Nano Lett.：室温2D InSe等离激元激光器

成果介绍

2D半导体由于其强大的激子发射，正成为构建终极纳米激光器的有效增益介质。2D半导体与等离激元器件的进一步集成有望实现最薄的激光器。然而，由于等离激元-激子相互作用不足导致的有限腔反馈和低增益严重阻碍了2D半导体等离激元激光的实现。

有鉴于此，近日，西北工业大学肖发俊教授，赵建林教授，甘雪涛教授和北京大学刘开辉教授（共同通讯作者）等合作报道了通过将InSe纳米片嵌入等离激元法布里-珀罗(F-P)腔中实现了室温2D半导体等离激元激光器。该等离激元F-P腔具有回收泄漏暗表面等离激元的特殊能力，与传统的金属-绝缘体-半导体纳米激光器相比，反馈增强了2倍以上。此外，通过场增强和取向匹配的结合，该腔有利于优化等离激元-激子耦合，以确保足够的增益来维持室温激光。本文的工作为基于2D材料的多功能光子器件开辟了可能性。

图文导读    

图1. 混合等离激元F-P纳米激光器的概念。

图2. 混合F-P纳米激光器中增强的反馈和激子-等离激元能量转移。    

图3. 等离激元F-P腔中2D InSe的室温激光。

图4. 混合等离激元F-P腔与MIS结构的激光特性比较。

文献信息

Room-Temperature Two-Dimensional InSe Plasmonic Laser

（Nano Lett., 2024, DOI:10.1021/acs.nanolett.4c03479）

文献链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.4c03479  

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