1.证监会核发上海韦尔等10家企业IPO批文 筹资额不超过31亿元；
2.中国首个泛半导体产业博览会8月底亮相北京亦庄；
3.北大课题组：高性能二维半导体新材料展现出优异性能；
4.功率半导体：自主可控迫在眉睫 产业地位稳步提升；
5.加快建设合肥综合性国家科学中心的实践与思考
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1.证监会核发上海韦尔等10家企业IPO批文 筹资额不超过31亿元；
新一批的IPO批文4月7日下发，10家企业筹资总额不超过31亿元。证监会要求上述企业及其承销商将分别与沪深交易所协商确定发行日程，并陆续刊登招股文件。
这是证监会今年以来下发的第12批IPO批文。由此，今年以来已经有128家企业拿到了IPO批文，筹资总额不超过636亿元。
昨日拿到批文的企业中，上交所主板4家，分别是金石资源集团股份有限公司、亚士创能科技(上海)股份有限公司、上海韦尔半导体股份有限公司、浙江迪贝电气股份有限公司；深交所中小板1家，为绿康生化股份有限公司；深交所创业板5家，分别是深圳市超频三科技股份有限公司、浙江正元智慧科技股份有限公司、四川侨源气体股份有限公司、福建星云电子股份有限公司、万通智控科技股份有限公司。
根据规定，公开发行股票数量在2000万股（含）以下且无老股转让计划的，直接定价并全部向网上投资者发行，因此本次将有浙江正元智慧科技股份有限公司、福建星云电子股份有限公司等2家公司直接定价发行。
另外，根据证监会安排，4月11日创业板发审委将审核烟台正海生物科技股份有限公司、深圳市民德电子科技股份有限公司和苏州晶瑞化学股份有限公司等3家公司的首发申请；4月12日，主板发审委将审核山东先达农化股份有限公司、山东元利科技股份有限公司、江苏海鸥冷却塔股份有限公司、深圳市财富趋势科技股份有限公司和贵阳新天药业股份有限公司等5家公司的首发申请。 中国经济网
2.中国首个泛半导体产业博览会8月底亮相北京亦庄；
人民网北京4月8日电（孟竹） 4月7日，“互联互通，共享共创——2017北京国际泛半导体产业博览会（IC+ EXPO）”（以下简称“博览会”）新闻发布会召开，重点介绍我国泛半导体产业发展背景及机遇、此次博览会与同类展会的区别及资源优势，以及博览会筹备情况等。记者获悉，北京国际泛半导体产业博览会是中国第一个泛半导体产业博览会，2017第一届北京国际泛半导体产业博览将于2017年8月30日至9月2日在北京经济技术开发区召开，据主办方介绍，本次博览会上将涌现诸多国际顶尖“黑科技”，此外，人工智能、新能源汽车电子等半导体应用相关企业和技术也将在博览会上亮相。
记者了解，此次博览会以“互联互通，共享共创”为主题，旨在整合全球核心产业资源，集聚企业、技术、资本、人才、市场、产业政策与标准六大核心产业发展要素，助力参展企业及与会者通过博览会平台把握产业核心价值与资源。北京国际泛半导体产业博览会主席、美国华美半导体协会（CASPA）会长雷俊钊现场介绍了此次博览会的详细情况。此次博览会将充分发挥美国华美半导体协会（CASPA）、全球半导体产业联盟（GSA）及北京半导体行业协会（CBSIA）三方力量，将汇集包括中国泛半导体产业全产业链的各类企业、研发团队等，及以美国硅谷为核心的泛欧美地区的高精尖技术产业资源，在包括投融资、市场、人才、技术、创业等多个领域为中国企业打通交流及合作通道。
随后，北京半导体行业协会秘书长卓鸿俊表示，此次博览会的重要组成部分之一就是“北京微电子国际研讨会”。自2017年起，该研讨会融入北京国际泛半导体产业博览会，作为博览会的重要组成部分之一，搭建更为广泛、更加深入的产业交流平台。
据主办方介绍，此次博览会在模式和内容上均有创新。首先，博览会打破传统“以展为主”的展会模式，用“以会带展”的国际化方式，以解决产业发展困境的多个论坛为主。其次，所有会议及论坛均采取“实际需求+双向选择”模式，即企业或者个人发布实际需求，并与参会人员进行双向选择，实现在投融资、市场、人才、商务、技术等方面的高效对接。第三，博览会还将国际顶尖“黑科技”带入此次活动，帮助国内企业与产业创新人才快速把握科技前沿发展趋势，预测未来技术发展走向，推动中国高科技产业技术的发展。最后，此次博览会将半导体应用层面也纳入进来，如人工智能、大数据、物联网、智能汽车与新能源汽车电子、消费电子等相关企业及技术，以展示半导体技术在各领域的广泛应用，使广大人民群众共享科技成果，提高全民科学素质。
今年，开发区围绕首都城市战略定位，着力打造“中国制造2025”国家示范区，计划实现包括集成电路在内的4个千亿级产业集群，并构建20个能够参与国际竞争的技术创新平台。北京经济技术开发区投资促进局局长王延卫表示，开发区计划每年培养20个发展潜力大、高成长、高科技的创新型企业，成为开发区的活力驱动力。
