如果说以硅为代表的第一代半导体是集成电路的基石，第二代半导体如砷化镓促成了信息高速公路的崛起的话，那么第三代半导体材料技术正在成为抢占下一代信息技术、节能减排及国防安全制高点的最佳途径之一，是战略性新兴产业的重要组成内容。
第三代半导体材料即宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.2ev)，主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAS)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)，较为成熟的是碳化硅和氮化镓被称为第三代半导体材料的双雄，而氧化锌、金刚石、氮化铝的研究尚属起步阶段。
目前，很多公司已在第三代半导体领域看到商机，正紧锣密鼓地布局第三代半导体产业。下面为近期的第三代半导体项目大事件：
项目一：氮化物半导体新结构材料和新功能器件研究项目
10月18日，北大、清华等14家单位共同承担的 “氮化物半导体新结构材料和新功能器件研究”项目正式启动，同时，该项目还是“战略性先进电子材料”研发计划的一个重点专项。
项目二：中科晶电山西忻州半导体产业基地砷化镓项目
11月5日，中科晶电山西忻州半导体产业基地砷化镓项目开业运营。该项目总投资2.5亿元，以研发、生产、销售砷化镓衬底材料为主，配套建筑面积约1.7万平方米，建设有2英寸、3英寸、4英寸、6英寸砷化镓衬底材料大规模生产线，规划年产砷化镓单晶片折合4英寸200万片。
项目三：聚力成半导体氮化镓项目
