1.德意志证：明年苹果A12 台积电仍可望全包；
2.下一代5nm 2D材料可望突破摩尔定律限制？；
3.ASML今年营收成长上看25%，Q2新增8台EUV订单；
4.东芝并购案日美韩联盟出资降低避免SK海力士干预营运
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1.德意志证：明年苹果A12 台积电仍可望全包；
韩国媒体报导，明年苹果会将部份A12处理器（AP）订单由台积电（2330）转至三星，驻台外资圈对此消息颇不以为然，港商德意志证券半导体分析师周立中昨（20）日仍看好明年A12订单依旧由台积电全拿，带动股价上涨1元、收在215.5元，稳定迈向填息之路。
美系外资券商主管指出，今年台积电填息之路花了较长时间，一方面是除息前股价已频创新高，另一方面中国智能型手机芯片库存去化延长至第3季、致使第3季营运成长动能低于外资圈预期，但技术门坎并未降低，也因此剩下的1.5元填息价差可望在近几个交易日完成。
美系外资券商主管表示，尽管第3季营运展望不若外资圈预期强劲，并未影响台积电股价走势，尤其是美国存托凭证（ADR）19日再涨1.51％后，收盘价36.41美元已直逼前波历史新高的36.92美元，一旦突破，对台股现货股价将具有强烈指针意义。
而周立中表示，基于下列3项因素考虑，明年苹果A12订单还是会稳稳留在台积电手中：
一、明年台积电将是唯一可提供7奈米产能的晶圆代工厂，且台积电7奈米的PPA（性能、功耗与面积）将会比三星10奈米＋与8奈米要好20％至30％。
二、台积电整合型扇出型封装（InFO）技术的速度效能较传统的覆晶技术要好10％，而欠缺InFO技术的三星虽积极切入面板级扇出型封装（FOPLP），但与台积电InFO相比，不但良率低且成本高。
三、过去5年来，台积电持续强化获利结构，若三星以较台积电7奈米ASP还要低20％的8奈米抢进苹果AP订单，明年苹果AP订单毛利率可能仅有25％，意味着营业损失。
(工商时报)
2.下一代5nm 2D材料可望突破摩尔定律限制？；
Imec 开发下一代 5nm 2D 通道 FET 架构，证实采用 2D 非等向性材料可让摩尔定律延续到超越 5nm 节点…
根据比利时研究机构Imec指出，设计人员可以选择采用2D非等向性(颗粒状速度更快)材料(如黑磷单层)，让摩尔定律(Moore's Law)扩展到超越5纳米(nm)节点。Imec研究人员在Semicon West期间举办的年度Imec技术论坛(Imec Technology Forum)发表其最新研究成果。
Imec开发的下一代5nm 2D通道场效电晶体(FET)架构，显示堆叠闸极和原子薄层结构 （来源：Imec）
Imec展示的研究计划专注于实现高性能逻辑应用的场效电晶体(FET)，作为其Core CMOS计划的一部份。Imec及其合作伙伴分别在材料、元件与电路层级实现协同最佳化，证实了在传输方向上可使用具有较小有效质量之2D非等向性黑磷单层的概念。这种黑磷夹层于低k电介质的介面层之间，并在高k电介质之上部署堆叠的双闸极，以控制原子级的薄层通道。
Imec展示了10nm节点的协同最佳化方案，并表示该架构可以使用半伏特(< 0.5V)的电源和小于50埃(0.5nm)的有效氧化物厚度，使其FET在5nm节点以后持续扩展摩尔定律，以实现高性能逻辑应用。
研究人员预测，所展示的架构、材料和协同最佳化技术将有助于产生可靠的FET，且其厚度可一直降低至单原子级，闸极长度短于20埃，推动纳米线FET持续进展成为FinFET的接班技术。Imec目前正评估除了黑色荧光粉以外的其他材料作为主要的备选技术，将纳米线FET延伸到原子级2D通道。
根据Imec，除了为FET延续摩尔定律的微缩规律以外，2D材料还有助于加强光子学、光电子学、生物感测、能量储存和太阳光电的发展。
Imec的研究伙伴包括来自比利时鲁汶天主教大学(Catholic University of Leuven)和义大利比萨大学(Pisa University)的科学家。这项研究的赞助资金来自欧盟(EU)的石墨烯旗舰(Graphene Flagship)研究计划以及Imec Core CMOS计划的合作伙伴，包括GlobalFoundries、华为(Huawei)、英特尔(Intel)、美光(Micron)、高通(Qualcomm)、三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)、Sony Semiconductor Solutions和台积电(TSMC)共同赞助了这项计划。
有关这项研究的更多资讯刊载在《自然》(Nature)科学报导的“基于FinFET的2D材料-设备-电路协同最佳化可实现超大型技术制程”(Material-Device-Circuit Co-optimization of 2D Material based FETs for Ultra-Scaled Technology Nodes)，Imec并在文中提供了为下一代10nm芯片高性能逻辑芯片选择材料、设计元件和最佳化性能的指导原则。
Imec解释，在闸极长度低于5nm的情况下，与闸极堆叠有关的2D静电特性所带来的挑战，更甚于2D FET材料直接源极到漏极的穿隧作用。
编译：Susan Hong
(参考原文：Imec Aims 2-D FETs at Sub-5-nm Node，by R. Colin Johnson)
eettaiwan
3.ASML今年营收成长上看25%，Q2新增8台EUV订单；
半导体微影技术大厂艾司摩尔(ASML)公布2017第二季财报。 ASML在第二季新增8台EUV系统订单，让EUV微影系统的未出货订单累积到27台，总值高达28亿欧元。 预估2017第三季营收净额约为22亿欧元，毛利率约为43%。 因为市场需求和第二季的强劲财务表现，ASML预估2017全年营收成长可达25%。
ASML总裁暨执行长温彼得(Peter Wennink)指出：「ASML今年的主要营收贡献来自内存芯片客户，尤其在DRAM市场需求的驱动下，这部分的营收预估将比去年成长50%，而来自逻辑芯片方面的营收也可望成长15%。 除了DUV微影系统的业务持续成长，在EUV微影系统部分，未出货订单累积金额在第二季已经累积到28亿欧元，显示不论逻辑芯片和DRAM客户，都积极准备将EUV导入芯片量产阶段。 」此外，ASML近年来积极推行系统升级业务，该部分的营收贡献可望在今年成长20%，也认为成长动能将延续到2018年。
第二季产品重点摘要部份，在深紫外光(DUV)微影方面，推出最新浸润式微影系统TWINSCAN NXT:2000i，让客户得以在7奈米和5奈米制程节点上，同时用浸润式微影和EUV系统进行量产，并达到2.5奈米的迭对精度(on-product overlay)。 另一方面，3D NAND客户对于KrF干式微影系统的需求持续升高，目前TWINSCAN XT:860的未出货订单已累积超过20台。 TWINSCAN XT:860系统的生产力可达到每天曝光5,300片晶圆。