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行业大咖畅谈半导体产业
北京市经济和信息化委员会电子处副处长李侃表示，半导体产业在构建国家产业核心竞争力、保障国家信息安全方面具有着重要意义。《国家集成电路产业发展推进纲要》及国家集成电路产业专项投资基金（大基金）的设立，为半导体产业发展提供了强有力的政策及资金支持。随着《中国制造2025》推进，新一代信息技术与制造业的深度融合，我国半导体产业将得到大力发展。
对于目前中国半导体产业发展的情况，李侃认为，中国已经成为全球半导体消费的中坚力量和增长引擎。然而，国内整体半导体产业发展水平与先进国家（地区）相比依然存在较大差距。核心技术缺失，持续创新能力缺乏；产业规模化不足，供需失衡；产业发展与市场需求脱节，产业链各环节缺乏协同以及投融资渠道单一，芯片制造企业融资难等仍然是制约当前我国半导体产业发展的主要因素，也是当前我国半导体产业面临的主要问题。此外，以北京、上海为代表的中国高新技术产业核心城市，半导体产业发展迅猛，产业链较为完善，应用端相关增长也呈爆发态势，沟通交流等需求已经扩展到泛半导体产业范围。综合以上两个方面，我国半导体产业已经迈入产业扩张与深入发展的并行阶段，高新技术产业核心城市在拓宽行业沟通广度及深度等方面需求紧迫，泛半导体产业链条急需一个综合性的、产业要素与服务内容完善的全球化沟通与合作的平台。
3.北大课题组：高性能二维半导体新材料展现出优异性能；
半导体材料是电子信息产业的基石。目前，随着晶体管特征尺寸的缩小，由于短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，主流硅基材料与CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正发展到10纳米工艺节点而很难提升，摩尔定律可能终结。
因此，开发新型高性能半导体沟道材料和新原理晶体管技术，是科学界和产业界近20年来的主流研究方向之一。在众多CMOS沟道材料体系中，相比于一维纳米线和碳纳米管，高迁移率二维半导体的器件加工与传统微电子工艺兼容更好，同时其超薄平面结构可有效抑制短沟道效应，被认为是构筑后硅时代纳电子器件和数字集成电路的理想沟道材料。
然而，现有二维材料体系（石墨烯、拓扑绝缘体、过渡金属硫族化合物、黑磷等）无法同时满足超高迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备的现实要求，开发符合要求的高性能二维半导体新材料体系迫在眉睫。
近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授课题组与合作者首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se），在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。
彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体（Bi2Se3，Bi2Te3）等二维量子材料的系统研究，提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素，以降低重元素的自旋－轨道耦合等相对论效应，进而调控其能带结构，消除金属性拓扑表面态，获得高迁移率二维半导体。
经过材料的理论设计和数年的实验探索，该课题组发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se，并利用化学气相沉积（CVD）法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量，证明Bi2O2Se材料具有合适带隙（～0．8eV）、极小的电子有效质量（～0．14m0）和超高的电子迁移率。
系统的输运测量表明：CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000cm2／V·s，展示了显著的SdH量子振荡行为；标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率（～2000cm2／V·s）和霍尔迁移率（～450 cm2／V·s）、很大的电流开关比（＞106）以及理想的器件亚阈值摆幅（～65mV／dec）。
二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料（BOX：Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te）。结合其出色的环境稳定性和易于规模制备的特点，超高迁移率二维半导体BOX材料体系在构筑超高速和低功耗电子器件方面具有独特优势，有望解决摩尔定律进一步向前发展的瓶颈问题，给微纳电子器件带来新的技术变革，具有重要的基础科学意义和实际应用价值。 北京大学
