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A：在4.5月的时候有出现一个问题，在TCBbonding这一道工序，生产的配方有问题，大概有10天的产能受到影响。因未能按约定出货，预计罚款加货的成本需赔偿6-7亿美金。M公司目前HBM3e的主要客户是英伟达，供给H200这款产品。
Q：有传闻说英伟达H200取消了一些客户订单，是因为HBM3e供货出了问题，问题是出现M公司这边吗？
A：是的，海力士的良率已经80%多，目前M公司可能不到60%。
A：无关，只是制程上工程师出了一点问题，工程师需要去用一个新的配方，去coverShinkawa（TCB工艺）原本的问题，但这个新配方有问题，因此有10天的产能都用了错的配方，所以那些货都不能出给客户，之前出给客户的有被客诉，所以HBM3e的良率一直没有很好。
Q：之前M公司生产也有一点问题，但是当时说换成Brewer的胶之后，良率就提升上去了？
A：对的，可是换了胶之后，之前pillar受损的问题又回来了。
A：根据之前的经验，今年年初在西安的封测厂，其实也有一个赔了6-7亿美金的事件，一样也是修改配方出现错误，生产出来的产品流到客户端全部不能用。但这件事并没有反映到财报上。只能说根据之前的经验是这样，不确定这次会不会反应到财报上。
A：有。因为SUSS机台交机的日程有delay，所以它的产能现在是预计到年底是18-20Kwpm，明年40kwpm。
Q：之前SUSS调研显示，M公司今年下了12-13台订单，今年Q3就会入场？
A：对。现在机台进来需要装机，接水电，然后验机。现在其实才验到第3或者第4台，所以就是delay。然后机台状况也没有很稳，即便是本来有在生产的机台。
A：在生产过程中，比如说一台机台需要保养，原本可能可以生产200片再做保养，但由于机台状况不稳，可能生产100片就要去做保养，所以产能利用率（UTR）自然下降。
A：是的，材料也要是有问题，因为材料品质没有很稳定。
Q：是TemporaryBonder的材料还是MUF的材料？
A：因为基本上现在HBM3e已经交给量产部门，所以现在再要更换材料是很难的，只能从既有的材料和生产的配方是改善，但其实改善效果不大。
A：因为海力士从HBM2开始就有量产经验，所以这些问题已经克服。
A：定价不太清楚，只清楚目前的产能。正常来说，HBM一个晶片的大小是两倍的DDR5的面积。但是M公司由于良率较差，一个HBM晶片的面积会是三倍DDR5的大小。目前台中引进了第五代10nmDRAM技术给HBM用。原本是在日本做，因为日本算是研发厂，现在已经在做第六代，以代号来说就是1γ，现在量产的是1β。如果是说第几代的话，β是10nm的第五代，γ是10nm的第六代。因为HBM由于后道的良率不好需要很多wafer，所以台中这边做DRAM的F16已经在计划转向第五代的技术，供HBM使用。
A：供生产HBM用的wafer的量变多，产能明年会提高。因为M公司做DRAM的主要地方是桃园跟台中。之前是在日本广岛做，先进封装就只有台中一个。
A：HBM3e的12-Hi，5月底已经投入量产，虽然目前量产还是以8-Hi为主。某种程度来讲，12-Hi的良率会好于8-Hi，因为12-Hi要叠比较多层，需要的TSV路径应该就比较短，原本8-Hi的TSV路径较长，在前面DRAM的制程要挖这么长的TSV，可能会存在铜填充不满的问题，会有一些特殊的缺陷。这是由于M公司自身的技术问题导致。但以12-Hi的TSV的size来说，这个问题就自然消失不见，因为它比较短。
Q：明年英伟达的B200Ultra是12-Hi的产品吗？
A：应该是，不确定。目前12-Hi西安M公司已经投入量产，拿去做验证，验证的时长按照正常流程来看预计9月或者年底通过。
Q：所以目前HBM3e用的1β没有用EUV；HBM4用的是1γ，用了EUV？
A：对，目前HBM4日本正在做工程流片的用的都是1γ。
Q：桃园做1α，台中做1β，桃园做1γ，所以HBM4是在桃园做吗？
A：还在研发中。4本身是8层；e和k一个12层，一个16层，16层一定要用新的hybridbond的技术，以目前来看，技术方面有遇到瓶颈。
