1.东芝内存出售拟举办第3次竞标二选一；
2.传三星半导体今年资本支出较去年增长85.6%达219.5亿美元；
3.日美联合体拟通过特殊目的公司向东芝存储器出资；
4.第一季PC DRAM合约价格上涨约三成；
5.智能车带动储存需求 车载内存容量上看1TB；
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1.东芝内存出售拟举办第3次竞标二选一；
集微网消息，正在进行经营重建的日本东芝公司有意出售旗下半导体业务子公司「东芝内存」，目前考虑快则下个月实施第3次竞标作业。
东芝打算出售「东芝内存」的作业，19日是第2次竞标作业截止日，预计筛选出2个阵营，然后快则下个月实施第3次竞标作业。 一般认为，此举目的在于抬高东芝内存的出售价码。
东芝于3月底实施的第1次竞标作业，通过竞标的有台湾的鸿海、美国投资基金KKR与日本官民基金日本产业革新机构合作、南韩SK海力士、美国博通以及西部数据。
2.传三星半导体今年资本支出较去年增长85.6%达219.5亿美元；
集微网消息，三星登上全球半导体龙头，不惜砸重金投入研发，传今年资本支出将大幅增加逾 10 兆韩圜。
新韩投资（Shinhan Investment Corp）日前发布报告预测，三星今年半导体资本支出将扩增至 24.5 兆韩圜（约 219.5 亿美元），较 2016 年成长 85.6%，且将超越 2015 年的 14.7 兆韩圜成为三星史上新高。
存储器目前供不应求，也是三星今年布局的重点，预料将占据资本支出的一半左右。据新韩分析师预测，光是 NAND 快闪存储器，三星就将砸下 12.05 兆韩圜（约 108 亿美元），非存储器部门（包含晶圆代工）则占 8 兆韩圜。
业界消息指出，三星半导体业务部门将扩充华城厂 17 线的 DRAM 产能，生产 10 纳米等级的 DRAM。三星已告知设备厂扩产计划，并在 3 月向部分业者下单，估计投资金额约为 2.5~3 兆韩圜，完工后每月增产 3.5 万片 300 公厘的硅晶圆，预定今年下半初步生产。
三星华城厂为综合晶圆厂，17 线生产 DRAM、11 线生产影像传感器和 DRAM、16-2 线生产 3D NAND flash、S3 线生产 10 纳米系统半导体。
三星 NAND 快闪存储器量产技术领先，分析师看好三星借由新增投资，可趁机扩大市占率。市调机构 DRAMeXchange 数据显示，三星 2016 年第四季 NAND 存储器营收市占达 37.1%，遥遥领先第二名东芝的 18.3%。
市调机构 IC Insights 月初公布报告指出，如果存储器持续涨价，三星最快于第二季取代英特尔成为全球半导体龙头。
3.日美联合体拟通过特殊目的公司向东芝存储器出资；
新浪美股 北京时间18日据日本共同社报道，对于东芝正在推进出售手续的半导体子公司“东芝存储器”，由半官方基金产业革新机构、日本政策投资银行及美国投资基金等组成的“日美联合体”正在考虑通过特殊目的公司（SPC）进行出资，并计划出资数年后使其与东芝存储器合并。
报道称，日美联合体将通过SPC借款筹措部分收购资金。设立SPC可以将日美联合体的出资汇总起来，还能通过灵活增加借款筹集到更多的收购资金。根据设想，合并后债务将转移给新公司，用半导体业务的收益进行偿还。
东芝半导体第二次招标将于19日截止。但因三重县四日市市工厂的共同投资方美国西部数据(86.11, 0.89, 1.04%)（WD）已向国际商会（总部位于巴黎）下属的国际仲裁院提出仲裁申请，以违反合同为由要求停止出售，此次招标能否顺利推进还是个未知数。
日美联合体计划由产业革新机构、美国投资基金KKR及日本政策投资银行为中心，共计出资约1.8万亿日元（约合人民币1118亿元）。此外还将呼吁其他日本厂商共同出资。由日本企业主导是为了防止东芝的半导体技术流向国外。
据相关人士透露，日美联合体将向设立的SPC注资，再由其向东芝存储器出资。约1.8万亿日元中的一部分将由SPC从银行等处借贷。该人士表示“这是企业并购中常用的手法”。
虽然东芝想要以2万亿日元的价格出售东芝存储器，但日美联合体目前似乎认为1.8万亿日元左右的出资较为合适。半导体业务因设备投资耗费巨大，如果能得到其他厂家的出资也将考虑进一步提高出资额。（完）
4.第一季PC DRAM合约价格上涨约三成；
