钙钛矿
/
有机串联太阳能电池(
POTSC
)具有成本效益、更容易制造、使用正交溶剂、提高子电池稳定性、低温处理和更好的灵活性等优势,但在开发上仍落后于目前的钙钛矿
/c-Si
(
33.9%
)和全钙钛矿(
29.4%
)
TSC
。目前,具有
p–i–n
结构的富含溴的混合阳离子基
POTSC
处于领先地位,其
PCE
高达
25.82%
(经认证为
25.06%
)。
鉴于最先进的有机太阳能电池
(OSC)
的带隙约为
1.33 eV
,理论上理想的搭配是带隙约为
1.9 eV
的宽带隙
(WBG)
钙钛矿,全无机
CsPbI
2
Br
完全满足这一标准。与富含溴的混合
WBG
钙钛矿相比,这些钙钛矿具有出色的热稳定性、简单的成分、无反溶剂加工和减少的相偏析。然而,
CsPbI
2
Br
钙钛矿太阳能电池
(PSC)
仍然存在挑战,例如不合适的相变、不必要的结晶、埋藏的针孔、高缺陷密度和不良的能量排列,导致显著的电压损失和限制效率至
24%
。
WBG
CsPbI
2
Br
钙钛矿中的电压损失与相不稳定性、缺陷陷阱和不良的底部接触界面有关。这些问题导致不良的能量排列和严重的界面复合,导致低质量的晶体生长。底部界面接触充当缺陷库,威胁
PSC
的长期稳定性。解决不良能量排列和界面陷阱态对于最小化电压缺陷、最大化性能和确保单结
PSC
和
POTSC
的稳定性至关重要。由于导带最小值偏移和独特的缺陷特性,中等带隙(
<1.6 eV
)的常见底部电子传输层
(ETL)
接触在
WBG CsPbI
2
Br PSC
中无效,导致不良能量排列和低效缺陷钝化。
香港理工大学李刚教授、加州大学洛杉矶分校杨阳教授、任志伟等研究人员
结合实验和理论方法,实现了底部接触调制的合理设计,并阐明了界面诱导不稳定性问题的潜在机制。开发了一种酸性掺杂镁的氧化锡量子点
(M-SQDs)
墨水,用于在
WBG CsPbI
2
Br PSCs
中有效调节底部接触。这种工程界面改善了能带排列,钝化了缺陷,增强了钙钛矿薄膜的生长并降低了不稳定性。利用这种方法,实现了
CsPbI
2
Br PSC
的高
PCE 19.17%
,而光电压损失仅为
0.43 V
。还实现了高性能
POTSC
,其
PCE
高达
25.90%
(经认证为
25.08%
),
V
OC
为
2.21
伏。该串联器件表现出优异的稳定性,在
45 °C ± 5 °C
和
70%
湿度下,在
1
个太阳光照下
1,000
小时内保持
85%
的性能。此外,
POTSC
在
-
40
°
C
至
85 °C
之间经过
200
次热循环
后仍保持
95%
的
PCE
。
相关研究成果2025年3月13日以“
Inorganic perovskite/organic tandem solar cells with 25.1% certified efficiency via bottom contact modulation
”为题发表在
Nature Energy
上。