【MIT用激光控制材料磁性，可开发更快更小更节能的存储芯片】
MIT 的物理学家利用光首次在一种材料中创造出持久的全新磁性状态。
根据近期发表在 Nature 上的研究，研究团队使用一种 #太赫兹激光# （振荡频率超过每秒一万亿次的光源）直接激发了反铁磁材料中的原子。通过将激光频率调谐到材料原子之间的自然振动频率，他们成功改变了原子自旋的平衡状态，诱导材料进入了一种新的磁性状态。
这一发现为控制和切换 #反铁磁材料# 提供了全新途径。这类材料在信息处理和存储技术中展现出巨大的应用潜力。
在常见的磁性材料中，原子自旋方向一致，因此容易受到外部磁场的影响。然而，反铁磁材料的原子自旋呈交替排列，形成“上-下-上-下”的结构，自旋相互抵消，导致材料整体的净磁化为零，从而不受外部磁场的干扰。
如果能够用反铁磁材料制造存储 #芯片# ，数据可以被写入到材料的微观磁域中。例如，某种特定的自旋配置（如“上-下”）可表示比特“0”，而另一种配置（如“下-上”）则表示比特“1”。这种芯片的数据存储具有极强的抗磁干扰能力。
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MIT用激光控制材料磁性，可开发更快更小更节能的存储芯片
MIT 的物理学家利用光首次在一种材料中创造出持久的全新磁性状态。
根据近期发表在 Nature 上的研究，研究团队使用一种 #太赫兹激光# （振荡频率超过每秒一万亿次的光源）直接激发了反铁磁材料中的原子。通过将激光频率调谐到材料原子之间的自然振动频率，他们成功改变了原子自旋的平衡状态，诱导材料进入了一种新的磁性状态。
这一发现为控制和切换 #反铁磁材料# 提供了全新途径。这类材料在信息处理和存储技术中展现出巨大的应用潜力。
在常见的磁性材料中，原子自旋方向一致，因此容易受到外部磁场的影响。然而，反铁磁材料的原子自旋呈交替排列，形成“上-下-上-下”的结构，自旋相互抵消，导致材料整体的净磁化为零，从而不受外部磁场的干扰。
如果能够用反铁磁材料制造存储 #芯片# ，数据可以被写入到材料的微观磁域中。例如，某种特定的自旋配置（如“上-下”）可表示比特“0”，而另一种配置（如“下-上”）则表示比特“1”。这种芯片的数据存储具有极强的抗磁干扰能力。
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