本文介绍了松山湖材料实验室梅增霞研究员团队与山东理工大学张永晖博士等合作者共同开发的新型存储技术，该技术旨在延长光电存储器的数据存储时间，并展示了非易失性存储器的长时间数据存储能力、快速的写入和擦除速度，以及很好的鲁棒性和稳定性。
为解决当前存储技术面临的数据保存时间短、转换速度慢或数据安全性能不足等问题，松山湖材料实验室梅增霞研究员团队与山东理工大学张永晖博士等合作者共同探索并开发了一种新型的存储技术，通过抑制光生电子和空穴的复合，延长光电存储器的数据存储时间。
研究者们通过巧妙利用β-Ga2O3/SiO2 TFT结构中的边界陷阱，实现了光生空穴的束缚及其和光生电子的空间分离，让电子和空穴在体系的不同层材料中稳定存在，从而延长了它们的寿命，提高了数据存储时间。
该研究成果展示了非易失性存储器的长时间数据存储能力（≥10年），同时具备快速的写入（≤20ms）和擦除速度（≤40ms）。此外，该存储器具有很好的鲁棒性和稳定性，能够在不同的存储条件下保持优异的性能。
文章还提供了相关的文献信息和图文导读，包括β-Ga2O3 TFT的转移和输出性能、MOS结构中边界陷阱的示意图、深紫外非易失光电存储器的存储性能表征、存储时间和可靠性表征，以及工作机理的图解。
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成果介绍
随着人机交互（MMI）、人工智能（AI）及物联网（IoT）领域的迅速发展，对高效数据存储技术的需求急剧上升。然而，目前大多数存储技术仍面临着数据保存时间短、转换速度慢或数据安全性能不足等问题。特别是对于深紫外光电存储和光电突触而言，其数据保存时间通常仅限于毫秒或小时量级，难以满足实际应用中长达数年的长期保存需求。
为应对这一难题，松山湖材料实验室梅增霞研究员团队与山东理工大学张永晖博士等合作者共同探索并开发了一种新型的存储技术，旨在抑制光生电子和空穴的复合，从而延长光电存储器的数据存储时间。具体来说，他们通过巧妙利用β-Ga
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/SiO
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TFT结构中的边界陷阱（border traps），有效实现了光生空穴的束缚及其和光生电子的空间分离。这种空间分离能够让电子和空穴在体系的不同层材料中稳定存在，从而延长了它们的寿命，因而大幅提高了数据存储时间。该研究成果不仅展示了非易失性存储器的长时间数据存储能力（≥10年），同时具备快速的写入（≤20ms）和擦除速度（≤40ms）。此外，该存储器还具有很好的鲁棒性和稳定性，能够在不同的存储条件下保持优异的性能。这一成果不仅为构建高性能非易失性光电存储器件提供了一种全新的策略，还展示了如何巧妙地利用材料缺陷实现新的器件功能，为半导体器件的缺陷应用提供了新思路。
图文导读
图1. β-Ga
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TFT的转移和输出性能。
图2. p
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-Si/SiO
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/β-Ga
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MOS结构中边界陷阱和E’中心的示意图。
图3. β-Ga
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深紫外非易失光电存储器的存储性能表征。
图4. β-Ga
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深紫外非易失光电存储器的存储时间和可靠性表征。
图5. β-Ga
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/SiO
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深紫外非易失光电存储器的工作机理。
文献信息
Border Trap-Enhanced Ga
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Nonvolatile Optoelectronic Memory
(
Nano Lett.
, 2024, 24, 14398. DOI: 10.1021/acs.nanolett.4c04235
)
文献链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.4c04235
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