结合了扩展变形后的
对醌二甲烷
(p-QM)单元的醌式结构吸引了大量科学家的兴趣,被广泛用来构筑功能性的有机光电和磁性材料。然而,p-QM单元的双自由基特性导致了高反应活性,所以不能直接把p-QM用作结构单元引入聚合物主链内。一般的解决办法是对其单元结构进行扩展变形从而稳定其反应活性,一种是把p-QM并在扩展的共轭体系(比如噻吩)上,另外一种是在p-QM上引入强吸电子基团。然而,怎样通过不对p-QM单元结构进行扩展,
从而直接使用非扩展的
醌式结构
作为结构单元引入聚合物主链中,一直亟待解决
。
近日,
美国劳伦斯伯克利国家实验室
刘毅课题组
和华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室
陈军武课题组
合作
,通过直接在p-QM环上引入氮原子和烷氧基链,合成了p-QM的变体—
氮杂对醌二甲烷(p-AQM)
。
p-AQM的合成不仅简单高效
(两步法),而且作为一个
新型稳定,非扩展的
醌式结构,
p-AQM
可以
直接
作为结构单元来构筑窄带隙光电聚合物,同时展现出与传统的电子受体不一样的特性。通过与寡噻吩共聚的方法所构筑的一系列的
p-AQM
共轭聚合物不仅具有
窄带隙和高迁移率
的特点,而且其带隙展示出了与D-A聚合物
相反的变化规律
。理论计算解释了这种规律,揭示了本质,并
为新型独特的共轭聚合物的设计和制备提供了新思路
。该成果发表于国际著名化学期刊《Journal of the American Chemical Society》上,共同第一作者是
博士研究生刘迅成和何博博士
,通讯作者是
何博博士,陈军武教授,刘毅博士
。
▲ 图1. (a)p-QM结构示意图, (b) 本文中稳定的 p-AQM的结构示意图, (c) 窄带隙聚合物的醌式结构和芳香结构共振示意图, (d) p-AQM构筑的交替醌式-芳香结构窄带隙聚合物的共振示意图
▲ 图2.单体的结构和合成步骤示意图
▲ 图3. 聚合物结构和合成步骤示意图
▲ 图4.聚合物的薄膜吸收, 随着重复结构单元上噻吩个数的增加,吸收蓝移, 带隙增大
▲ 图5.(a) 两种不同AQM-2T 单体的构型示意图;(b)模拟计算的P1-P3的带隙; (c) 模拟计算的P1-P3的前线轨道和能级
图6.P2退火后薄膜的OFET迁移率可以达到0.5 cm
2
V
-1
s
-1
, (a)输出曲线, (b)转移曲线
文献链接:
http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/jacs.7b04031
来源:高分子科学前沿
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