4.功率半导体：自主可控迫在眉睫 产业地位稳步提升；
与市场的不同的观点:传统观点认为功率半导体竞争格局固定,技术升级步伐相对缓慢,与集成电路产业的重要性不可同日而语,中泰电子认为随着新能源车和高端工控对新型功率器件的需求爆发,功率半导体的产业地位正在逐步提升,其重要性不亚于规模更大的“集成电路”。大陆半导体产业的崛起需要“两条腿走路”(集成电路+功率器件),由于功率半导体的重要性被长期低估,我国功率半导体产业存在规模小、技术落后、品类不全等诸多不足,适逢我国半导体投融资渐入高峰期,行业龙头有望率先受益。大行业小公司产业现状给予充足的发展空间,内生发展和外延并购预期充足,预计产业有望进入高速发展期。
全球功率半导体市场风起云涌,行业整合步伐加速。作为电力控制/节能减排核心半导体器件,功率半导体器件广泛应用于从家电、消费电子到新能源汽车、军工轨交、智能电网等诸多领域。顺全球半导体产业洗牌大势,近年来功率半导体产业整合步伐急速提升。建广资本27.5亿美元收购NXP标准部门完成交割,力图填补国内汽车、工业功率IC领域空白;美国政府管控趋严,Infineon收购Wolfspeed被迫终止。功率半导体已成为当前半导体领域最受资本追逐的热门产业之一。
?新能源全产业链势头正旺,IGBT等高端器件迎来需求爆发期。功率器件约占新能源汽车整车价值量的价值量10%,Mosfet、IGBT等功率模块亦是充电桩/站等设备核心电能转换器件。中国已成为全球第一新能源汽车市场,同时光伏/智能电网/充电桩等全产业链将持续拉动各类型功率器件市场;仅IGBT这一高端器件来看,预计2020年国内IGBT市场规模将超200亿元,年复合增长率达15%,国产替代空间广阔。此外,薄膜电容作为IGBT应用之必不可少配套元器件,随新能源汽车市场趋热需求大涨,高端薄膜电容产品单体价值量/毛利水平高稳步提升。
积极布局SiC等第三代器件,借力政策优势力争弯道超车。Si基器件面临物性瓶颈,SiC/GaN宽禁带材料性能优异,未来有望逐步成为市场主流器件类型。国内厂商第三代宽禁带半导体研发及产业化项目稳步推进,目前已成功研制出SiC肖特基二极管、氮化硅钝化GPP芯片等新型产品,受益于国内政策红利及自主替代必然趋势,未来有望批量生产实现高端进口替代。 中泰证券
5.加快建设合肥综合性国家科学中心的实践与思考
长期以来，合肥市坚持把创新驱动发展摆上核心战略位置，通过自主创新实现追赶引领，创新成果密集涌现，成为拉动经济增长的重要“引擎”。2005年至2016年，合肥经济总量由925.6亿元增加到6274.3亿元，在全国省会城市的位次由第18位上升到第10位，年均增长14.3%，增幅始终保持全国省会城市前列；在全国297个地级以上城市中，合肥由第75位跃居第26位，前进49位。主要创新指标全部跃升全国省会城市“十强”，其中全社会研发投入占GDP比重达到3.1%，居全国城市第2位。实践证明，科技创新已经成为合肥转型发展的重要驱动力。
孜孜不倦探索创新驱动发展之路
回顾合肥科技创新发展历程，从上世纪中期至今，全市上下在创新驱动发展的道路上不断探索，大致经历了科技研发、创新试点、综合试验三个阶段。第一个阶段是从上世纪中期到2000年前后，标志性事件是中国科学技术大学迁至合肥。这个阶段，国家支援内地建设、调整科研机构布局，中科大、中科院合肥分院以及中电集团38所、16所、43所等一大批高校、科研院所搬迁至合肥，合肥集聚了大量的科技创新资源，成为全国四大科教基地之一。第二个阶段是本世纪初到2010年前后，标志性事件是合肥获批全国唯一的国家科技创新型试点市。2004年科技部批准合肥为“国家科技创新型试点市”，2008年省委、省政府启动建设合芜蚌自主创新综合改革试验区，2010年，合肥获批为国家创新型城市试点。第三个阶段是“十二五”至今，标志性事件是启动建设中科大先进技术创新研究院。 2012年，合肥首个新型协同创新平台——中科大先进技术研究院开工建设；2014年，中国科学院批准在肥建设中科院大科学中心；2015年，合肥跻身国家系统推进全面创新改革试验区域；2016年，国务院批复安徽省系统推进全面创新改革试验方案。 2017年1月国家发改委、科技部正式批复合肥综合性国家科学中心建设方案，标志着合肥已经在全国创新大格局中占据了有利位置，成为代表国家参与全球科技竞争与合作的重要力量。
加快推进三大创新圈层体系建设
近年来，合肥围绕信息、能源、健康、环境等领域，集聚方方面面智慧，大力推进核心层、中间层、外围层三大圈层体系建设，为实施综合性国家科学中心建设打下了良好的基础。
