美国美高森美公司推出新型SiC MOSFET和肖特基势垒二极管，面向工业、汽车和航空航天市场

日前，美国美高森美（ Microsemi） 公司公布其下一代 1200V SiC MOSFET 系列的第一款产品，即 40m Ω的 MSC040SMA120B ，该公司还发布来 1200 V SiC 肖特基势垒二极管（ SBD ），进一步扩大其 SiC 分立器件和模块产品家族。

新的 SiC MOSFET 产品系列具有高雪崩特性，在工业、汽车和民用航空领域的电源应用方面具有很好的耐用性。该系列的其它产品将在未来几个月内陆续发布，包括符合商业和 AEC-Q101 标准的 700 V 和 1200 V SiC MOSFET ，结合 Microsemi 新发布的 SiC SBD ，这些解决方案能够满足各种电源应用的需求。

Microsemi 副总裁兼功率分立和模块业务经理 Leon Gross 说：“我们的新型 SiC MOSFET 产品系列为客户提供了更高效的开关和高可靠性的优势，特别是与硅二极管，硅 MOSFET 和 IGBT 解决方案相比”。

Microsemi 的下一代 SiC MOSFET 和新型 SiC SBD 在额定电流下具有高重复性的非钳位电感性开关（ UIS ）能力，无任何退化或故障。新型碳化硅 MOSFET 在约 10-15 焦耳每平方厘米（ J / cm ² ）的情况下保持较高的 UIS 能力，短路保护时间达到 3-5 微秒。

为实现低开关损耗，该公司的 SiC SBD 在低反向电流下具有折衷的浪涌电流、正向电压、热阻和热容额定值。另外，其 SiC MOSFET 和 SiC SBD 芯片可以在模块电路中配对使用。

Microsemi 的新型 SiC MOSFET 和 SBD 广泛适用于工业和汽车市场，其 SiC MOSFET 也可用于医疗、航空航天、国防和数据中心市场中的开关模式电源和电机控制应用。例如，混合动力电动汽车（ HEV ） / 电动车充电、导电 / 电感式车载充电（ OBC ）、 DC-DC 转换器、 EV 动力系统 / 牵引力控制、开关模式电源、光伏（ PV ）逆变器、电机控制和航空航天驱动。

据研究和咨询公司 IndustryARC 称，由于受电力电子应用的增长驱动，为增强功率转换效率和降低功率损耗， SiC 器件等宽带隙半导体技术可能从开发阶段转向商业阶段。