随着人
工智能技术的广泛应用，移动产品对内存性能的需求日益增长，尤其需要相较LPDDR5X更为高效的数据处理能力以支撑端侧AI模型的运行。
一直悬而未决的LPDDR6标准也进入最终的敲定期，预计到2025年下半年我们有望看到采用新一代LPDDR6的产品上市。此前有报道称，高通第四代骁龙8平台将支持LPDDR6，以进一步提升定制Oryon内核的性能。
目前，LPDDR最新的主流版本是LPDDR5（6.4Gbps），于2019年2月发布。之后，业界又陆续发布了小幅更新、改进版的LPDDR5X（8.5Gbps）和LPDDR5T（9.6Gbps）。LPDDR6作为下一代的低功耗内存，对比目前主流的LPDDR5和LPDDR5x在速率上将会进一步提升。
LPDDR6的最低速率为10.667Gbps，已经等同于LPDDR5x的最高速率，远高于LPDDR5的6.7Gbps，而LPDDR6的最高速率则是达到14.4Gbps，是现在常见的LPDDR5X规格的几乎两倍。
此外，LPDDR6还将采用全新的24位宽通道（由两个12位子通道组成）设计，使得内存带宽最高可达38.4GB/秒，与LPDDR5相比，LPDDR6的实际带宽在每个时钟周期内增加了约33%。
尽管单次内存访问中288位中只有256位是实际可用数据，但其他32位可用于特殊功能，这些功能要么通过检查和报告写入错误来提高RAM的可靠性，要么进行数据总线反转（DBI），从而节省大量写入功耗。
得益于更高的数据传输速率和带宽，LPDDR6能够更好地适应未来的AI计算需求，在AI PC上的表现要远优于现有的内存标准。另外，LPDDR6还将LPDDR5一直备受诟病的不可升级性进行了改善，而这就主要归功于 —— CAMM2。
根据JEDEC（固态技术协会）已透露的信息来看，LPDDR6将CAMM2作为其内存标准，取代使用多年的SO-DIMM和DIMM内存标准。
CAMM2除了支持更高的数据传输速率和更低的内存延迟，在AI应用方面的表现要明显优于旧标准，同时还创新性地支持模块化设计。去年末，JEDEC推出了CAMM2标准，提供了新的内存模块设计，其中搭载LPDDR5的LPCAMM2内存模块为小型化设备带来了更大容量的可升级选项，估计LPDDR6也会支持同样的设计。
一般来说，可拆卸的内存都是基于DDR标准设计的，而LPDDR则是“低功耗”内存，主要面向手机、移动PC等平台设计，所以需要在功耗和硬件体积等方面做出更多的妥协，有着更高的集成度。为了在原有的内存标准下满足移动智能设备的需求，LPDDR5通常被直接焊接到主板的内存区域上。
LPDDR5的不可升级性，也使得轻薄本无法让用户根据自身需求动态调整硬件配置。这个缺陷在过去或许影响不大，但是在AI时代，AI大模型的端侧运算对内存的大小和速率都提出了更高的要求，内存性能将会成为许多用户关注的重点，那么CAMM2所带来的可升级性，
拒绝焊死内存等不友好行为，
将让用户拥有更多的选择。
新一代标准CAMM2解决了传统SO-DIMM和DIMM内存的几个问题，如可升级性、可维修性、主板复杂性和功耗。
从CAMM2的设计来看，虽然延续了高集成度的设计，但是从制定之初就将模块化要求纳入其中，使得CAMM2可以使用通用接口并自行更换，而在新一代的集成技术及设计标准的帮助下，CAMM2的厚度甚至低于目前主流的SO-DIMM。
虽然机身厚度并不完全取决于内存模块，但是在可更换的前提下，DIMM内存模块所需要的空间远大于CAMM2，在采用堆叠双插槽设计的情况下，DIMM内存模块比CAMM2至少会增厚5mm以上。
在物理形态上，LPDDR6也已不是此前的“条”状，变成了像PCB板那样的“片”状。因为内存颗粒的超薄特性，所以类似于在PCB板上焊接超薄内存颗粒和主控器，整体物理形态就显得是一片薄板。
从目前已发布的CAMM2内存设计上，可以看出其与多数人传统观念中的「内存条」有着很大的区别，更像是一块焊接了内存颗粒及主控的纤
薄PCB。在安装时，只需要将PCB版放入指定的区域中并拧上固定螺丝即可，为了便于用户分辨，CAMM2内存大多采用异形设计，通过外观来最大程度降低新手误操作的可
能。
虽然CAMM2新标准延续了此前SO-DIMM/DIMM高集成度的设计，但这项新标准从制定之初就采用了模块化设计，所以CAMM2能使用通用接口并自行更换。
有了新一代集成技术及模块化设计标准的加持，采用CAMM2标准的LPDDR6的厚度甚至低于应用目前主流的SO-DIMM标准的LPDDR5x/LPDDR5。
下一代LPDDR6 CAMM2，它将进一步完善CAMM2模块，将消除现有设计中对螺丝的需求。
值得一提的是，CAMM2还支持DDR标准内存，也就是适用于台式PC等大型PC设备，这也是DIMM内存标准自1993年推出以后，PC市场第一次迎来了真正意义上的全新标准。
