Adv. Funct. Mater.：在自插层范德华磁体Cr1+δTe2中，原子尺度有序和无序诱导的不同拓扑自旋织构

低维昂维 · 公众号 · 科技自媒体 · 2024-11-19 21:28

主要观点总结

文章介绍了研究团队通过建立微信群和接受投稿的方式提供交流和学习平台。他们合作研究了磁性原子插层在范德华间隙中的影响，并利用透射电镜对Cr 1+δ Te 2 的原子结构和磁性结构进行了全面研究。发现插层原子结构的调制通过影响Dzyaloshinskii-Moriya相互作用等塑造了观察到的自旋织构。此外，文章还涉及文献信息和文献链接的提供，以及上海昂维科技有限公司提供的微纳加工服务和各种测试分析。

关键观点总结

关键观点1: 研究团队通过微信群促进学术交流。

研究团队为了方便同学间的交流学习，建立了微信群作为互助交流的平台。此外，他们也接受课题组投递中文宣传稿，免费宣传成果，发布招聘广告。

关键观点2: 磁性原子插层在范德华间隙中的研究。

研究团队利用透射电镜对Cr 1+δ Te 2 的原子结构和磁性结构进行了全面研究，揭示了插层原子的浓度和分布与自旋织构演化之间的关系。

关键观点3: 插层原子结构的影响及研究意义。

插层原子结构的调制通过影响Dzyaloshinskii-Moriya相互作用等塑造了观察到的自旋织构。这一发现为结构-磁性关系提供了深刻的见解，为设计vdW磁体的磁性提供了途径。

关键观点4: 文献信息和文献链接的提供。

文章提供了文献信息，包括研究成果在Advanced Functional Materials上的发表以及文献链接。

关键观点5: 上海昂维科技有限公司提供的服务。

上海昂维科技有限公司提供二维材料单晶和薄膜等耗材、器件和光刻掩膜版定制等微纳加工服务以及各种测试分析。

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成果介绍

磁性原子插层到范德华间隙中，为控制范德华磁体的局部磁序提供了一种通用的方法。然而，这些插层的磁性原子通常被复杂地定位在间隙中，导致对局部磁相互作用和自旋构型的模糊影响。

有鉴于此，近日，安徽大学宋东升教授，刘威博士和中科院强磁场中心杜海峰研究员（共同通讯作者）等合作利用透射电镜对自插层原型材料Cr _1+δ Te ₂ 的原子结构和磁性结构进行了全面研究，阐明了插层Cr原子的浓度和分布与自旋织构演化之间的关系。观察到的从拓扑Néel型斯格明子到非拓扑II型气泡，并最终到平凡铁磁畴的转变，强调了这些磁自旋织构的复杂性。通过集成原子分辨率成像进一步揭示了局部结构排列的复杂性，揭示了插层原子分布所表现的无序-有序-无序跃迁。插层原子结构的调制通过影响Dzyaloshinskii-Moriya相互作用（DMI）、层间/层内耦合和磁各向异性来塑造观察到的自旋织构。这些发现为结构-磁性关系提供了深刻的见解，为在原子水平上设计vdW磁体的磁性提供了有希望的途径。