent polarity ”的研究论文, 该研究报道了通过原子制造策略合成具有明确手性和相干极性的单晶WS 2 带阵列。 WS 2 带的手性由底物耦合为可调扶手型、之型和手性三种类型来定义,极性方向由带-前驱体界面能沿相干方向决定。单个扶手椅带状显示出强大的体光伏效应,进一步集成约1000条具有相干极性的排列带状可以实现光电流的放大( 点击阅读 )。

2024年5月1日,中国科学院物理研究所白雪冬、王理、北京大学刘开辉、中国科学院深圳先进技术研究院丁峰及西湖大学郑小睿共同通讯(王理、戚嘉杰、魏文娅及吴梦奇为共同第一作者)在 Nature 在线发表题为“ Bevel-edge epitaxy of ferroelectric rhombohedral boron nitride single crystal ”的研究论文, 该研究报告了一种简单的方法,使用斜边外延来制备厘米大小的单晶rBN层,并在相邻的镍表面上精确地层间ABC堆叠。 该研究成功实现了在单晶镍基板上的精确制造,在斜面(110)处有台阶边缘的阶梯形(100),同时引导BN层中一致的硼氮键取向,并通过每个斜面附近的成核来引导BN层的菱面体堆叠。该研究验证了BN层的纯菱形相,并在高居里温度下表现出坚固、均匀和可切换的铁电性。 本研究为单晶二维层的精确堆叠控制生长提供了有效途径,并为基于堆叠二维材料的多功能器件的应用奠定了基础( 点击阅读 )。

二维(2D)过渡金属二硫族化合物(TMDs)是下一代电子集成电路(ICs)中超大尺寸晶体管和光子集成电路中超紧凑元件的有前途的材料。 理论分析和实验验证一致表明,与单层和六边形(2H) TMDs相比,菱形(3R) TMDs具有增强的电流密度和更高的载流子迁移率,这使得它们非常适合用于亚5纳米节点晶体管通道。同时, 3R-TMDs的层间堆叠方式既具有破碎的面内反转,又具有面外镜像对称,从而实现了可切换的界面铁电性、高能效体光伏效应和非线性光学响应的建设性干涉。
单晶3R-TMD的生产受到限制,因为TMD层在各种衬底(包括SiO 2 /Si、蓝宝石、云母、玻璃、石英、SrTiO 3 和Au)上的生长主要遵循表面外延工艺。 在这种生长机制下,新层生长在现有层的顶部,这本质上限制了层数或堆叠相的精确控制,因为层间相互作用非常弱。 虽然通过在特定衬底上逐层生长或直接双层成核可以获得少量的TMD薄膜,但衬底的表面接近效应会随着层数的增加而迅速减弱。
3R-TMDs表面和界面外延示意图(图源自 Science
TMD 超过两层时,衬底表面能的影响几乎为零,较厚的层外延失效。 更值得注意的是,3R相和2H相之间的最小能量差(通常,2H相比3R相小1到10 meV/unit cell)导致它们的涡轮相以2H相为主共存。因此,3R-TMD薄膜的大规模生长面临着表面外延生长的重大挑战。
菱形BN成功生长3R薄膜的一个值得注意的例子是通过沉淀溶解在Fe-Ni合金中的B和N原子来实现的。 然而,对于 TMD 来说,情况变得特别复杂,因为大多数金属容易发生硫原化和劣化(然而,一个例外是Au,它主要落在单层的表面外延中)。 该研究提出了一种通用的界面外延策略,用于在含过渡金属(Ni-M合金)的Ni衬底上生产晶圆级3R-TMD单晶。
通过打破金属硫属化合物的表面悬垂键,轻轻地释放出硫原子,从而防止了由硫引起的Ni-M金属劣化。 因此,硫原子充分溶解到Ni-M衬底中,然后在衬底-现有层界面处外延析出新层。通过连续提升形成的层来保持界面的活性,从而驱动多层的连续外延。同时,在生长过程中保持了金属台阶表面的形貌,验证了每层的单向取向。 理论计算进一步表明,台阶边和TMD之间的耦合决定了每个单层的方向,而TMD层之间的层间耦合保证了纯3R的叠加顺序,从而实现单晶3R相多层。

参考消息:
https://www.science.org/doi/10.1126/science.ado6038

END

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