【国信电子胡剑团队】拓荆科技：规模化效应逐步显现，在手订单饱满

剑道电子 · 公众号 · · 2024-03-07 22:44

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报告发布日期：2024年3月4日

报告名称: 《拓荆科技（688072.SH）-规模化效应逐步显现，在手订单饱满》

分析师：胡剑 S0980521080001 / 胡慧 S0980521080002 /

周靖翔 S0980522100001 / 叶子 S0980522100003

联系人：詹浏洋/李书颖/连欣然

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核心观点

2023年规模化效应逐步显现，业绩呈现高增长

公司发布业绩快报：2023年实现营收27.05亿元（YoY +58.6%），主因公司持续高强度的研发投入，突破核心技术，在推进产业化和迭代升级各产品系列的过程中取得了重要成果，产品竞争力持续增强；归母净利润6.65亿元（YoY +80.4%），扣非归母净利润3.13亿元（YoY 76.0%），主因经营规模快速增长，规模效应逐步显现。

新工艺和设备开发成效显著，在手订单超64亿元

根据此前业绩预告，公司在新工艺应用及新产品开发方面取得显著成效，PECVD设备、ALD设备、SACVD设备持续拓展工艺，量产规模不断扩大，销售收入大幅度提升；HDPCVD设备、混合键合设备表现出色，顺利通过客户端产业化验证，实现了产业化应用。公司在新客户拓展方面卓有成效，客户群体覆盖度进一步扩大，销售订单持续增长，2023年年末在手销售订单金额超过64亿元（不含Demo订单），为后续业绩的增长提供保障。

乘国内芯片制造扩产东风，公司业绩有望维持快速增长

SEMI预计2024年中国（不含中国台湾）开始运营18个新项目，月产能将增长100万片至860万片(YoY +13%)；随着新的晶圆厂项目、产能扩张和技术迁移，SEMI预计2025年全球晶圆厂设备投资将提升至1100亿美元(2023年906亿美元，2024年933亿美元)，中国（不含台湾）、中国台湾和韩国设备支出名列前三。公司作为国内薄膜沉积设备龙头公司，已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜设备产品系列，广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线，此外，推出混合键合设备，业绩有望维持快速增长。

风险提示

下游晶圆制造产能扩充不及预期风险，新产品开发不及预期的风险，国际关系波动风险等。

国信电子团队

胡剑： 电子行业首席分析师，复旦大学电子系学士，复旦大学世界经济系硕士，法国EDHEC商学院交换生。2021年8月加入国信研究所，之前任华泰研究所消费电子行业首席，2018年第一财经最佳分析师电子行业第3名，2019年证券时报金翼奖分析师电子行业第2名，2019年II China科技行业入围，2019年新浪财经金麒麟新锐分析师电子行业第1名，2020年II China科技行业第2名。（执业资格编号：S0980521080001）

胡慧： 电子行业高级分析师，上海财经大学会计学士，北京大学物理博士，CPA、CFA，发表多篇SCI论文，并获得1项国家发明专利，2021年8月加入国信研究所，之前任华金研究所电子组长，主要覆盖半导体板块。（执业资格编号：S0980521080002）

周靖翔： 美国犹他大学计算机工程硕士学位，电子工程学士学位，应用数学学士学位。2021年10月加入国信研究所，拥有5年半导体行业研发经验，曾先后就职于中芯国际和华为海思，参与多项国内领先半导体工艺开发及全球领先SoC芯片开发项目。（执业资格编号：S0980522100001 ）

叶子： 北京师范大学化学学士，香港中文大学材料科学与工程博士，香港中文大学物理系博士后，南方科技大学深港微电子学院访问学者，研究领域包括半导体物理与薄膜沉积技术、光电化学等；2020年加入国信证券，国信证券应用经济学博士后，主要覆盖半导体板块。（执业资格编号：S0980522100003）

詹浏洋： 清华大学电子工程系工学学士、硕士，清华大学经管学院经济学学士(第二学位)，中级经济师(金融专业)。曾参与国家高技术研究发展计划(863计划)科研项目，发表SCI论文1篇，并赴国外参加相关学术会议报告。2022年6月加入国信研究所，之前任华润置地投资管理主管。（执业资格编号：S0980122060008）

李书颖： 香港中文大学（深圳）统计学学士，悉尼大学金融硕士，2022年8月加入国信研究所。（执业资格证：S0980122080309）

【国信电子胡剑团队】拓荆科技：规模化效应逐步显现，在手订单饱满

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