HBM芯片：AI时代的“金矿”供不应求

事件：

1、4月4日，韩国SK海力士宣布，#将投资38.7亿美元在美国印第安纳州建造一座先进的芯片封装工厂。据悉，该工厂将以下一代高带宽内存HBM为中心，预计于2028年大规模投产。

2、4月24日，韩国sk海力士计划投资146亿美元扩大芯片产能，以满足人工智能开发需求；

3、SK海力士表示旗下HBM产能即使在2024年翻倍，也还是已经饱和；#美光科技向英伟达供货，生产配额也全部售罄。美光科技预计，整个2024财年，HBM系列产品将为公司带来“数亿美元”的营收，甚至有望比肩公司第二大业务——NAND业务。

4、三星与AMD签署4万亿韩元的HBM3E供货协议；

目前全球HBM市场格局： 海士力，市占率50%;三星，市占率40%;美光，市占率10%。

台系存储厂商业绩拐点已现：

- 南亚科【DRAM】： 3 月营收33.9亿新台币，同比+57.95%，环比+11.16%，创自22年8月以来月度营收新高。南亚科表示针对工业和汽车应用的DDR3产品ASP有所改善，预计24年市场需求和价格有望持续逐季上升。

- 华邦电【Nand&Nor】： 3月营收75.1亿新台币，同比+9.1%，环比+21.0%，创自22年6月以来月度营收新高。华邦电表示SLC NAND和利基DRAM市场的需求正在逐渐增强，公司的中长期业绩增长仍然稳健。

- 旺宏【Nand&Nor】： 3月营收21.1亿新台币，同比-13%，环比+21.9%，环比已有显著修复。旺宏表示首季应是公司的营运谷底。

利基存储拐点已至：

- 利基DRAM及Nand： 三星、SK海力士及美光等原厂正积极将产能转向HBM和DDR5等AI相关应用的高阶内存产品，利基DRAM及Nand供给端产能有望显著减少，同时库存已于23年充分去化，自24Q1末开始AI、网通需求提升，利基存储价格有望逐步上涨。华邦电大幅调涨二季度DDR3报价，最高达20%。

- NOR Flash： 库存改善，高容量产品价格有望率先复苏。NOR Flash产品的终端需求持续增温，带动下游企业加大采购力度。OEM及系统制造商的库存迅速下降至大约两周的水平，迫切需要补充库存。在需求上升与供应减少双重影响下，预计24Q2价格有望进一步上涨10%。

【HBM产能会过剩吗？】

Q: 为何预测HBM明年不会出现过剩情况？

A: 预测HBM在明年不会出现过剩现象，其依据主要源于以下几个关键因素：

较低的良率水平：HBM生产过程中，良率是决定产出效率和产能利用率的关键指标。然而，行业内HBM的平均良率目前仅为70%，远未达到90%以上的理想状态。这意味着每生产100个HBM单元，就有30个因质量问题而无法使用。这种低良率限制了实际可用产能，使得即便在产能规划上看似充足，实际上市场供应依然受限。

较长的制造周期：HBM的制造过程复杂且耗时，通常需要4个月才能完成前端和后端的所有生产工艺。然而，这样的时间表在实际操作中往往显得较为紧张，5个月甚至更长的时间才更为合理。较长的生产周期意味着即便有新增产能规划，其转化为实际市场供应也需要一定时间，难以迅速响应短期内激增的需求。

HBM3e良率要求与成本考量：对于更先进的HBM3e产品，其良率门槛被设定在65%以上，以保证其高性能与可靠性。为了获取更优质的HBM产品，制造商可能需要舍弃相当比例（可能超过30%）的DRAM晶圆，以牺牲部分常规DRAM产能为代价来确保HBM的高品质产出。此外，HBM内部设计包含冗余机制，如连接失败时可切换至备用路径，这也增加了良品筛选的复杂性，进一步影响整体良率。

Q: HBM与普通DRAM的利润率对比及其意义何在？