一是核心层：重大创新设施加快推进。合肥综合性国家科学中心是国家创新体系建设的基础平台，能否集聚高端创新要素资源，能否成为产生变革性技术、催生新兴产业的创新策源地，核心是布局建设一批国家重大创新设施。近年来，合肥依托现有国家大科学装置，谋划确定量子信息国家实验室、超导核聚变中心、天地一体化信息网络工程、联合微电子中心、离子医学中心、分布式智慧能源创新平台、大基因中心等七大平台，按照“成熟一个开工一个”思路，定期调度平台建设，目前每个平台均已确定了建设主体，编制了建设方案，七大平台正在加快建设或即将启动建设。
二是中间层：协同创新体系活力彰显。长期以来，合肥与全国一样，科技资源配置过度行政化与分散重复并存，科技和经济“两张皮”严重制约了创新驱动发展的步伐。这就需要充分运用“有形之手”和“无形之手”，“解放”科技人员、“释放”科技力量、“开放”科研设施，依托高校和科研院所，推动中科大先进技术研究院、清华大学公共安全院、中科院技术创新工程院等既有协同创新平台良性运转，北航合肥科学城、中科院热物理所先进能源装备研究院、中科大滨湖国际金融研究院、合工大智能制造研究院、哈工大机器人研究院等一批高端平台顺利落户。突出企业主体，创新支持企业研发中心建设。目前，全市工程实验室和工程(技术)研究中心、企业技术中心总数达1245家。启动“双引双培”计划，新增国家“千人计划”专家30人，新增院士工作站8个、总数达到33个，在肥工作两院院士达到87人。
三是外围层：成果转化体制进一步理顺。综合性国家科学中心建设，科技成果转化至关重要，要坚持问题导向，创新体制机制，促进经济尽快走上内生增长轨道。近年来，合肥坚持问题导向和目标导向，突出全面创新改革试验和“三重一创”，推动建立政府创新管理、激发创新活力、创新要素保障、创新引智、军地融合共建、融入全球体系等六大新机制，组织中科合肥微小型燃气轮机公司试点开展以股权激励为核心的科技体制改革，出台了包括天使基金、投资基金、风投基金参与招商引资项目等一系列政策。目前，全市国家高新技术企业总数达到1357户，增加值1392.9亿元，对工业增长贡献超过80%。
建设综合性国家科学中心的思考与对策
建设合肥综合性国家科学中心是一项长周期、系统性工程，需要充分调动社会方方面面的积极性和主动性，鼓励大胆探索，协调扎实推进，早日建成国家创新型城市，为建设创新型国家贡献“合肥力量”。
一是聚焦“大装置”，构筑“设施群”。实现科技创新由“跟跑”向“领跑”转变，需要在改造提升现有大科学装置(同步辐射、超导托卡马克、稳态强磁场)性能的同时，加快布局建设一批前瞻性、创新性的大科学装置，形成国家级重大创新设施集群，新建量子信息国家实验室、超导核聚变、天地一体化网络、合肥先进光源、大气环境立体探测实验研究设施等一批大科学装置，支持开展大科学装置预研。发挥国家大科学装置集中的优势，积极承担国家重大科技任务，主动参与国际大科学计划，形成一批前沿科学研究成果。到2020年基本建成合肥综合性国家科学中心。
二是突出“研发圈”，配置“全要素”。围绕构建高度开放、密切合作的协同创新网络，整合土地、资金、人才等要素资源，支持中国科学技术大学、合肥工业大学等在肥高校建设世界一流大学和一流学科，支持科研院所建设特色鲜明的科研中心。新建一批重点(工程)实验室、工程(技术)研究中心和新型研发机构，鼓励企业建设高水平研发机构。加强人才高地建设，积极引进一批国内外高层次科技人才、创业人才及创新团队。启动建设安徽创新馆和环巢湖科技创新走廊，加快建设一批开放式创新平台以及孵化器、加速器等创业载体，高水平建设国家双创示范基地。
三是打好“组合拳”，搭建“大通道”。综合性国家科学中心建设不仅要瞄准新一轮世界科技革命，加快突破原创性科学技术，更要结合经济社会发展需求，以市场为导向、企业为主体，全面落实“三重一创”，打好政策“组合拳”，助力科技成果转化。加快培育量子通信与量子计算、燃气轮机等一批重大新兴产业专项，形成一批新兴产品；扎实推进精准医疗、下一代机器人、高端数控机床等一批重大新兴产业工程，推动核心项目产业化及推广运用；培育打造新型显示、机器人、新能源汽车等一批千亿级新兴产业集群和产业基地。到2020年战略性新兴产业产值突破7000亿元。
四是围绕“生态圈”，形成“共同体”。围绕产业链强化创新链，围绕创新链部署资金链，突破体制机制束缚，系统推进全面创新改革试验，构建以科技创新为核心，技术与产业、金融与资本、平台和企业、制度和政策为支撑的全面创新体系。强化多层次资本市场支持，引进集聚境内外知名投资机构，推进科技金融产品服务创新，大力发展天使投资、风险投资、产业基金等各类股权投资。深化科技成果使用权、处置权和收益权改革，大幅提高科研人员成果转化收益分享比例。深入实施高新技术企业培育行动和“专精特新”中小企业培育计划。
(作者单位：合肥市发改委) 中安在线
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