据今年5月DRAMeXchange发布的企业级SSD市场统计显示，Intel以40%的份额占据了全球企业级SSD市场的榜首位置，240万片出货量傲视群雄，三星以25%的份额排名第二，西数/闪迪与东芝分列三四位。
第一季度通常被认为是“淡季”，全球出货量就达到600万片，这意味着全年的全球出货量将超过2400万片，这还仅仅是SSD市场的冰山一角——企业级SSD出货量仅占全球SSD出货量的10%。今年差不多也是Intel大举进入SSD市场的第10个年头——2008年推出的X25-E系列SSD迅速被市场所接受，开启了芯片巨人在SSD市场的攻掠之旅。
图右黑框白壳的即为Intel X25-E SSD，刚推出时仅有32GB和64GB两个容量版本，采用Intel 50nm的SLC闪存颗粒，使用3Gb/s SATA接口；图左黑色外壳为2009年推出的X25-M系列SSD，使用34nm的MLC闪存颗粒，仍然是3Gb/s的SATA接口，但容量提升为80GB，并增加了TRIM支持
与“革命前辈”X25-E相比，现在的SSD虽然仍保留有2.5英寸外形的规格，但内涵却不可同日而语。以Intel今年推出的DC P4600为例：
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2018年第一季度，DC P4600系列的最大容量将达到6.4TB
从上图对比可以看出，经过近10年的发展，SSD容量提升超过100倍，IOPS和带宽（性能）提升了数十倍。新技术如3D NAND、TLC以及全新NVMe的加入，使得SSD的容量和性能都有数十倍乃至上百倍的提升（注：此对比不代表平均水平，仅体现最大差异）。
3D之争 后发能否先制
SSD的容量提升实际经历了多个阶段，比如传统平面NAND的工艺提升，从早期的50nm到现在20nm，乃至1xnm（Intel DC S3510系列SSD就使用16nm工艺），从SLC到MLC，再到现在广泛使用的TLC。在平面NAND技术很难进一步将密度提升之后，SSD又逐步过渡到3D NAND的轨道上。譬如三星推出其3D V-NAND技术并应用于SSD之后，结合TLC技术，进一步增大存储密度，有效降低了SSD的每GB成本。
英特尔当然不愿意丧失定价的主动权，于是和美光（Micron）在2015年宣布联合开发3DNAND技术，并在第二年（2016年）至强（Xeon）E5 v4处理器家族发布的同时，推出了首款采用3D NAND技术的DC P3520系列SSD。
Intel首款采用3D NAND技术的DCP3520系列SSD，提供两种形态：用于各类型服务器平台的传统PCIe插卡式（Add-In Card，AIC）SSD，和需要服务器提供背板支持的（2.5英寸）U.2驱动器形式SSD。由于仍采用（平面）MLC颗粒和第三代控制器，P3520 SSD的最大容量为2TB
Intel的3D NAND采用
标准的Floating-gate
（FG，浮栅）技术，并宣称：相比于电荷捕获技术（Charge-Trap Flash，CTF），FG能够实现更高的存储密度，也更可靠；同时，CMOS位于FG单元堆叠阵列的底部，拥有更高的利用率。
Intel公布的3D NAND技术示意图，采用32层堆叠，每die能达到256Gb（MLC）或者384Gb（TLC），单个NAND闪开颗粒支持最大16个die封装，这意味着单个NAND闪存颗粒的最大容量就能达到512GB（MLC），乃至768GB（TLC）。由此算来，单个2.5英寸驱动器规格的SSD容量可以超过10TB
时隔一年之后，Intel推出了面向数据中心领域的新一代SSD——DC P4500/4600系列：使用3D NAND TLC闪存颗粒，最大容量达4TB（2018年第一季度，DC P4600系列的最大容量将达到6.4TB）；全新的第四代闪存控制器和固件，以及采用更新的NVMe 1.2规范……
伴随DC P4500/4600系列SSD的发布，作为其主要产地之一的大连工厂也宣布扩建，以增加产能。英特尔大连工厂于2007年奠基，2010年正式投产。2015年10月，英特尔宣布投资55亿美元，升级大连工厂为非易失性存储技术制造基地。2016年7月，英特尔大连工厂项目提前投产；2017年5月又宣布扩建计划，可谓一年一个大台阶，也反映出以中国为代表的市场对SSD的旺盛需求。
代号Fab 68的英特尔大连工厂肩负新一代SSD的生产重任
红海蓝海 品质唯先
在中国的数据中心市场，Intel品牌SSD占有的份额更高，一度可达国内数据中心SSD市场的60%以上，包括BAT在内的互联网公司都大量使用了Intel SSD。这一方面得益于竞争对手的“不给力”，更重要的则是Intel SSD本身所具备的品质。