集微网消息，集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）表示，2017年第一季度的DRAM产业营收表现再度创下新高。从价格方面来看，由于去年第四季严重供不应求，多数PC-OEM厂商选择提早在去年12月洽谈第一季的合约价以确保供货稳定，使得第一季合约价再度上涨超过三成，亦带动其他内存类别同步上扬，如服务器内存在第一季的价格上扬也相当可观，移动式内存价格也有近一成的涨幅。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出，第一季DRAM总体营收较上季大幅成长约13.4%。从市场面来观察，原厂产能增加的效应最快在2017年下半年浮现，但仅是满足下半年智能手机与PC出货的内存需求。放眼第二季，移动式内存的需求增长动能虽然稍做停歇，但服务器内存的需求依然强劲，仍让标准型内存与服务器内存价格在第二季上扬超过10%。
从营收角度来观察，三星依然稳坐DRAM产业的龙头，由于去年第四季营收基期已高，加上第一季的位元成长相对有限，使得营收成长仅6.8%，但营收金额已经来到63亿美元，远超过SK海力士的40亿美元。而SK海力士表现亦不俗，第一季营收成长21.5%，两大韩厂的市占率分别为44.8%以及28.7%，合计二家韩国厂商已经囊括73.5%的市占率，美光集团位居第三，营收季增22.3%，市占率为21%。
三大厂第一季营业获利率再飙升，预期第二季将持续走扬
受到价格持续大涨，三星第一季营业获利率提升至54%最高，SK海力士由36%上升至47%，而美光则是从14.9%变成32.5%。展望今年第二季，由于DRAM价格上涨并未停歇，各家获利仍将进一步的提升。
观察各厂技术发展进程，三星今年的目标仍专注于18nm制程的转进，除了维持稳定领先竞争对手外，满足客户需求也是主因；除了Line17外，目前也将在Line15转进18nm制程，目标年底能有40%以上都是最先进制程的产出。
今年SK海力士目标还是着重于21nm的良率提升并扩大该制程占比，18nm制程将于今年下半年开始试产，并希望于明年上半年大幅提升量产规模。
在美光方面，台湾美光内存已在年初将17nm制程导入量产阶段，希望年底大部分产能都能转进至新制程，台湾美光晶圆科技(原华亚科)暂无计划转进更先进制程，今年目标首重20nm制程良率的持续提升。
台系厂商部分，南亚科也受惠于第一季利基型内存价格的持续上涨，今年第一季营收较去年第四季成长3.6%；同时，该公司20nm首批良率预优于期，正积极往年底每月30K的投片目标迈进。
华邦营收小幅衰退5.5%，主要是受到调整产品类别的影响，如第一季NOR内存需求大增，排挤部分DRAM的投片，华邦除了持续提升46nm比重外，预估38nm制程今年第三季将正式量产，产出的提升将反映在后续的营收表现上。
力晶科技方面，DRAM方面营收成长7.6%，主因是DRAM价格大好，客户投片回笼，加上代工价格随DRAM价格上涨而水涨船高，都让营收表现十分亮眼。
5.智能车带动储存需求 车载内存容量上看1TB；
全自动驾驶技术逐渐成熟，外加人们对车辆安全、车用信息娱乐(Infotainment)等需求水涨船高，未来车载电子系统内建的内存储存空间料将同步飙升。 市调机构Gartner近期在「物联网全球预测与分析」报告中预估，到2020年时，每辆智能汽车的信息流量将上探280PB，而为了处理、储存如此庞大的数据，届时车载系统需要的内存容量届时亦可能超过1TB。
目前车载电子系统中，对数据储存容量需求最大的是视讯与娱乐系统，尤其信息娱乐系统之所需容量已达数百GB之多。 展望未来，伴随进阶驾驶辅助系统(ADAS)出现，以及影音内容的分辨率进一步攀升，车载系统需要的储存容量必然会有增无减。 另一方面，也因为ADAS、自驾系统成形，车用传感器使用越来越普及，不仅生成数据量直线上升，判断其中多少数据需要保留同样至关重要。
如今，进阶车种平均会配备8颗左右的高画质摄影机，每颗影像传感器在获取数据后会自行压缩，并将数据转存到缓冲存储器。 以Google旗下Waymo自驾车为例，其每秒所需处理的整体数据流量是以GB为单位。 由于绝大多数数据为实时运算，小部分数据则需要储存。 即便部分数据可以传上云端储存，但许多实时数据却必然得在车内进行处理，这也是驱动车用内存容量升级的主因之一。
有鉴于此，不少硬盘供货商开始着眼这块商机，如威腾电子(WD)便于近日推出iNAND 7250A嵌入式固态硬盘(SSD)。 此SSD可于摄氏负40度至150度的极端环境下运作，可对应3D影像、车对车通讯(V2V)以及前述各种大量生成与收发数据的车辆系统；此外，亦内建电源失效防护、内存健康状态监控以及进阶诊断工具等契合智能车辆的设计。新电子
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