NAND闪存颗粒可以说是SSD的PCB板上最主要的组成部分，更占据SSD总体成本的80%以上，这可以通过DRAMeXchange网站公布的价格来推算。当然，P4500/4600是Intel最新一代数据中心级SSD，采用了最新的3D NAND技术，以及新一代的控制器和固件，DRAMeXchange网站并没有相关信息，但其成本构成比例应该不会有太大的变化。
2010-2017全球NAND闪存市场份额，三星一直是排名第一，占据了近40%的市场份额。以Intel的NAND产能，绝对不能打价格战，把重心聚焦在数据中心蓝海是明智之举。图源自：DRAMeXchange网站
Intel长期占据统治地位的CPU业务会给其SSD业务带来一些帮助，但并不总是正面效应。譬如一些OEM大厂的服务器，出于种种考虑，标配的通常不是Intel品牌SSD。部分原因在于，OEM大厂通常有强大的研发能力，机型总数又相对有限，能够针对性优化开发，而SSD供应商也乐于为大客户服务，所以SSD的兼容性基本不会成为问题。
但在白牌服务器市场，或者从ODM直接采购/定制，面对各种型号、软硬件配置都不确定的服务器平台，SSD本身的兼容性和稳定性就显得尤为重要。在这一市场，Intel品牌SSD无论是在口碑还是影响力上，都具有明显的优势，其中闪存控制器和固件发挥了更重要的作用。
NAND闪存固然为SSD的容量和性能提供了基础条件，但要将性能，以及企业用户所关注的可靠性和稳定性发挥出来，还得靠闪存控制器和固件。后两者在很大程度上决定了SSD在实际应用中的品质，或者说体验。
1.6TB容量的Intel DC P4600 SSD“裸照”，正反面共布置了10颗NAND闪存颗粒（图上为正面6颗，反面还有4颗NAND），每个die容量为48GB，单个NAND闪存颗粒封装4个die——192GB容量，10个颗粒共计1920GB容量，实际可用容量1.6TB，剩余320GB用于OP（Over-Provisioning，内部冗余）。还可以看到，在整个PCB板上，控制器只占了很小部分空间，即使加上控制器所需要的DRAM，也只占据大约20%的空间。如果是更大容量的PCIe插卡式SSD，控制器在空间和成本上所占的比重更小，而固件则根本看不到——谁用谁知道
再战NVMe P4500/4600能否延续辉煌？
打一个不太贴切的比喻，SSD中的闪存控制器和固件，相当于PC中的CPU和操作系统，CPU的性能很大程度上决定了PC的性能，而操作系统与硬件适配的兼容性，以及高级功能则决定了用户体验；同时，CPU与操作系统的相互支持优化能力也对用户体验无比重要。闪存控制器与固件的关系也大致如此。
虽然NVMe SSD是一个全新的事物，但Intel在SATA时代的经验可以继续借鉴。Intel是SATA标准的发起者之一，参与规范制定，并在2003年推出支持SATA协议的南桥芯片（ICH5），现在独立的（纯）SATA控制器已经基本不存在，Intel芯片组集成的SATA控制器在多数情况下已经够用。对SATA标准和控制器产品的熟练掌握，对Intel的SATA SSD产品意味着什么，可谓不言而喻。近十年前，Intel X25-E系列SSD惊艳亮相，就离不开Intel在SATA上多年的经验积累。
直到现在，SATA接口SSD仍占据了Intel品牌SSD的半壁江山，但Intel早就清楚，以PCIe为代表的高性能接口才是SSD的未来。SATA接口诞生于磁盘时代，围绕磁盘特性而设计；而闪存是一种完全有别于磁盘的存储介质，要充分发挥闪存的优点，避开闪存的劣势，新一代接口必须能够“扬长避短”。众所周知，PCIe接口具有极高的性能，同时还有可扩展性，比如单条PCIe 3.0通道能到到1GB/s的带宽，随着PCIe通道数的增加，其性能线性增长。并且，PCIe还有4.0乃至5.0规范，未来潜力无限。
但PCIe最初并不是专为存储而设计的，要用于存储，还得针对存储特性进行专门设计。得益于PCIe接口的层次化架构，可在PCIe接口的基础之上构建适用于存储领域的新一代接口规范。
PCIe接口的层次化示意图，按照IEEE802网络协议模式来理解的话，其大致可以分为物理层、链路层和传输层三层，某些层下面可能又包含多个子层。NVMe实际上是一个寄存器级的逻辑设备接口（logical device interface）规范，其基于PCIe规范，并使用PCIe的电气接口
NVMe（NVM Express的简称），是专为闪存等非易失性存储（Non-Volatile Memory，NVM）而全新设计的逻辑设备接口规范，最早在2007年的Intel技术峰会（IDF2007）上提出，并于同年由Intel领导成立工作组着手制定相关规范，2008年在Intel官网发布过一版草案（NVMHCI 1.0），真正意义的NVMe规范制定工作从2009年开始， 并于2011年3月发布，即NVMe 1.0规范，此后NVMe工作组改为NVM Express标准组织，并在2014年发布NVMe 1.2规范，增加了很多企业业务场景所需的功能。
